12月16日，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）在發(fā)布《年終總半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測(cè)報(bào)告》。報(bào)告顯示，2025年全球原始設(shè)備制造商（OEM）的半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷售額預(yù)計(jì)達(dá)1330億美元，同比增長13.7%，創(chuàng)歷史新高；2026年、2027年有望繼續(xù)攀升至1450億和1560億美元。增長主要由人工智能相關(guān)投資拉動(dòng)，涵蓋先進(jìn)邏輯、存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝技術(shù)。

　　SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售勢(shì)頭強(qiáng)勁，前道與后道設(shè)備均有望連續(xù)三年增長，2027年總銷售額將首次突破1500億美元。自年中預(yù)測(cè)以來，AI需求帶動(dòng)的投資力度超預(yù)期，因此我們上調(diào)了所有細(xì)分市場(chǎng)的展望。”

　　從半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（按細(xì)分市場(chǎng)劃分）來看，數(shù)據(jù)顯示，晶圓廠設(shè)備（WFE）領(lǐng)域（含晶圓加工、晶圓廠設(shè)施和掩膜/掩模版設(shè)備）2024年創(chuàng)1040億美元紀(jì)錄后，預(yù)計(jì)2025年增長11.0%至1157億美元（此前年中預(yù)測(cè)為1108億美元），主要因DRAM及HBM投資強(qiáng)于預(yù)期；中國持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)。

　　同時(shí)，后端設(shè)備領(lǐng)域延續(xù)2024年開始的強(qiáng)勁復(fù)蘇。2025年半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)激增48.1%至112億美元，封裝設(shè)備銷售額增長19.6%至64億美元。2026年、2027年測(cè)試設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)繼續(xù)增長12.0%和7.1%，封裝設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)增長9.2%和6.9%。驅(qū)動(dòng)力來自器件架構(gòu)復(fù)雜度提升、先進(jìn)/異構(gòu)封裝加速滲透，以及AI與HBM對(duì)性能的嚴(yán)苛要求；部分抵消因素為消費(fèi)、汽車與工業(yè)需求持續(xù)疲軟。

　　從WFE銷售額（按應(yīng)用劃分）來看，用于Foundry和Logic應(yīng)用的WFE銷售額2025年預(yù)計(jì)同比增9.8%至666億美元，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)投資保持韌性；預(yù)計(jì)2026年、2027年再增5.5%和6.9%，達(dá)752億美元。芯片制造商持續(xù)為AI加速器、高性能計(jì)算及高端移動(dòng)處理器擴(kuò)產(chǎn)，行業(yè)將邁向2 nm環(huán)繞柵（GAA）節(jié)點(diǎn)的大規(guī)模量產(chǎn)。

　　報(bào)告指出，用于Foundry和Logic應(yīng)用的WFE銷售額2025年預(yù)計(jì)同比增9.8%至666億美元，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)投資保持韌性；預(yù)計(jì)2026、2027年再增5.5%和6.9%，達(dá)752億美元。芯片制造商持續(xù)為AI加速器、高性能計(jì)算及高端移動(dòng)處理器擴(kuò)產(chǎn)，行業(yè)將邁向2nm環(huán)繞柵（GAA）節(jié)點(diǎn)的大規(guī)模量產(chǎn)。

　　分區(qū)域來看，SEMI預(yù)計(jì)至2027年，中國大陸、中國臺(tái)灣和韓國仍將位居設(shè)備支出前三甲。中國大陸有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)保持首位，盡管增速放緩、銷售額自2026年起逐步回落，本土芯片制造商仍在成熟制程及部分先進(jìn)節(jié)點(diǎn)持續(xù)投入；中國臺(tái)灣地區(qū)2025年支出強(qiáng)勁，主要受益于面向AI與高性能運(yùn)算的大規(guī)模尖端產(chǎn)能建設(shè)；韓國則憑借對(duì)HBM等先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的大量投資，維持設(shè)備支出高位。

　　“在政府激勵(lì)、區(qū)域化布局及特色產(chǎn)能擴(kuò)張的推動(dòng)下，報(bào)告涵蓋的其他地區(qū)在2026年與2027年的設(shè)備支出亦將全面增長。”SEMI稱。