無(wú)論芯片設(shè)計(jì)師和架構(gòu)師采用何種工藝技術(shù)或目標(biāo)市場(chǎng)，電壓和功率完整性正變得越來(lái)越關(guān)鍵和具有挑戰(zhàn)性。

各種特征不均地爭(zhēng)奪電流，增加了工程師們需要理清的約束和可能的交互，以確保可靠性。這些問(wèn)題包括電壓轉(zhuǎn)換挑戰(zhàn)、不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)中低壓與高壓特性的混合，以及因工作負(fù)載和使用情況而變化的熱量管理。一般來(lái)說(shuō)，晶體管越多，對(duì)電流的需求越大。問(wèn)題在于需求不穩(wěn)定，可能導(dǎo)致電壓下降和電源完整性問(wèn)題，因?yàn)镾oC或多芯片組件中的多個(gè)設(shè)備試圖同時(shí)抽取電流。更高的電流需求可能導(dǎo)致導(dǎo)線和器件失效，而現(xiàn)代芯片晶體管數(shù)量增加和更高工作頻率的加劇了這種情況。

矛盾也在不斷增加。在像AI機(jī)架這樣的系統(tǒng)中，電壓從12V提升到48V，以在不增加電流的情況下提供更多功率。然而，將48伏轉(zhuǎn)換為半導(dǎo)體元件使用的低電壓具有挑戰(zhàn)性，可能導(dǎo)致功率損失。人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、高性能計(jì)算和汽車等應(yīng)用需要設(shè)備在較低電壓下運(yùn)行，以降低功耗并管理熱量。這種低壓作提高了對(duì)工藝變化的敏感度，縮小了噪聲裕度，并引入了更大的時(shí)序不確定性。隨著技術(shù)擴(kuò)展到7納米及以下，電壓和功率完整性相關(guān)的挑戰(zhàn)變得更加突出。較低電壓和更小的幾何形狀增加了制造差異的影響，使得準(zhǔn)確建模和預(yù)測(cè)設(shè)備行為變得更加困難。更多設(shè)備的集成以及采用2.5D和3D系統(tǒng)等先進(jìn)封裝技術(shù)，提升了燙的芯片負(fù)載，需要高效燙的管理層確保運(yùn)營(yíng)的可靠性。

所有這些因素都需要事先理解。據(jù)Synopsys邏輯庫(kù)IP和IO IP產(chǎn)品線產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān)Josefina Hobbs介紹，隨著應(yīng)用在不犧牲性能或可靠性的前提下，要求不斷降低的功耗，電壓設(shè)計(jì)壓力正在加劇。

受電壓?jiǎn)栴}影響的應(yīng)用領(lǐng)域包括：

• 人工智能與物聯(lián)網(wǎng)：設(shè)備需要極高的能效以延長(zhǎng)電池壽命，通常在非常低的電壓（0.4伏及以下）下運(yùn)行。人工智能處理器，尤其是用于邊緣和可穿戴設(shè)備的，必須支持本地、低功耗計(jì)算和頻繁的內(nèi)存訪問(wèn)。

• 高性能計(jì)算：高性能計(jì)算系統(tǒng)面臨顯著壓力，需降低熱能和能源成本。降低服務(wù)器集群的電壓有助于管理功耗和冷卻需求。

• 汽車：電動(dòng)汽車需要最大化續(xù)航和可靠性，因此低壓運(yùn)行至關(guān)重要。信息娛樂(lè)系統(tǒng)和傳感器陣列等功能必須以極低的功耗提供高性能。

• 加密：加密SoC運(yùn)行大量并行工作負(fù)載且活動(dòng)率高，使得能效對(duì)于數(shù)據(jù)挖掘業(yè)務(wù)的盈利至關(guān)重要。

