自從 USB Implementers Forum 技術演示以來，我們一直在介紹小型、可逆的 USB Type-C 連接器，從那時起的十多年里，該端口逐漸風靡全球。它逐漸從筆記本電腦遷移到游戲機、PC 配件、Android 手機、電子閱讀器和 iPhone。盡管存在一些問題和缺點，但與十年前相比，我們更接近于一個可以做所有事情的單一連接器。但其中一些困惑仍然存在。USB-C 從一開始就內置的一個弱點是，物理連接器的規格總是與 USB 協議本身的規格（即給定端口能夠達到的數據傳輸速度）、用于充電的
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Microsoft USB-C PC
據韓媒SEDaily報道，三星半導體部門（即DS設備解決方案部）正對系統LSI業務的組織運作方式的調整計劃進行最終審議，相關決定將在不久后公布。預計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前，還將進行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統LSI業務主要負責芯片設計，在三星半導體體系中承擔著為移動業務（MX）部門開發Exynos手機SoC的核心任務。然而，近年來Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
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三星 HBM LSI DRAM 半導體 晶圓代工
根據 TrendForce 集邦咨詢最新的內存現貨價格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價格已顯現放緩跡象，預計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平，購買勢頭現在正在降溫。詳情如下：DRAM 現貨價格：與 DDR4 產品相比，DDR5 產品仍然會出現小幅現貨價格上漲。然而，DDR5 產品的平均現貨價格已經相當高，在某些情況下甚至高于合同價格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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DDR5 DRAM
據路透社報道，據報道，英特爾正在考慮剝離其網絡和邊緣業務組 （NEX），以專注于 PC 和數據中心。計劃包括出售該部門并將其與另一家公司合作。據說英特爾已經與其他公司談過這個計劃。4 月，它以 87.5 億美元的價格將 Altera 51% 的股份出售給 Silver Lake。之前的合作伙伴關系銷售是與投資公司 Apollo 進行的，Apollo 斥資 110 億美元收購了英特爾在愛爾蘭的 Fab 34 49% 的股份，另一家是英特爾將其 IMS 納米制造業務 20% 的股份出售給貝恩資本據說英特爾已經
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英特爾 網絡和邊緣業務 PC 數據中心
5月19日下午，華為召開新品發布會，其中最重磅的產品當然是形態頗為另類的 —— MateBook Fold折疊電腦，有32GB+1TB和32GB+1TB兩個版本，售價分別為23999元和26999元。超大折MateBook Fold華為MateBook Fold采用了全球最大的雙層OLED顯示屏，也是行業中首次采用LTPO技術的電腦顯示屏，支持自適應刷新率。這塊屏幕HDR峰值亮度為1600nits，分辨率為3.3K。屏幕展開后屏幕尺寸為18英寸，比例為4:3 ，折疊狀態下尺寸為13英寸，比例為3:2，整機
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華為 可折疊 PC OLED 顯示屏
5 月 14 日，Rambus 宣布推出專為客戶端芯片組設計的下一代 AI PC 內存模塊的完整陣容。這包括兩個為客戶端計算量身定制的新型電源管理 IC （PMIC）：用于 LPDDR5 CAMM2 （LPCAMM2） 內存模塊的 PMIC5200 和用于 DDR5 CSODIMM 和 CUDIMM 內存模塊的 PMIC5120。PMIC5200 針對 LPDDR 電源軌進行了優化，可提供出色的電源轉換精度和效率。PMIC5120 目前支持高達 7200 MT/s 的數據傳輸速率，并且旨在在未來擴展到更高
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Rambus 內存模塊 AI PC
作為業界領先的芯片和半導體IP供應商，致力于使數據傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布推出面向下一代人工智能（AI）個人電腦（ PC）內存模塊的完整客戶端芯片組，包含兩款用于客戶端計算的全新電源管理芯片（PMIC）。PMIC是實現高效供電的關鍵，能夠為先進的計算應用提供突破性的性能表現。這兩款業界領先的全新Rambus PMIC分別是適用于LPDDR5 CAMM2（LPCAMM2）內存模塊的PMIC5200，以及適用于DDR5 CSODIMM和CUDIMM的PMIC
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Rambus AI PC 內存模塊 客戶端 芯片組
存儲設備研發公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發布。Neo 表示，它已經開發了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
