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ram 內存 文章 最新資訊

中國長江存儲計劃通過使用國產工具建立生產線來擺脫美國制裁

  • (圖片來源：YMTC)長江存儲技術有限公司（YMTC），中國領先的 NAND 存儲器生產商，自 2022 年底以來一直被美國商務部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產能力，目標是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲器生產市場的 15%，據(jù)《Digitimes》報道。該公司還計劃建設一條僅使用中國制造設備的試驗生產線。YMTC 將擴大產能至每月 15 萬片晶圓啟動據(jù) DigiTimes 報道，預計到 2024 年底，YMTC 的月產能將達到每月
  • 關鍵字： 長江存儲  NAND  內存  

據(jù)報道，2026 年 HBM 價格面臨兩位數(shù)下跌風險，對 SK hynix 構成挑戰(zhàn)

  • 隨著英偉達以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動 HBM 需求增長，分析師警告明年可能面臨價格下跌。據(jù)高盛稱，經濟日報報道，競爭加劇和供過于求可能導致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價格下跌——這對市場領導者 SK hynix 構成挑戰(zhàn)。值得注意的是，據(jù)高盛稱，2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數(shù)。此外，競爭加劇以及定價權向主要客戶轉移（SK hynix 受影響嚴重）可能擠壓該公司的利潤空間，高盛警告稱。根據(jù)高盛的預測，HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應的顯著增加
  • 關鍵字： HBM  內存  海力士  

內存現(xiàn)貨價格更新：16Gb DDR4 消費者內存價格上升，而 PC 內存失去動力

  • 根據(jù) TrendForce 最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現(xiàn)輕微回調。至于 NAND 閃存，供應商逐步釋放產能資源，加上中國國家補貼的減弱效應，導致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
  • 關鍵字： 內存  DDR4  DRAM  

AI驅動內存革新 臺積電與三星引領存儲技術搶攻萬億商機

  • 全球新興記憶體與儲存技術市場正快速擴張，而臺積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業(yè)IP供應商合作，積極推動先進非揮發(fā)性存儲器解決方案的商業(yè)化。過去兩年，相變內存（PCM）、電阻式隨機存取內存 （RRAM） 和 自旋轉移矩磁阻式隨憶式內存 （STT-MRAM） 已從實驗室走向次22納米節(jié)點的試產階段，并運用3D堆疊技術實現(xiàn)高密度，以解決傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺積電、三星、美光、英特爾等業(yè)界領導者的合作下，每年超過50億美元的研發(fā)投入加速新材料與制程的成熟。 這
  • 關鍵字： AI  內存  臺積電  三星  存儲技術  

Q3報價談判啟動 內存供應鏈吃緊 報價看漲

  • 隨著第二季即將結束，多家內存原廠已展開第三季合約報價談判。 原廠持續(xù)執(zhí)行減產、并調整產品組合，市場供需變化牽動價格走勢分歧，尤以高帶寬記憶體（HBM）、LPDDR4X與DDR4等關鍵產品為觀察重點。根據(jù)TrendForce調查，2025年DRAM整體位元產出將年增約25%，但若排除HBM產品，一般型DRAM位年增幅約20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原廠成長幅度僅15%，反映產能資源向HBM傾斜。HBM成為AI服務器核心零組件，供應持續(xù)吃緊，特別是HBM3e更面臨嚴重短缺，推升報價動能。在一般型DR
  • 關鍵字： 內存  供應鏈  TrendForce  

全球晶圓廠擴張能否跟上美光 HBM 的激增？美國、日本和印度的最新時間表

  • 美光在 2025 財年第三季度的創(chuàng)紀錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動的——而且勢頭仍在繼續(xù)。這家美國內存巨頭現(xiàn)在目標是到年底占據(jù)約 25%的 HBM 市場份額，正如 ZDNet 所報道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場關注，但焦點也集中在其全球產能擴張能否跟上。以下是美光最新制造動向的簡要回顧，包括國內和海外。美國生產時間表指向2027年開始2022 年 9 月，美光公司公布了一項 150 億美元的擴張計劃，計劃在其愛達荷州博伊西總部建設一個尖端研發(fā)和半導體制造設施——這是
  • 關鍵字： 美光  HBM  內存  

英飛凌迎接新太空應用的內存市場挑戰(zhàn)

  • NewSpace 是指私營公司和初創(chuàng)公司將太空探索商業(yè)化，與傳統(tǒng)太空計劃相比，政府的監(jiān)督通常較少。在對全球連接（直接到蜂窩）的需求不斷增長的推動下，NewSpace 計劃旨在將 LEO 衛(wèi)星星座與物聯(lián)網相結合。這些任務通常依賴于較小的衛(wèi)星，從納米衛(wèi)星到 250 公斤衛(wèi)星，并且任務持續(xù)時間更短，成本更低，能夠部署大規(guī)模 LEO 星座。由于 LEO 的發(fā)射成本較低且輻射暴露較少，許多 NewSpace 應用可以從 COTS 組件中受益，這些組件無需傳統(tǒng)的軍事或航空航天認證即可提供強大的性能。Infineon
  • 關鍵字： 英飛凌  太空  內存  

