安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯使用，以創建共源共柵（cascode）結構。在這種設置中，SiC JFET負責處理高
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SiC Combo JFET 安森美
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。“bZ5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯合開發的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業——上海海姆希科
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羅姆 SiC MOSFET 豐田 純電車型
在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯一顆MOSFET即可實現功率躍升，為工業電源、新能源系統提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯還可以降低開關能耗，改善導熱性能。考慮到熱效應對導通損耗的影響，并聯功率開關管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯， 因為參數差異會影響均流特性。本文
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意法半導體 SiC MOSFET
就在去年，「搶占 SiC，誰是電動汽車市場的贏家？」「第三代半導體，來勢洶洶」「碳化硅:滲透新能源車半壁江山 第三代半導體百億級市場拉開帷幕」……這樣的形容是 SiC 的專屬標簽，市場利好，一片光明。好景沒有一直延續下去。「消息稱 2025 年中國 SiC 芯片價格將下降高達 30%」「SiC 價格跳水, 開啟下半場戰役」……新能源車爆火，那 SiC 怎么了？核心矛盾：需求增長 VS 產能狂飆根據預測 2025 年全球 SiC 襯底產能預計達 400 萬片，需求預測僅 250 萬片。從需求側來看
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SiC
在功率半導體領域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場強度和優異的熱導率，被廣泛應用于新能源汽車、智能電網和軌道交通等高壓高頻場景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時優化導通電阻（Ron），一直是行業亟待解決的難題。近日，復旦大學研究團隊在這一領域取得重要突破。據復旦大學研究團隊透露，他們基于電荷平衡理論，通過對離子注入工藝的深度優化，成功設計并制備出正交結構和平行結構兩種布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。實驗數據顯示，這兩種新型器件在維持約2.0kV擊
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復旦大學 SiC MOSFET器件
類人機器人集成了許多子系統，包括伺服控制系統、電池管理系統 (BMS)、傳感器系統、AI 系統控制等。如果要將這些系統集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統平穩運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。類人機器人內空間受限最大的子系統是伺服控制系統。為了實現與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約40個伺服電機 (PMSM) 和控制系統。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源要求取決
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TI GaN FET 類人機器人
安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，本文將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態，那么JFET將完全導通。然而，開關模式在應用中通常需要常關狀態。因此，將SiC JFET與低電壓硅M
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SiC 共源共柵 cascode 安森美
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導體的損耗對系統整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復現性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
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ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。本文為第一部分，將介紹SiC Combo JFET 技術概覽、產品介紹等。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開
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安森美 SiC Combo JFET
根據 MoneyDJ 援引日經新聞的一份報告，電動汽車 （EV） 市場增長放緩，加上中國制造商增產導致供應過剩，導致價格下跌，據報道，這促使日本半導體巨頭瑞薩電子放棄了生產電動汽車碳化硅功率半導體的計劃。日經新聞指出，瑞薩電子最初計劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠開始生產用于電動汽車的 SiC 功率芯片。然而，該公司此后解散了高崎工廠的 SiC 團隊。日經新聞補充說，預計與中國競爭對手的價格競爭將在中長期內加劇，這使得瑞薩電子作為后來者很難從 SiC 芯片生產中快速獲利。根
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價格戰 Wolfspeed 瑞薩電子 SiC
據日本媒體《日刊工業新聞》報道，據報道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產保護。報告指出，這一發展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應協議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評估其戰略計劃。正如日刊工業新聞所說，瑞薩電子可能會受到影響，因為其與 Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預付款 10 年碳化硅晶圓供應協議。報告指出，如果 Wolfspeed 根據美國破產法第 11 章申請破產保護，瑞薩電子可能
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Wolfspeed 破產 瑞薩電子 SiC
功率半導體研究實驗室 Silicon Austria Labs （SAL） 完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗證，該模塊旨在用于電動汽車牽引逆變器和 DC-DC 轉換器。該實驗室表示，這項技術可以提高效率，同時減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅 （SiC） 功率器件的超大電流電力電子設備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設計的非接觸式、無磁芯電流傳感器。新芯片取代了當今許多電動汽車中部署的基于磁芯的電流傳
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電流傳感器 EV SiC 功率模塊
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
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東芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
中國功率芯片開發商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術專利申請排名中面臨東芝的挑戰。法國分析機構 KnowMade 的最新數據顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個新專利族。本季度的專利申請活動以東芝在 SiC 功率器件專利領域的加速發展為標志，以匹配 Global Power Technology的專利數量。這家中國公司在過去四個季度一直是排名靠前的專利申請人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結構的設計。第一季度授予了 420 多個
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東芝 SiC 專利申請 泰科天潤
在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執行官需要面臨更為嚴峻的現金危機。作為車用碳化硅行業的領導廠商，Wolfspeed近年來投入數十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備受汽車經濟低迷和關稅前景的打擊陷入持續虧損中，現在公司轉向提供AI數據中心電源以促進增長，不過該公司正在尋求第11章法規的債權保護。“作為我們貸方談判的一部分，我們可能會選擇在法庭內或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執行官的羅伯特·費爾 （Robert Feurle） 說。據報道，資產管理公
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