這些市場(chǎng)細(xì)分對(duì)電壓和電力完整性帶來(lái)的挑戰(zhàn)尤為敏感，因?yàn)樗鼈冃枰咝阅芎湍苄?lái)滿足其具體需求。

西門子EDA數(shù)字設(shè)計(jì)平臺(tái)分析高級(jí)產(chǎn)品管理總監(jiān)Joseph Davis表示：“芯片設(shè)計(jì)的大部分工作都關(guān)乎獲得合適的功能和時(shí)機(jī)，但在很多過(guò)程中，設(shè)計(jì)師們假設(shè)可以從引腳到器件再到門極之間獲得完美的電壓?！薄暗詈?，他們做了真正的分析，說(shuō)，'等等，我把這些東西都放到芯片上了。這些東西都在試圖同時(shí)抓取電流，從而產(chǎn)生電壓降。我能獲得足夠的電力讓它按預(yù)期工作嗎？”電源完整性工具在說(shuō)，'我能給這些設(shè)備提供足夠的電力，讓它們?cè)诖皯魞?nèi)按我預(yù)期的方式工作嗎？'”

這些日益復(fù)雜的問(wèn)題給芯片設(shè)計(jì)的各個(gè)方面帶來(lái)了巨大壓力，因此在開發(fā)過(guò)程中及早期解決電壓和電力完整性問(wèn)題變得愈發(fā)重要。隨著設(shè)計(jì)師們面對(duì)這些現(xiàn)實(shí)，討論轉(zhuǎn)向這些因素如何影響長(zhǎng)期器件可靠性以及現(xiàn)實(shí)半導(dǎo)體系統(tǒng)中面臨的實(shí)際挑戰(zhàn)。

“如果我電流過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致線路斷裂還是設(shè)備故障？情況越來(lái)越糟，因?yàn)槲覀冏龅酶?，拉更多電流，在更高的頻率下工作，“戴維斯說(shuō)?！拔覀兯龅氖虑橐?guī)模、你塞進(jìn)去的晶體管數(shù)量，以及這些設(shè)備越來(lái)越大，[讓這更具挑戰(zhàn)性]。你看看NVIDIA芯片上的晶體管數(shù)量、門數(shù)，它就不再是芯片了。它是一個(gè)芯片組件。對(duì)于最大的骰子來(lái)說(shuō)，它們已經(jīng)不再只是一個(gè)骰子了。它們是系統(tǒng)。它是一個(gè)2.5D或3D系統(tǒng)，而不是單個(gè)芯片。這意味著最大的問(wèn)題就是規(guī)模。問(wèn)題是一樣的，只是因?yàn)閱?wèn)題更多，問(wèn)題更大。”

一個(gè)有趣的問(wèn)題是，一些系統(tǒng)，比如AI機(jī)架，是從12V電壓轉(zhuǎn)換到48V到服務(wù)器機(jī)箱，然后再轉(zhuǎn)換為5V、1V或更低的半導(dǎo)體元件。

“從12V升級(jí)到48V是為了在不增加電流的情況下提供更多電力，從而允許使用現(xiàn)有的線路，”Rambus的著名發(fā)明家Steve Woo表示?！叭欢?，從高48伏轉(zhuǎn)換為半導(dǎo)體元件使用的較低電壓更具挑戰(zhàn)性，因?yàn)檗D(zhuǎn)換過(guò)程中存在一些損耗。而且從48伏這樣的高電壓轉(zhuǎn)換到半導(dǎo)體元件使用的標(biāo)準(zhǔn)電壓也很棘手。因此，一個(gè)挑戰(zhàn)是實(shí)現(xiàn)高效的轉(zhuǎn)換，可以使用新的電源管理組件來(lái)提高轉(zhuǎn)換效率，并使其轉(zhuǎn)換更靠近消耗電力的設(shè)備，從而保持轉(zhuǎn)換功率的質(zhì)量?！?/p>

這些問(wèn)題在知識(shí)產(chǎn)權(quán)設(shè)計(jì)上相似但又不同。Synopsys的Hobbs指出：“特別是對(duì)于基礎(chǔ)IP嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)，工程師面臨一系列日益復(fù)雜的挑戰(zhàn)?！薄霸?.5伏或以下運(yùn)行存儲(chǔ)單元會(huì)帶來(lái)可靠性問(wèn)題，因?yàn)楣に囎兓屠匣?yīng)會(huì)降低讀寫穩(wěn)定性。對(duì)于邏輯庫(kù)，深度低壓作提高了對(duì)片上變化的敏感度，縮小了噪聲裕度，并引入更大的時(shí)序不確定性，從而使表征和驗(yàn)證更加復(fù)雜?！?/p>

