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ram 內(nèi)存 文章 最新資訊

邊緣AI推理速度提高5倍，內(nèi)存只需要一半

  • 我第一次聽說亞閾值數(shù)字設(shè)計(jì)技術(shù)是在許多個月前，但只是在相對簡單的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)（例如手表）的背景下。當(dāng)我發(fā)現(xiàn) Ambiq 的人們正在利用這項(xiàng)技術(shù)來設(shè)計(jì)整個超低功耗處理器時，我感到震驚。簡而言之，在傳統(tǒng)的 CMOS 設(shè)計(jì)中，晶體管使用遠(yuǎn)高于 Vth（晶體管剛剛開始傳導(dǎo)電流的閾值電壓）的電源電壓在完全關(guān)斷和完全開啟狀態(tài)之間切換，對于現(xiàn)代 MCU，通常為 0.8V 至 1.0V。相比之下，Ambiq 的 SPOT 電路在亞閾值區(qū)域（通常約為 0.3-0.5 V）工作，該區(qū)域的電流呈指數(shù)級小。這將有功和漏電功耗降低一個
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Raspberry Pi 500+將Pi、16GB RAM和真正SSD放在機(jī)械鍵盤中

  • Raspberry Pi 500（和 400）系統(tǒng)是 Raspberry Pi 的版本，專為將 Raspberry Pi 用作通用計(jì)算機(jī)而不是業(yè)余設(shè)備的用戶而構(gòu)建。現(xiàn)在，該公司通過 Raspberry Pi 500+ 更加傾向于這一點(diǎn)，這是一款鍵盤計(jì)算機(jī)的增強(qiáng)版，配備 16GB RAM 而不是 8GB，配備 256GB NVMe SSD 而不是 microSD 存儲，以及帶有機(jī)械開關(guān)、可更換鍵帽和可單獨(dú)編程 RGB LED 的更高級鍵盤。該計(jì)算機(jī)目前可以從 CanaKit 和 Micr
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不只內(nèi)存喊漲 臺積電末代3納米CPU漲2成

  • 蘋果最新iPhone 17系列近日正式發(fā)售，A19芯片采用的是臺積電最新3納米N3P制程，下一代A20進(jìn)入2納米時代，而Android陣營的聯(lián)發(fā)科、高通等CPU的3納米制程也進(jìn)入尾聲，業(yè)界傳出，末代3納米制程CPU價格比前代上漲約20%，明年2納米制程將再增加逾50%的售價，加上內(nèi)存、硬盤等供不應(yīng)求， 半導(dǎo)體通脹正在發(fā)酵中。Android手機(jī)陣營的IC設(shè)計(jì)大廠聯(lián)發(fā)科、高通，將在本周先后發(fā)表最新的旗艦芯片天璣9500以及Snapdragon 8 Elite Gen 5，目前傳出2款芯片與A19芯片相同，皆采
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用鉬縮放內(nèi)存

  • 鉬作為當(dāng)今半導(dǎo)體制造中常用的各種金屬的替代品，尤其是在前沿節(jié)點(diǎn)上，看起來越來越有希望。芯片制造商正在一個接一個地將先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的金屬從清單上劃掉。雖然釕襯里幾乎可以生產(chǎn)，但這種金屬還沒有準(zhǔn)備好在高度規(guī)模的互連中取代銅。釕非常昂貴，目前的制造工藝也無濟(jì)于事。此外，imec 研究員 Zsolt T?kei 表示，大馬士革方案中“過度沉積和拋光”步驟產(chǎn)生的廢物量也是一個嚴(yán)重的問題。雖然減材金屬化減少了廢物量，但它需要對整個過程進(jìn)行更重大、更昂貴的改變。銅并不是唯一跑道較短的金屬。晶體管觸點(diǎn)、內(nèi)存中的字線和類似應(yīng)用通
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HBM 之后是什么？堆疊式 NAND HBF 或?qū)⒊蔀?AI 未來的關(guān)鍵