在特朗普加征關稅之前囤積數據推動的 DRAM 需求激增似乎是真實的。據韓國 Etnews 報道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款，已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時，該報告補充說，DDR5 價格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或將得到提振值得注意的是，Etnews 表示，由于 DRAM 價格是以數月為基礎進行談判的，因此最近的上漲預計將在一段時間內支持盈利能力，從而為三星第二
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三星 DRAM DDR4
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款通過AEC-Q200認證、采用緊湊型薄形SOT-227封裝并可安裝在散熱片上的全新厚膜功率電阻器---ISOA200。Vishay MCB ISOA200可選配用于內部溫度監測的NTC熱敏電阻和用于更高效安裝的預涂相變熱接口材料（PC-TIM），在80°C底殼溫度下可提供高脈沖處理能力和高達200W的高功率耗散。日前發布的器件采用裸露鋁襯底取代金屬片，可用作預充電、放電、主動放電或緩沖電阻，降低汽車、工業和航空航天等應用的
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據 ComputerBase 稱，英偉達和聯發科預計將在 2025 年臺北國際電腦展上推出他們聯合開發的基于 Arm 的 PC 處理器。即將推出的芯片 N1X 和 N1 針對臺式機和筆記本電腦，標志著 Nvidia 更深入地進入 Windows-on-Arm 生態系統。然而，由于未解決的技術障礙，零售可用性可能會推遲到 2026 年，Heise 援引 SemiAccurate 的話說。兩家公司的首席執行官 — 英偉達的黃仁勛和聯發科技的 Rick Tsai
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英偉達 聯發科技 Computex Windows PC N1 Arm 芯片
全球存儲器市場近期出現顯著價格上漲，消費級存儲器產品價格持續攀升。 根據最新市場動態，SK海力士消費級DRAM顆粒價格已上漲約12%，落實先前市場的漲價傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發布NAND Flash價格上調通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶的產品實施價格調整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲器價格近期上漲主要受到全球供應鏈瓶頸、晶圓產能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術的快速發展，持續推動了對高性能內存的強勁需求，存儲器國際大廠集中資源，生
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SK海力士 DRAM
據最新消息，三星電子已制定明確的技術路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術。相關產品預計將在未來2到3年內問世。在規劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術。經過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術。相較于1e nm，VCT技術在性能和效率方面表現更優。為加快研發進度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發團隊，集中力量推進1d nm工藝的開發。VCT DRAM技術是一種新型存儲
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英特爾的日子已經很艱難，但現在事實證明，其新的、大力推廣的 AI PC 芯片的銷售不如預期，從而造成其舊芯片的產能短缺。該消息發布之際，首席執行官宣布即將裁員，糟糕的財務報告導致公司股價暴跌。英特爾表示，其客戶正在購買更便宜的上一代 Raptor Lake 芯片，而不是新的、價格更高的 AI PC 型號，如用于筆記本電腦的 Lunar Lake 和 Meteor Lake 芯片。在財報電話會議上，英特爾宣布，其“英特爾 7”工藝節點目前面臨產能短缺，該公司預計這種短
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出于對美國加征關稅等潛在政策風險的擔憂，全球三大頂級PC廠商聯想、惠普和戴爾正在考慮在沙特阿拉伯建立生產基地。聯想計劃在利雅得建立PC和服務器組裝工廠，并獲得了沙特阿拉伯公共投資基金（PIF）子公司20億美元的投資支持。通過與PIF旗下科技企業埃耐特（Alat）的深度合作，不僅獲得政府及非洲市場的采購優先權，更將沙特定位為開拓非洲PC市場的戰略樞紐。據聯想CEO楊元慶透露，利雅得工廠預計2026年實現全鏈條投產，首批「沙特制造」產品將專供本土及周邊市場。應當地政府的邀請，惠普和戴爾目前已派出團隊前往該國考
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