在單一SoC中跨多個(gè)功率域的集成，尤其是在多軌架構(gòu)中，進(jìn)一步增加了設(shè)計(jì)和測(cè)試的復(fù)雜性。霍布斯表示：“向7nm及以下先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的轉(zhuǎn)變加劇了這些挑戰(zhàn)，晶體管變異性更大，低電壓對(duì)整體性能和良率的影響更為顯著?！薄斑@些挑戰(zhàn)在高性能、超低功耗應(yīng)用中尤為關(guān)鍵，如移動(dòng)人工智能、汽車安全和大規(guī)模高性能計(jì)算。解決這些問(wèn)題是實(shí)現(xiàn)高效可靠下一代解決方案的關(guān)鍵。”

電壓相關(guān)的挑戰(zhàn)也延伸到基礎(chǔ)IP嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)IP設(shè)計(jì)，使其建模變得越來(lái)越困難，尤其是隨著技術(shù)向更低電壓和更小幾何尺寸的擴(kuò)展。

她說(shuō)：“在較低電壓和更小的幾何結(jié)構(gòu)下，制造差異對(duì)器件行為的影響更大，導(dǎo)致非線性和不對(duì)稱的統(tǒng)計(jì)分布?！薄捌浯危妷航档蜁?huì)削弱信號(hào)強(qiáng)度，使得設(shè)置和保持時(shí)間的違規(guī)更為微妙，也更難準(zhǔn)確建模。第三，諸如老化導(dǎo)致的內(nèi)存寫入失敗等效應(yīng)可能僅在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后出現(xiàn)，需要復(fù)雜的長(zhǎng)期模擬。第四，隨著設(shè)計(jì)集成更多不同電壓下的領(lǐng)域，細(xì)微相互作用和極端失效的可能性增加——但在測(cè)試中預(yù)測(cè)變得更加困難?！?/p>

驗(yàn)證問(wèn)題
這些日益復(fù)雜的電壓管理和工藝變異為現(xiàn)代系統(tǒng)中更嚴(yán)峻的驗(yàn)證挑戰(zhàn)奠定了基礎(chǔ)。隨著設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)面臨確保在多種工作條件下可靠性的壓力日益加劇，數(shù)字與模擬驗(yàn)證之間的相互作用愈發(fā)明顯，尤其是在涉及動(dòng)態(tài)負(fù)載和多域電力架構(gòu)時(shí)。

“尤其是在負(fù)載條件完全不同的系統(tǒng)中，驗(yàn)證所有這些不同狀態(tài)和情況非常困難，”弗勞恩霍夫IIS自適應(yīng)系統(tǒng)工程部高效電子部門負(fù)責(zé)人、先進(jìn)系統(tǒng)集成組負(fù)責(zé)人安迪·海尼格指出。“比如說(shuō)，如果你有一個(gè)多核系統(tǒng)，只有四個(gè)核心，情況會(huì)非常多。一臺(tái)可以開10%，其他開機(jī)時(shí)開一臺(tái)，它就開90%。這些動(dòng)態(tài)負(fù)載讓人很難理解你需要的覆蓋范圍。”

這在混合信號(hào)設(shè)計(jì)中尤其成問(wèn)題?！斑@里常常出現(xiàn)的大問(wèn)題是數(shù)字驗(yàn)證工具與模擬的結(jié)合，因?yàn)檫@種動(dòng)態(tài)行為始終是模擬行為，而將驗(yàn)證方法結(jié)合起來(lái)非常困難。如果我們想和包裹一起核對(duì)，通常看起來(lái)它沒(méi)有完全驗(yàn)證和驗(yàn)證，或者沒(méi)有像我們會(huì)做的那樣充分驗(yàn)證和確認(rèn)。因此，對(duì)數(shù)字對(duì)象本身及其功能進(jìn)行了大量驗(yàn)證。我們相信未來(lái)會(huì)遇到更多問(wèn)題，因?yàn)殡妷赫{(diào)節(jié)器通過(guò)封裝傳遞到晶體管的功率不確定性。”