  • 根據(jù) The Elec 的報道，KAIST 教授金正浩指出，HBF（高帶寬閃存）——像 HBM 一樣堆疊的 NAND 閃存——可能成為 AI 未來的決定性因素。正如報道解釋的那樣，HBF 在結(jié)構(gòu)上與 HBM 相似，芯片堆疊并通過硅通孔（TSV）連接。關(guān)鍵的區(qū)別在于 HBF 使用 NAND 閃存代替了 DRAM。AI 瓶頸主要受限于內(nèi)存帶寬報告指出，金（Kim）強(qiáng)調(diào)當(dāng)前 AI 受限于內(nèi)存帶寬和容量。他解釋說，今天的基于 Transformer 的模型可以處理高達(dá) 100 萬個 token
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磁芯的過去、現(xiàn)在和未來 內(nèi)存技術(shù)的巨變變化

  • 《電子設(shè)計(jì)：時不時》的這一迭代是在我從我們的檔案中閱讀“在計(jì)算機(jī)中使用磁芯”時受到啟發(fā)的。本文最初發(fā)表于 Electronic Design 1955 年 4 月，第 3 卷第 4 期。這是不久前的事了。事實(shí)上，我就是那一年出生的。我們將討論磁芯的常用用途進(jìn)行存儲，但首先要提及這篇文章。事實(shí)證明，鐵芯和磁性元件有很多用途。它們?nèi)匀挥米麟娫春湍M電路中的扼流圈。然而，在這種情況下，我們的想法是使用磁芯來實(shí)現(xiàn)邏輯（圖 1）。查看文章了解詳情。盡管這項(xiàng)技術(shù)從未進(jìn)入商業(yè)領(lǐng)域，但它確實(shí)奏效了。1
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內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

  • 根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細(xì) TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報告強(qiáng)調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進(jìn)展緩慢。此外，SK
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UltraRAM 接近商業(yè)化：DRAM 速度，NAND 耐用性，1000 年數(shù)據(jù)壽命

  • 據(jù) TechNews 報道，引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息，新型存儲技術(shù)“UltraRAM”，結(jié)合了 DRAM 和 NAND 的優(yōu)勢，在商業(yè)化方面取得了顯著進(jìn)展。英國半導(dǎo)體初創(chuàng)公司 Quinas Technology，UltraRAM 的開發(fā)者，與 IQE 合作，將其制造推進(jìn)到工業(yè)規(guī)模。UltraRAM 被認(rèn)為是一種融合了 DRAM 和 NAND 優(yōu)勢的新型存儲器。據(jù) Tom’s Hardw
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內(nèi)存巨頭在 HBM 基板上出現(xiàn)分歧：美光據(jù)報道推遲晶圓廠轉(zhuǎn)移，面臨失去優(yōu)勢的風(fēng)險

  • 據(jù)報道，英偉達(dá)正在為其 2027 年的生產(chǎn)開發(fā)自己的 HBM 基板，內(nèi)存巨頭的基板制造從 DRAM 轉(zhuǎn)移到晶圓廠工藝的焦點(diǎn)。據(jù)韓國的 Digital Daily 報道，美光可能采取了最謹(jǐn)慎的做法，由于成本問題，將推遲到 HBM4e 才轉(zhuǎn)移到晶圓廠。報道解釋說，直到 HBM3e，基板都是使用 DRAM 工藝制造的，因?yàn)?DRAM 制造商自己設(shè)計(jì)了邏輯，并在自己的 DRAM 線上生產(chǎn)。然而，平面 DRAM 工藝在速度、信號完整性和能效方面落后于晶圓廠的 FinFET 技術(shù)，促使內(nèi)存制造商進(jìn)
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英偉達(dá)計(jì)劃于 2027 年開始設(shè)計(jì) HBM 邏輯芯片，以在供應(yīng)鏈中獲得對臺積電、SK 海力的優(yōu)勢

