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pc-dram 文章 最新資訊

據報道,頂級PC制造商,可能是惠普或聯想,在供應商訪問后鎖定了內存供應

  • 隨著內存價格飆升,PC制造商正努力將成本轉嫁給消費者,同時爭先恐后地為市場可能出現更大價格波動爭取芯片供應。易才全球報道,一家頂級PC公司最近對包括三星電子、SK海力士和美光在內的主要內存供應商進行了密集訪問,并已達成初步協議以鎖定供應。值得注意的是,報告引用的行業分析師認為,最具議價能力的候選企業是聯想和惠普,后者的個人電腦業務在最新季度分別占據了25.5%和19.8%的全球市場份額。隨著內存成本上升,一波PC品牌已向客戶發出即將上漲的價格警告。據Business Insider報道,戴爾已從12月17
  • 關鍵字: PC  內存  聯想  惠普  

三星發布與InGaO合作的亞10納米DRAM突破,據報道關注0a/0b的采用

  • 三星電子于7月完成了6代10納米級工藝的1代1c DRAM開發后,現正推進下一代DRAM技術。據The Elec報道,三星與三星先進技術研究院(SAIT)發布了一種實現亞10納米DRAM的新方法,可能適用于0a和0b DRAM。正如韓國新聞2024年底報道,三星計劃于2025年發布第六代10納米1c型HBM4DRAM處理器,隨后于2026年推出第七代10納米1維DRAM,并計劃于2027年前推出首款亞10納米0安DRAM。《The Elec》援引的一位業內消息人士指出,雖然該技術仍處于研究階段,且數年內難
  • 關鍵字: 三星  DRAM  

三星CEO據報道將就緊張的移動DRAM供應問題,罕見的參加CES會議

  • 在內存價格急劇上漲的背景下,即使是三星也感受到了壓力,盡管三星內部擁有強大容量。DealSite透露,三星電子DX部門CEO兼負責人盧泰文將在2026年1月6日至9日在拉斯維加斯舉行的CES 2026開幕日會面美光CEO Sanjay Mehrotra。正如報道所強調的,活動期間此類會議較為罕見,但消息人士稱三星請求此次會議是為了應對移動DRAM供應收緊的問題。據DealSite報道,討論將聚焦于即將推出的Galaxy S26的LPDDR5X,因為飛漲的價格使得與三星DS部門和美光的合同尚未解決。正如Se
  • 關鍵字: 三星  存儲  DRAM  

最新的GPU市場分析顯示,英偉達正在被AMD超越——英特爾首次突破1%的市場份額大關

  • JPR表示,英偉達在2025年第三季度的GPU市場份額下降了1.2%。不過它仍然占據了超過90%的市場份額。專業分析機構Jon Peddie Research(JPR)發布了最新的季度GPU市場份額數據。報告指出,2025年第三季度,PC擴展板(顯卡)市場增長至1200萬臺,較上一季度增長2.8%。然而,更有趣的可能是AMD和英特爾在市場份額增長的數據——當然,這以英偉達為代價(因為這是三強競賽)。Nvidia依然遙遙領先毫無疑問,英偉達在2025年第三季度的市場份額依然幾乎無可匹敵,達到92%。它依然占
  • 關鍵字: GPU  英偉達  英特爾  PC 獨立顯卡  

英特爾立足x86生態,引領AI PC創新發展范式

  • 隨著AI等技術的飛速發展,英特爾以領先的產品與計算技術,不斷定義和重塑個人計算的邊界。通過持續強化x86架構的領導地位,并托其龐大的用戶基礎與繁榮生態,英特爾持續推進核心產品技術與制程工藝的創新,為用戶帶來更加智能的體驗。在近期舉辦的英特爾客戶端解決方案論壇上,英特爾中國區客戶端與平臺銷售業務部總經理宗曄表示:“AI時代,英特爾不僅以前瞻性的視角和深厚的技術積累,全面引領AI PC時代的到來,同時也一如既往地支持生態建設。我們不僅是這一創新浪潮的推動者,更是生態系統的核心構建者——通過創新的產品和技術推動
  • 關鍵字: 英特爾  x86生態  AI PC  

AI加速滲透下的新一輪變革—IDC 2026年中國PC市場十大洞察

  • 隨著AI技術的加速滲透和終端應用場景的不斷擴展,中國PC市場正迎來新一輪結構性變革。IDC基于對2026年中國PC市場的深度調研,梳理并總結了十大關鍵洞察,具體內容如下:
  • 關鍵字: PC市場  GenAI PC  

DDR5內存現在可能比PlayStation 5還貴

  • 64GB DDR5內存的平均價格已飆升至500美元以上。如果你想要128GB的,預計要花比買電腦更高的價格。價格還在上漲:PC內存的價格已經高到64GB?DDR5內存包輕松超過500美元,甚至超過索尼PlayStation 5。隨著對人工智能數據中心的需求持續侵蝕內存供應,PC制造商注意到近期價格達到了新的水平。與今年早些時候相比,價格上漲幅度在120%到200%之間,尤其是對于較新的DDR5內存。例如,一對32GBDDR5內存條(總共64GB)的平均價格已超過600美元,較 PCPartPic
  • 關鍵字: DDR  內存  PC  

英特爾酷睿Ultra 200H系列助力AI PC解鎖120B MoE大模型

  • 特爾酷睿Ultra 9 200H系列煥新能力:120B MoE大模型,智能感官覺醒;支持120GB超大可變共享顯存,英特爾酷睿Ultra 285H拓展端側AI新境界
  • 關鍵字: 英特爾  酷睿Ultra  AI PC  MoE大模型  

