經(jīng)歷2024年產(chǎn)能擴(kuò)張、價(jià)格承壓的環(huán)境之后，進(jìn)入2025年，碳化硅（SiC）市場正走向價(jià)格逐漸企穩(wěn)的階段，同時(shí)也迎來AI領(lǐng)域新的發(fā)展機(jī)會。

業(yè)內(nèi)人士對21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者分析，雖然今年碳化硅襯底價(jià)格依然在下滑，但態(tài)勢已經(jīng)與2024年有所不同。而在應(yīng)用層面，除了新能源汽車依然是碳化硅當(dāng)前最大應(yīng)用市場之外，AI數(shù)據(jù)中心和AR眼鏡等新場景也在靜待爆發(fā)，有望打開行業(yè)新的成長曲線。

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逐漸筑底

從宏觀來看，碳化硅襯底領(lǐng)域公司依然面臨價(jià)格競爭帶來的階段性壓力，但相比前一年似乎已經(jīng)有所改善。

國內(nèi)碳化硅襯底頭部企業(yè)天岳先進(jìn)此前發(fā)布的三季度財(cái)報(bào)顯示，期內(nèi)公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入3.18億元，同比下降13.76%，前三個(gè)季度營收合計(jì)下降13.21%；三季度公司實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤為虧損976萬元，同比下滑123.72%，前三個(gè)季度合計(jì)下滑99.22%。

公告指出，營收下降的原因在于，為應(yīng)對激烈的市場競爭，擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品的市場應(yīng)用，爭取更高市場份額，公司戰(zhàn)略性調(diào)降了產(chǎn)品銷售價(jià)格。

凈利潤下行，則是主要受到產(chǎn)品銷售價(jià)格下降影響，營業(yè)收入及毛利減少；同時(shí)新產(chǎn)品客戶測試送樣使銷售費(fèi)用增加，大尺寸、新應(yīng)用產(chǎn)品研發(fā)投入使研發(fā)費(fèi)用增加，外匯匯率變動產(chǎn)生匯兌損益使財(cái)務(wù)費(fèi)用同比增長。

天岳先進(jìn)的表現(xiàn)也是當(dāng)前碳化硅襯底行業(yè)普遍面臨的競爭情況縮影。

回溯碳化硅襯底市場的價(jià)格波動邏輯，CIC灼識咨詢董事總經(jīng)理余怡然對21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者指出，相較于前幾年由工藝改善帶來良率提升，2024年碳化硅襯底材料降價(jià)主要是由于產(chǎn)能擴(kuò)張，襯底廠商間的競爭加劇。

“2024年的6英寸碳化硅導(dǎo)電型襯底全年降幅約達(dá)30%，部分廠商報(bào)價(jià)低于3000元每片，已經(jīng)逼近大多數(shù)廠商的成本線。今年雖然延續(xù)了去年的降價(jià)趨勢，但整體來看，比去年下降走勢放緩，降價(jià)空間有限。其中，車規(guī)級和定制化產(chǎn)品類價(jià)格依舊堅(jiān)挺，而低端和通用性應(yīng)用的襯底價(jià)格競爭會相對激烈一些。”她進(jìn)一步補(bǔ)充道。

TrendForce集邦咨詢分析師龔瑞驕也告訴21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者，6英寸碳化硅襯底價(jià)格在今年仍然有較明顯的下滑趨勢，但基本已經(jīng)觸底，預(yù)計(jì)后續(xù)價(jià)格將相對平穩(wěn)。

對于碳化硅目前的市場情緒，在12月5日的線上投資者交流活動中，天岳先進(jìn)公司高管回應(yīng)道，產(chǎn)品價(jià)格走勢受宏觀經(jīng)濟(jì)、供需關(guān)系及行業(yè)發(fā)展階段等多重因素影響。近期行業(yè)產(chǎn)能結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化，下游去庫存周期的逐步推進(jìn)，行業(yè)非理性競爭因素正在減少，價(jià)格體系將會逐步回歸理性與穩(wěn)定。

“公司感受到下游客戶采購意愿隨行業(yè)需求回暖逐步提升，功率半導(dǎo)體與碳化硅市場正呈現(xiàn)積極態(tài)勢。8英寸及12英寸產(chǎn)品作為行業(yè)主流升級方向，受益于新能源車、儲能、數(shù)據(jù)中心、先進(jìn)封裝、AR光波導(dǎo)等領(lǐng)域的需求釋放。”公司高管如此指出。

國內(nèi)除了擴(kuò)產(chǎn)6英寸碳化硅襯底之外，積極推進(jìn)向8英寸更大尺寸發(fā)展也是重要趨勢。

余怡然對記者指出，國內(nèi)8英寸襯底產(chǎn)能增速非常快，但和6英寸總量相比體量仍有限。“理論上8英寸單位面積更大，折算到單顆芯片中，長期有明顯的成本攤薄優(yōu)勢，但是目前良率、設(shè)備折舊、工藝成熟度仍有進(jìn)步空間，對于下游廠商來說暫時(shí)沒有量產(chǎn)降本的明顯效果。”

她同時(shí)提到，從6英寸切換到8英寸產(chǎn)品需要產(chǎn)品重新導(dǎo)入，存在一定周期，預(yù)計(jì)8英寸放量仍需一段時(shí)間。“從應(yīng)用上來看，新能源汽車是碳化硅功率器件最大的下游，需求穩(wěn)定增長，從6英寸切換到8英寸經(jīng)濟(jì)性優(yōu)勢明顯，有望最先成為8英寸量產(chǎn)落地的場景。”