  • 根據(jù)韓國媒體韓聯(lián)社援引消息人士的話，英偉達(dá)計(jì)劃從 2027 年下半年開始承擔(dān) HBM 價值鏈中“邏輯芯片”的設(shè)計(jì)工作，這是一個核心組件，同時計(jì)劃多樣化其來源。報道指出，行業(yè)消息人士認(rèn)為英偉達(dá)的策略是為了重新平衡其與關(guān)鍵合作伙伴如臺積電和 SK 海力的關(guān)系，削弱他們的談判能力，并控制供應(yīng)成本。報道強(qiáng)調(diào)，SK 海力和其他內(nèi)存制造商迄今為止都是內(nèi)部生產(chǎn)邏輯芯片。然而，下一代 HBM4——將于今年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)——正推動向代工生產(chǎn)轉(zhuǎn)型。SK 海力已選擇臺積電承擔(dān)這一角色，報道指出，行業(yè)消息人士認(rèn)為美光也將這
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內(nèi)存漲價輪到NOR Flash！ 第四季全面漲勢更兇狠

  • 終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業(yè)界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調(diào)漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業(yè)界預(yù)期，隨著近期市場漲價風(fēng)聲蠢蠢欲動，NOR Flash價格將從第4季在各區(qū)域市場全面反映報價調(diào)漲， 單季漲幅將達(dá)雙位數(shù)百分比。相較于DRAM市場價格近來明顯走揚(yáng)，不僅DDR4身價暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現(xiàn)貨價格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個月來現(xiàn)貨價格已上漲約3成多，反映業(yè)界在擔(dān)憂
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據(jù)報道，英偉達(dá)在 2025 年上半年驅(qū)動了 SK 海力士 27%的收入，鞏固了 AI 芯片合作

  • 作為英偉達(dá) HBM3 和 HBM3e 的關(guān)鍵供應(yīng)商，也是人工智能繁榮的主要受益者，SK 海力士在其最新發(fā)布的 2025 年半年度報告中展示了其強(qiáng)大的行業(yè)地位，突出了與美國芯片巨頭的緊密合作關(guān)系。據(jù) Yonhap News 報道，該公司僅從英偉達(dá)處在本年度上半年就據(jù)報道賺取了約 110 萬億韓元收入。值得注意的是，據(jù) SK 海力士提供的數(shù)據(jù)，Yonhap 報道稱，來自單個“主要客戶”的收入在 2025 年上半年達(dá)到了 108.9 萬億韓元。同期，SK 海力士合并總收入為 398.7 萬億
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據(jù)報道，英偉達(dá)計(jì)劃于 2027 年進(jìn)行小規(guī)模 HBM 基板晶圓生產(chǎn)：震動內(nèi)存、芯片市場

  • 市場傳聞稱，英偉達(dá)已開始開發(fā)自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動正在供應(yīng)鏈中引起漣漪，因?yàn)樗赡苤厮芟乱淮?HBM 格局。據(jù)《商業(yè)時報》報道，該芯片預(yù)計(jì)將基于 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)，小批量試生產(chǎn)計(jì)劃于 2027 年下半年進(jìn)行。英偉達(dá)的策略和 HBM4 路線圖根據(jù) TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達(dá)正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發(fā)展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統(tǒng)的整體性能。值得注意的是，根據(jù) TrendForce 的觀察，英偉達(dá)將在 2027 年上半年
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Yole評2025數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體趨勢：人工智能重塑計(jì)算和內(nèi)存市場

  • 市場研究與戰(zhàn)略咨詢公司Yole Group發(fā)布了新報告《2025 年數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體趨勢》，深入分析了人工智能、高性能計(jì)算和超大規(guī)模需求如何推動新的半導(dǎo)體范式
  • 關(guān)鍵字： 202508  數(shù)據(jù)中心  半導(dǎo)體  人工智能  內(nèi)存  

美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認(rèn)證

  • 美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴(yán)苛環(huán)境使用而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了嚴(yán)格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗(yàn)證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
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