SK海力士探索高帶寬存儲堆疊 NAND 和 DRAM

  • 在鞏固其在 HBM 領域的領導地位后,SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發高帶寬 NAND 閃存 (HBF),該閃存通過 NAND 增強 HBM,用于 AI 推理工作負載。與此同時,據報道,該公司正在探索更廣泛的內存領域:高帶寬存儲 (HBS)。正如 ETnews 報道的那樣,哈佛商學院將移動 DRAM 和 NAND 相結合,以提高智能手機、平板電腦和其他移動設備的 AI 性能。報告援引消息人士解釋說,SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起,以創建HBS,它可以堆疊多達16層
  • 關鍵字: SK海力士  高帶寬  存儲堆疊  NAND  DRAM  

研調上修本季DRAM漲幅 上看23%

  • 記憶體價格漲勢持續升溫,第四季DRAM市場可望迎來全面上修。 TrendForce最新調查指出,全球云端服務供應商(CSP)積極擴建數據中心,帶動服務器用DRAM合約價走強,供應商同步調高報價意愿,使一般型DRAM價格預估漲幅由原先的8%~13%,上修至18%~23%。 惟目前合約價尚未完全開出,后續仍可能再次調升,反映出供需持續偏緊,市場氣氛轉趨樂觀。觀察近期CSP采購節奏,從原本保守轉為積極,加單需求擴及多家原廠,尤其高容量、高頻率規格的服務器DRAM需求上升,已出現排擠效應,推升主流產品報價穩步墊高
  • 關鍵字: DRAM  TrendForce  

為什么存內計算對邊緣AI如此重要

  • 在流行媒體中,“AI”通常意味著在昂貴、耗電的數據中心中運行的大型語言模型。但是,對于許多應用程序,在本地硬件上運行的較小模型更適合。自動駕駛汽車需要實時響應,沒有數據傳輸延遲。醫療和工業應用通常依賴于無法與第三方共享的敏感數據。但是,盡管邊緣 AI 應用程序可以更快、更安全,但它們的計算資源要有限得多。它們沒有 TB 內存占用或有效無限的功率。對于數據中心來說,可能有些抽象的約束對邊緣人工智能施加了硬性限制。在 2025 年 IEEE 國際內存研討會的一篇特邀論文和隨后的預印本中,ETH 計算機科學教授
  • 關鍵字: 存內計算  邊緣AI  DRAM  

美光正式送樣業界高容量 SOCAMM2 模組,滿足 AI 數據中心對低功耗 DRAM 的需求

  • 2025年 10 月 23 日,愛達荷州博伊西市 — 在當今時代,人工智能(AI)實現了前所未有的創新和發展,整個數據中心生態系統正在向更節能的基礎設施轉型,以支持可持續增長。隨著內存在 AI 系統中逐漸發揮越來越重要的作用,低功耗內存解決方案已成為這一轉型的核心。美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)近日宣布其 192GB SOCAMM2(small outline compression attached memory modules,小型壓縮附加內存模塊)已正式送樣,以積極拓展低功耗內存在
  • 關鍵字: 美光  SOCAMM2  DRAM  

DRAM老三SK的大逆襲!專家揭稱霸全球關鍵技術

  • 在人工智能(AI)熱潮帶動下,全球存儲器市場迎來三年來最強勁的復蘇,第四季DRAM報價漲幅可望擴大至三成以上。 財信傳媒董事長謝金河指出,韓國SK海力士憑借高帶寬記憶體(HBM)技術脫穎而出,從過去的DRAM老三躍升為全球第一,今年股價狂飆近500%,且海力士專注于高階制程,不僅拉高產品附加價值,也導致DDR4與DDR5大缺貨,同時帶旺整個存儲器產業。謝金河在臉書發文指出,韓國是今年全亞洲表現最亮眼的股市,尤其自總統李在明上任后,韓股從2284.71點一路漲到3617.86點,漲幅高達58.35%。 這波
  • 關鍵字: DRAM  SK海力士  

內存模組廠十一長假大蓋牌! 消費性DRAM暫停報價

  • DRAM缺貨潮加速顯現,在中國十一長假期間,存儲器市場詢單備貨的動能不增反減,短期內現貨價格持續飆升。近一周來,DDR4 DRAM漲幅已逾1成,DDR5 16Gb也調漲約8%。 盡管終端消費市場需求平淡,但各家存儲器模組廠觀察到市場價格漲勢兇猛,包括臺系業者的威剛、十銓、宇瞻等先后均「蓋牌」暫停報價,等待長假結束后更明確的漲價行情。 據悉,此波暫停報價儼然已形成了連鎖效應,威剛率先從上周實施暫停報價,以缺貨最為嚴重的DDR4、DDR5為主,而NAND Flash、固態硬盤(SSD)等產品仍維持繼
  • 關鍵字: 內存模組  DRAM  

因涉嫌向中國泄露DRAM技術被捕的三星、海力士前高管獲保釋

  • 據悉,三星電子和海力士半導體(現SK海力士)前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術而被起訴,在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭(主審法官李英善,高級法官)15日批準崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護工業技術法》等罪名被捕起訴,并于今年3月被額外起訴。根據《刑事訴訟法》,一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權準予保釋。此外,據報道,與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋,法院受理。
  • 關鍵字: DRAM  三星  海力士  
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