AI新需求

不過在應(yīng)用過程中，碳化硅也有不同的價(jià)值量體現(xiàn)。

余怡然對21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者分析道，碳化硅的核心材料優(yōu)勢在于其優(yōu)異的高耐壓特性，使其在千伏以下的中低壓市場更易出現(xiàn)產(chǎn)品同質(zhì)化和價(jià)格競爭。

相比之下，電網(wǎng)、軌道交通等高壓至超高壓領(lǐng)域?qū)w質(zhì)量、器件結(jié)構(gòu)和制造工藝的要求顯著提高，技術(shù)門檻與可靠性標(biāo)準(zhǔn)遠(yuǎn)超常規(guī)功率器件，因此能夠維持更高的價(jià)值量與更穩(wěn)健的價(jià)格體系。

同時(shí)，在車規(guī)級應(yīng)用中，碳化硅模塊必須經(jīng)過長周期的可靠性驗(yàn)證與功能安全認(rèn)證，并與主機(jī)廠在平臺生命周期內(nèi)保持緊密協(xié)同。這種深度綁定特性顯著提高了供應(yīng)替代成本，使得該領(lǐng)域的競爭相對溫和、價(jià)格韌性更強(qiáng)。

此外，如火如荼發(fā)展的AI行業(yè)也正延伸出對碳化硅的應(yīng)用需求。

頭部大廠已經(jīng)表達(dá)出對碳化硅的高度興趣。英偉達(dá)今年5月在官網(wǎng)發(fā)布博文提到，從2027年開始，NVIDIA正在率先向800V HVDC（高壓直流）數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施過渡，以支持1MW及以上的IT機(jī)架。

英偉達(dá)特別提到了此舉背后的合作伙伴，芯片供應(yīng)商包括英飛凌、納微半導(dǎo)體、羅姆、意法半導(dǎo)體、德州儀器等。

英飛凌也隨之宣布，正與英偉達(dá)合作，開發(fā)基于全新架構(gòu)的前述800V高壓直流（HVDC）系統(tǒng)，英飛凌將為該系統(tǒng)提供硅、碳化硅和氮化鎵器件解決方案。

納微半導(dǎo)體也提到，英偉達(dá)的合作主要支持為其GPU供電的“Kyber”機(jī)架級系統(tǒng)，該系統(tǒng)由GaNFast和GeneSiC電源提供技術(shù)支持。

余怡然向記者分析道，全球數(shù)據(jù)中心正經(jīng)歷算力和功率密集度的爆發(fā)性增長。英飛凌最新推出的數(shù)據(jù)中心PSU廣泛采用碳化硅（SiC）功率器件，以提升能效、功率密度和系統(tǒng)可靠性。同時(shí)，英偉達(dá)宣布逐步部署800V高壓直流數(shù)據(jù)中心架構(gòu)，為SiC器件在高壓、高功率應(yīng)用中的采用提供了明確的市場驅(qū)動力。

“盡管如此，從整體市場體量來看，新能源汽車在歷經(jīng)過去幾年的發(fā)展已形成穩(wěn)定且規(guī)模可觀的市場基礎(chǔ)，并在未來3~5年內(nèi)保持SiC最大應(yīng)用領(lǐng)域；相比之下，數(shù)據(jù)中心市場雖然目前體量尚小，但由于高功率、效率驅(qū)動的采納加速，以及HVDC架構(gòu)落地帶來的系統(tǒng)升級需求，其增速將有望成為SiC應(yīng)用領(lǐng)域中最快的。”她補(bǔ)充道。

龔瑞驕也對記者指出，短期內(nèi)汽車應(yīng)用仍然是SiC市場的主要驅(qū)動力，但AI數(shù)據(jù)中心具有極高的邊際增量潛力，若未來800V HVDC電力架構(gòu)被頭部玩家廣泛采納，成長空間非常可觀。

集邦咨詢發(fā)布的《2026年十大科技市場趨勢預(yù)測》中提到，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器機(jī)柜功率從千瓦級(kW)迅速攀升至兆瓦級(MW)，供電模式正轉(zhuǎn)向800V HVDC架構(gòu)，以最大限度地提高效率和可靠性，大幅減少銅纜用量，并支持更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，第三代半導(dǎo)體SiC/GaN正是實(shí)現(xiàn)這一轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵。

該機(jī)構(gòu)分析，SiC主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的前端、中端環(huán)節(jié)，負(fù)責(zé)處理最高電壓和最大功率的轉(zhuǎn)換操作。盡管目前SiC功率半導(dǎo)體在最高電壓額定值方面仍落后于傳統(tǒng)Si（硅基），但其具備卓越的熱性能和開關(guān)特性，對于下一代的固態(tài)變壓器(SST)技術(shù)至關(guān)重要。

對于AI服務(wù)器領(lǐng)域的機(jī)會進(jìn)展，天岳先進(jìn)在業(yè)績會上提到，“我們的襯底產(chǎn)品最終可應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心等終端領(lǐng)域，并已推出相關(guān)定制化產(chǎn)品，可為未來潛在需求提供技術(shù)支撐。”

2025年碳化硅行業(yè)正站在“價(jià)格觸底”與“AI增量”的交叉時(shí)點(diǎn)：短期看，6英寸襯底價(jià)格逐步企穩(wěn)，為行業(yè)復(fù)蘇奠定基礎(chǔ)，車規(guī)級產(chǎn)品仍是“利潤錨點(diǎn)”；長期看，AI數(shù)據(jù)中心與AR眼鏡將有望成為行業(yè)增長的“第二引擎”。