3d ic設(shè)計 文章 最新資訊
3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。 相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
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美光移動裝置3D NAND解決方案 瞄準中高階手機市場
- 美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產(chǎn)品。 美光移動事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機市場，此區(qū)塊市場占全球智能型手機總數(shù)的50%。 而這也是業(yè)界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
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兆易創(chuàng)新上市 再創(chuàng)中國IC設(shè)計“芯”高度
- 隨著國家供給側(cè)改革以及調(diào)結(jié)構(gòu)、去產(chǎn)能、補短板等一系列宏觀政策影響，加上新興市場如汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等市場的發(fā)展，我國 IC 設(shè)計產(chǎn)業(yè)仍將保持較快速增長的態(tài)勢，
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大陸IC設(shè)計產(chǎn)值上季度超過臺灣
- 中國半導(dǎo)體協(xié)會發(fā)布統(tǒng)計，大陸IC設(shè)計產(chǎn)值上季已超越臺灣，上半年合計人民幣685.5億元，年增24.6%，反超臺灣，對臺灣IC設(shè)計業(yè)威脅加深。 據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會統(tǒng)計，大陸第2季IC設(shè)計銷售值人民幣401.6億元，超過臺灣的1,697億元新臺幣;臺灣上半年合計則約3,149億元新臺幣。 至于大陸半導(dǎo)體制造業(yè)銷售值，上半年也達人民幣454.8億元，年增14.8%;封測業(yè)銷售值人民幣708.8億元，年增9.5%。臺灣目前在這兩項仍維持領(lǐng)先優(yōu)勢。 不過大陸有10座12寸晶圓廠興建中，連臺灣的臺
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面對大陸攻勢 三星海力士強化3D NAND投資
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強化投資。 市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權(quán)收購，成立長江存儲科技有限責(zé)任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。 清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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臺積電落腳南京 業(yè)界贊三贏
- 臺積電南京12寸晶圓廠暨設(shè)計服務(wù)中心，預(yù)計2018年下半年開始生產(chǎn)16奈米制程，總投資約30億美元，估計可帶動超過300億美元的產(chǎn)業(yè)發(fā)展;對此，半導(dǎo)體協(xié)會理事長、鈺創(chuàng)科技董事長盧超群表示，對于臺積電、大陸、臺灣來說，是“三贏”局面。 第七屆昆博會12日正式開幕，對于臺積電落腳南京，盧超群受訪時表示，對臺積電來說，這是踏出更積極服務(wù)大陸客戶的一步，與南韓三星在西安、無錫投資的半導(dǎo)體項目相比，臺積電在南京的投資項目更直接與大陸設(shè)計、應(yīng)用、客戶配合一起，且臺積電的研發(fā)中心沒有過
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成
- 東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產(chǎn)量，目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。 關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產(chǎn)，目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。 東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。 日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(
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