微信“史詩級”更新：手機內存有救了！

  • 近日有消息稱，微信正在優(yōu)化聊天記錄備份的功能，支持U盤等多種存儲設備。對此，微信方面回應稱正在小范圍測試聊天記錄備份功能優(yōu)化。微信表示，和當前僅支持備份到電腦相比，優(yōu)化后的功能支持用戶通過手機微信，將聊天記錄備份到外部存儲設備（如U盤、移動硬盤），且可創(chuàng)建及管理多份備份文件，并支持自動備份。目前，該功能更新在持續(xù)擴大測試范圍。聊天記錄備份的具體路徑是“微信設置-通用-聊天記錄與遷移-備份與恢復”，如果你的微信在該功能的灰度測試范圍，那么就會看到現(xiàn)在備份與恢復可以選擇“備份到電腦、U盤等多種存儲設備”或“支
  • 關鍵字： 微信  內存  

內存現(xiàn)貨價格更新：DDR4供應緊張大幅漲價 DDR5 逐步啟動

  • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，現(xiàn)貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格相比 DDR5 產品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與合約市場的情況類似，現(xiàn)貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格與 DDR5 產品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產品的價格也繼續(xù)逐步上漲，因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價格在整個 2Q25
  • 關鍵字： 內存  DDR4  DDR5  

五大原廠同步減產 內存價格Q2反彈優(yōu)預期

  • 全球五大NAND Flash原廠同步實施減產，加上美中之間的新關稅政策，帶動買賣雙方在90天寬限期內加速交易與出貨，致使2025年第二季存儲器價格，出現(xiàn)優(yōu)于預期的反彈走勢。五大NAND原廠同步減產，供給面收縮，助攻內存市場行情，根據(jù)調查，全球市占前五大NAND Flash制造商，包括三星、SK海力士、美光、鎧俠與威騰，皆在2025年上半年啟動減產計劃，幅度在10%~15%，以調節(jié)供過于求的市場結構。此輪原廠同步減產，對存儲器價格止跌回升形成支撐，加上中美貿易政策變量升高，促使業(yè)者加快在政策寬限期內完成交易
  • 關鍵字： 內存  

Nvidia 推遲了顛覆性的新 SOCAMM 內存技術

  • 據(jù)稱，可靠性和供應鏈問題迫使 Nvidia 推遲 SOCAMM 開發(fā)下一代零件。據(jù)稱，Nvidia 推遲了即將推出的 SOCAMM 技術的推出，并推出了即將推出的 Blackwell 企業(yè)級 GPU。ZDNet 報道稱，SOCAMM 現(xiàn)在計劃與代號為“Rubin”的下一代 Nvidia GPU 一起推出。SOCAMM 最初應該與 GB300 一起首次亮相，GB300 是一款即將推出的 Blackwell Ultra 產品，針對工作站而不是服務器。GB300
  • 關鍵字： Nvidia  SOCAMM  內存  

三星將采用HBM4內存的混合鍵合

  • 三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術，以減少熱量并實現(xiàn)超寬內存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術，EBN 報道。高帶寬內存 （HBM） 將多個存儲器件堆疊在基礎芯片上。目前，HBM 堆棧中的內存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質量回流 （MR-MUF） 或使用非導電膜 （TC-NCF） 的熱壓縮等技術進行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內的硅通孔
  • 關鍵字： 三星  HBM4  內存  混合鍵合  

DDR3單元測試規(guī)范

  • 一、測試目的DDR3的測試分為三類：1、直流參數(shù)測試（DC Parameter Testing）：校驗工作電流、電平、功率、扇出能力、漏電流等參數(shù)特性。內存的工作電流與功耗、負載有關，工作電流過高時，將造成功耗過高，給系統(tǒng)造成的負載過大，嚴重情況下將造成系統(tǒng)無法正常工作。存儲芯片也存在漏電流，當漏電流超出閾值時可能造成系統(tǒng)無法正常工作。2、交流參數(shù)測試（AC Parameter Testing）：檢測諸如建立時間、保持時間、訪問時間等時間參數(shù)特性。3、可靠性測試（Functional Testing）：測
  • 關鍵字： 內存  DDR3  測試測量  

DDR4加速退場，DDR5成為主流

  • 三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
  • 關鍵字： DDR4  DDR5  三星  SK海力士  內存  HBM  

在鐵電RAM內存中執(zhí)行計算

  • 在一項新的 Nature Communications 研究中，研究人員開發(fā)了一種內存鐵電微分器，能夠直接在內存中執(zhí)行計算，而無需單獨的處理器。擬議的差異化因素承諾能源效率，尤其是對于智能手機、自動駕駛汽車和安全攝像頭等邊緣設備。圖像處理和運動檢測等任務的傳統(tǒng)方法涉及多步驟的能源密集型流程。這從記錄數(shù)據(jù)開始，這些數(shù)據(jù)被傳輸?shù)酱鎯卧鎯卧M一步將數(shù)據(jù)傳輸?shù)轿⒖刂破鲉卧詧?zhí)行差分作。由于差分運算是多項計算任務的基礎，研究人員利用鐵電材料的特性來制造他們的設備。Tech Xplore
  • 關鍵字： 鐵電RAM  內存  執(zhí)行計算  
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