- 據路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認定。長江存儲成立于2016年7月，是國內專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路廠商，旗下有零售存儲品牌致態。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。
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長江存儲 3D NAND 閃存 存儲器
- 近日，英偉達宣布入股新思科技，并開啟多年深度合作，引發行業廣泛關注。作為一家以算力和應用見長的芯片公司，為什么要親自“下場”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應的是，臺積電早已與楷登電子在先進制程與 3D 封裝上形成緊密合作，把工藝規則直接嵌入設計工具之中。 這一系列動作清晰地揭示了一個深層趨勢：在摩爾定律逼近極限、先進封裝成為算力增長核心引擎的今天，半導體產業的競爭范式正從單一的制程競賽，轉向系統級的協同優化。想要繼續提升性能、控制成本，就必須實現“工藝 + EDA + 設計”的深度協同，而
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- 第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程師、技術專家、行業領袖、學術界、學生和研究人員，主題為“以數據驅動的半導體創新改變未來”。今年，該會議由IEEE班加羅爾分會、IEEE計算機科學學會班加羅爾分會和Women in Engineering AG班加羅爾分會聯合主辦，由三星半導體印度研究院（SSIR）主辦。IEEE班加羅爾分會主席Chandrakanta Kumar博士表示：“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半導體創新引擎
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- 芯片制造商正越來越多地采用晶體管層堆疊技術，在有限空間內集成更強計算能力。然而，當前用于檢測可能導致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技術，要么效果不佳，要么具有破壞性。不過，一家初創公司表示，基于人造鉆石的新型量子傳感器有望幫助代工廠在生產過程中快速捕捉這些隱藏缺陷，且不會對芯片造成損壞，這可能為行業節省數十億美元成本。馬里蘭州大學公園市量子技術公司 EuQlid 的聯合創始人兼首席執行官 Sanjive Agarwala 表示：“芯片中電流傳輸所依賴的互連結構若存在缺陷 —— 無論是金屬沉積不當、硅片裂紋還
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- 在鞏固其在 HBM 領域的領導地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發高帶寬 NAND 閃存 （HBF），該閃存通過 NAND 增強 HBM，用于 AI 推理工作負載。與此同時，據報道，該公司正在探索更廣泛的內存領域：高帶寬存儲 （HBS）。正如 ETnews 報道的那樣，哈佛商學院將移動 DRAM 和 NAND 相結合，以提高智能手機、平板電腦和其他移動設備的 AI 性能。報告援引消息人士解釋說，SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起，以創建HBS，它可以堆疊多達16層
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- 記憶體價格漲勢持續升溫，第四季DRAM市場可望迎來全面上修。 TrendForce最新調查指出，全球云端服務供應商（CSP）積極擴建數據中心，帶動服務器用DRAM合約價走強，供應商同步調高報價意愿，使一般型DRAM價格預估漲幅由原先的8%~13%，上修至18%~23%。 惟目前合約價尚未完全開出，后續仍可能再次調升，反映出供需持續偏緊，市場氣氛轉趨樂觀。觀察近期CSP采購節奏，從原本保守轉為積極，加單需求擴及多家原廠，尤其高容量、高頻率規格的服務器DRAM需求上升，已出現排擠效應，推升主流產品報價穩步墊高
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- 在流行媒體中，“AI”通常意味著在昂貴、耗電的數據中心中運行的大型語言模型。但是，對于許多應用程序，在本地硬件上運行的較小模型更適合。自動駕駛汽車需要實時響應，沒有數據傳輸延遲。醫療和工業應用通常依賴于無法與第三方共享的敏感數據。但是，盡管邊緣 AI 應用程序可以更快、更安全，但它們的計算資源要有限得多。它們沒有 TB 內存占用或有效無限的功率。對于數據中心來說，可能有些抽象的約束對邊緣人工智能施加了硬性限制。在 2025 年 IEEE 國際內存研討會的一篇特邀論文和隨后的預印本中，ETH 計算機科學教授
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- 2025年 10 月 23 日，愛達荷州博伊西市 — 在當今時代，人工智能（AI）實現了前所未有的創新和發展，整個數據中心生態系統正在向更節能的基礎設施轉型，以支持可持續增長。隨著內存在 AI 系統中逐漸發揮越來越重要的作用，低功耗內存解決方案已成為這一轉型的核心。美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加內存模塊）已正式送樣，以積極拓展低功耗內存在
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- 在人工智能（AI）熱潮帶動下，全球存儲器市場迎來三年來最強勁的復蘇，第四季DRAM報價漲幅可望擴大至三成以上。 財信傳媒董事長謝金河指出，韓國SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術脫穎而出，從過去的DRAM老三躍升為全球第一，今年股價狂飆近500%，且海力士專注于高階制程，不僅拉高產品附加價值，也導致DDR4與DDR5大缺貨，同時帶旺整個存儲器產業。謝金河在臉書發文指出，韓國是今年全亞洲表現最亮眼的股市，尤其自總統李在明上任后，韓股從2284.71點一路漲到3617.86點，漲幅高達58.35%。 這波
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- 專家在座：半導體工程與西門子 EDA 產品管理高級總監 John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設計挑戰以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監;莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監 Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
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- DRAM缺貨潮加速顯現，在中國十一長假期間，存儲器市場詢單備貨的動能不增反減，短期內現貨價格持續飆升。近一周來，DDR4 DRAM漲幅已逾1成，DDR5 16Gb也調漲約8%。 盡管終端消費市場需求平淡，但各家存儲器模組廠觀察到市場價格漲勢兇猛，包括臺系業者的威剛、十銓、宇瞻等先后均「蓋牌」暫停報價，等待長假結束后更明確的漲價行情。 據悉，此波暫停報價儼然已形成了連鎖效應，威剛率先從上周實施暫停報價，以缺貨最為嚴重的DDR4、DDR5為主，而NAND Flash、固態硬盤（SSD）等產品仍維持繼
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- 總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。根據公開信息，2025年4月，養元飲品子公司泉泓、農銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產、工融金投等15家機構同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業管理合伙企業（有限合伙），上述兩筆
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- 據悉，三星電子和海力士半導體（現SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護工業技術法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權準予保釋。此外，據報道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
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- 各大存儲器企業正專注于1c DRAM量產的新投資和轉換投資。主要內存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產線，據報道，SK海力士正在討論其近期轉型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設施。1c DRAM是各大內存公司計劃在今年下半年量產的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務器在內的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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- 專家在座：半導體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產品管理高級總監 John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監;莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監 Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
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