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pc-dram 文章 最新資訊

英特爾生態(tài)創(chuàng)新，引領AI PC應用新突破

內存現(xiàn)貨價格更新：DDR4 價格下滑放緩，韓國內存制造商引發(fā)大幅漲價

  • 根據 TrendForce 最新內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DDR4，由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了顯著的月度價格上調，之前的價格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存，高容量產品受到買方和賣方預期價格差異的限制，實際交易中變得稀缺。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：關于 DDR4 產品的現(xiàn)貨價格，由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了大幅度的月度漲價，之前的價格下跌趨勢有所緩和。目前，DDR4 市場顯示現(xiàn)貨價格已停止下跌，交易量有明顯增加。轉向 DDR5 產品，隨著合約價
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  DDR4  

據報道，英偉達和聯(lián)發(fā)科將 N1X 處理器發(fā)布時間從 2025 年下半年推遲至 2026 年第一季度

  • 根據商業(yè)時報   和 Tom's Hardware 的報道，英偉達和聯(lián)發(fā)科的 N1X AI PC 平臺發(fā)布計劃據報道已被推遲，聯(lián)合開發(fā)的下一代處理器的發(fā)布時間已從 2025 年下半年推遲至 2026 年第一季度。如商業(yè)時報所述，N1X 是英偉達和聯(lián)發(fā)科共同開發(fā)的第一個 Windows on Arm PC 處理器。據報告中引用的消息稱，N1X 是之前推出的個人 AI 超級計算機 Project DIGITS（DGX Spark）中使用的 GB10 G
  • 關鍵字： 英偉達  Arm  AI PC  

DDR6 預計將于 2027 年大規(guī)模應用，據報道內存巨頭已最終完成原型設計

  • 隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標準，內存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設備的激增需求。值得注意的是，據行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時報 的報道，DDR6 預計將于 2027 年進入大規(guī)模應用。領先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已經啟動了 DDR6 開發(fā)，重點關注芯片設計、控制器驗證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時報所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設計，現(xiàn)在正與內存控制器和平臺參與者如英特爾和 AMD 合作進行接口測試。在
  • 關鍵字： DDR6  DRAM  存儲  

中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產

  • 中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力，在大約一年后將其產能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國內市場需求和政府補貼的推動下，中國內存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據 ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
  • 關鍵字： CXMT  YMTC  DRAM  NAND  

SK 海力士據報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調 20%，因 Q3 需求保持強勁

  • 隨著內存制造商逐步淘汰 DDR4，預計出貨將在 2026 年初結束，合同價格持續(xù)上漲。據中國的 華爾街見聞 報道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內存的合同價格上調約 20%，標志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應，該機構指出，三大主要 DRAM 供應商正在將產能重新分配給高端產品，并逐步淘汰 PC、服務器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據 TrendForce 預測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
  • 關鍵字： DDR4  DRAM  存儲  

一名狂熱玩家將 DIY 銅制水冷管安裝在 GTX 1060 上，在 12600KF 類別中創(chuàng)下世界超頻記錄

  • 漲頻和 BIOS 調校愛好者 TrashBench，使用 DIY 散熱器將老牌 Nvidia 顯卡 GeForce GTX 1060 推至 2,202 MHz。這位 Reddit 用戶和 TechTuber 堅持使用這款老 GeForce 的官方 BIOS 和官方電壓，但自制的銅管散熱器只能被合理地形容為“非同一般”。拋開美觀不說，這款散熱器讓這張顯卡在官方 3DMark Fire Strike 圖表中取得了驚人的五倍勝利（適用于配備 Core i5-12600KF
  • 關鍵字： PC  硬件  GPU  

內存現(xiàn)貨價格更新：16Gb DDR4 消費者內存價格上升，而 PC 內存失去動力

  • 根據 TrendForce 最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現(xiàn)輕微回調。至于 NAND 閃存，供應商逐步釋放產能資源，加上中國國家補貼的減弱效應，導致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
  • 關鍵字： 內存  DDR4  DRAM  

歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價格飆升，據報道使 DDR5 翻倍，推動南亞科技的庫存暴利

  • 上周，臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據報道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報價，因為價格飆升。現(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利，根據經濟日報的最新數據，引用了 DRAMeXchange 的數據，DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應商。據報告稱，南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀錄的 37.59 億新
  • 關鍵字： DDR4  DRAM  存儲  

適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成

  • 東京科學研究所在 IEEE電子元件和技術會議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進展。“這些新技術可以幫助滿足高性能計算應用的需求，這些應用需要高內存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結合使用晶圓上晶圓 （WOW） 和晶圓上芯片 （COW） 技術，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發(fā)的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實現(xiàn)了 10μm 的
  • 關鍵字： DRAM  處理器  3D堆棧集成  

臺灣地區(qū)的 DRAM 供應商南亞科技據報道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價格報價，庫存緊張

  • 隨著三星和美光等主要內存制造商減少 DDR4 生產并價格上漲，據報道，臺灣地區(qū)的主要供應商南亞科技已暫停報價，這表明供應緊張和需求增長，據經濟日報報道。行業(yè)消息人士進一步解釋說，報價暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場，而在合同市場，供應商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價格。TrendForce 的最新調查發(fā)現(xiàn)，由于兩大主要 DRAM 供應商減少 DDR4 生產以及買家在美國關稅變化前加速采購，服務器和 PC 的 DDR4 合同價格預計將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務器 DDR4 合同價格預計環(huán)比將上漲
  • 關鍵字： DRAM  存儲  市場分析  

DDR4瘋狂漲價，DRAM廠商爆賺

  • 據臺媒《經濟日報》報道，由于DDR4供應減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高，呈現(xiàn)“價格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大。”根據DRAM專業(yè)報價網站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
  • 關鍵字： DDR4  DRAM  三星  美光  南亞科技  華邦電子  HBM  

英偉達Arm PC芯片亮相即巔峰？

  • 一塊搭載了英偉達N1X處理器的惠普開發(fā)板（HP 83A3）在Geekbench上亮相。在Geekbench的測試中，運行Linux（Ubuntu 24.04.1）的N1X處理器在單核測試中獲得了3096分，在多核測試中獲得了18837分，平均頻率為4GHz。數據顯示這款處理器為20線程配置，由于Arm通常沒有像英特爾那樣的超線程技術，因此很可能是20個物理核心，類似于英偉達迷你超算所搭載的GB10。同時，該開發(fā)板可能配備128GB系統(tǒng)內存，其中8GB預留給GPU。其性能已經接近甚至超過了當前市場上的一些頂
  • 關鍵字： 英偉達  Arm  PC  芯片  SoC  處理器  聯(lián)發(fā)科  

AI PC新突破 端側首次支持128K上下文窗口 實現(xiàn)2.2倍推理優(yōu)化

  • 端側AI里程碑：面壁大模型+英特爾酷睿Ultra首日協(xié)同優(yōu)化效率提升220%；面壁智能端側大模型首日上線，英特爾工程師聯(lián)合優(yōu)化實現(xiàn)2.2倍推理效率躍升；AI PC時代加速：面壁智能端側大模型適配酷睿Ultra，效率提升220%；推理速率提升2.2倍！面壁推出MiniCPM 4.0系列LLM模型，英特爾助力帶來端側性能體驗；英特爾銳炫B60聯(lián)合面壁MiniCPM 4.0，端側首次支持高達128K上下文窗口
  • 關鍵字： AI PC  推理優(yōu)化  面壁  英特爾  

英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

  • 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數據傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產可行性，目標是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮
  • 關鍵字： 英特爾  軟銀  HBM  DRAM  三星  SK海力士  
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