在高級(jí)封裝和大型SoC中，這也存在問(wèn)題?！澳憬?jīng)常會(huì)看到英偉達(dá)在功率傳輸方面遇到困難，”海尼格說(shuō)。“過(guò)去AMD和英特爾的一些工藝也在功率輸出方面遇到了困難。英特爾甚至撤回了一些處理器。圍繞此事有很多討論，但最終并不完全清楚這是否真的是電源輸出的問(wèn)題。他們提出了一些軟件修復(fù)方案。雖然仍有問(wèn)題存在，也有失敗，但具體原因尚不清楚。我們預(yù)計(jì)部分問(wèn)題來(lái)自電力傳輸網(wǎng)絡(luò)?！?/p>

選擇有限
仔細(xì)觀察電壓調(diào)節(jié)趨勢(shì)會(huì)發(fā)現(xiàn)更多細(xì)致 入微挑戰(zhàn)。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷縮小，關(guān)于電壓能降低到多遠(yuǎn)以及對(duì)可靠性的影響，對(duì)工藝工程師和知識(shí)產(chǎn)權(quán)設(shè)計(jì)師來(lái)說(shuō)變得越來(lái)越緊迫。

“降低電壓很難，因?yàn)槲覀冊(cè)絹?lái)越接近閾值電壓了，”Rambus的Woo解釋道?！肮に嚬こ處熤铝τ谠诿總€(gè)新工藝節(jié)點(diǎn)提供不同類型的晶體管，以平衡晶體管的性能和功耗。隨著工藝幾何結(jié)構(gòu)的推進(jìn)，這變得更具挑戰(zhàn)性。芯片設(shè)計(jì)師依賴工藝技術(shù)中提供的晶體管，并利用這些構(gòu)建模塊組裝芯片?！?/p>

從IP設(shè)計(jì)角度看，3納米和2納米的進(jìn)一步電壓標(biāo)控更為復(fù)雜，因?yàn)楣ぷ麟妷航咏w管閾值，存在可靠性和性能風(fēng)險(xiǎn)?！耙虼?，我們專注于在知識(shí)產(chǎn)權(quán)架構(gòu)、先進(jìn)輔助技術(shù)和復(fù)雜的特性分析方法上創(chuàng)新，以應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，”Synopsys的Hobbs表示。“除了實(shí)施先進(jìn)的電壓分級(jí)外，還必須考慮共同優(yōu)化IP設(shè)計(jì)，實(shí)施穩(wěn)健的輔助方案，并利用先進(jìn)建模技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的能效和可靠性?！?/p>

這些電壓和可靠性問(wèn)題與芯片設(shè)計(jì)的物理現(xiàn)實(shí)緊密相連，尤其是在器件尺寸逐漸縮小到越來(lái)越小的情況下。隨著討論從理論層面的電壓調(diào)節(jié)和功率域集成轉(zhuǎn)向，必須考慮寄生效應(yīng)、線路延遲以及對(duì)信號(hào)時(shí)序和功率完整性的具體影響。

“電阻升高，電容升高，這使得器件間的寄生效應(yīng)更加重要，”西門子EDA的戴維斯說(shuō)?！岸疫@會(huì)影響設(shè)備之間的延遲。我們一直都有同樣的問(wèn)題，但情況會(huì)更糟。然后，當(dāng)你推動(dòng)邊際時(shí)，幾十年前我們常談?wù)摰年P(guān)鍵路徑。關(guān)鍵路徑有哪些？如果你只有幾個(gè)關(guān)鍵路徑，你會(huì)浪費(fèi)面積，所以你要盡可能多地把網(wǎng)子推到臨界點(diǎn)，或者盡可能接近臨界點(diǎn)，這樣你才能最高效地利用你的區(qū)域和性能。結(jié)果是一切都處于邊緣，利潤(rùn)率大幅降低。因此，你的近似必須更精確，誤差范圍會(huì)降低，而隨著技術(shù)的推移，這個(gè)問(wèn)題只會(huì)變得更難，誤差范圍也會(huì)降低。這意味著你需要更好的建模，你必須運(yùn)行更多場(chǎng)景，也必須更加小心。”

隨著這些物理和架構(gòu)限制不斷加劇，追求精確建模和高效驗(yàn)證變得更加重要。這一挑戰(zhàn)的匯聚凸顯了在功率完整性分析中，在精度與實(shí)用性之間取得適當(dāng)平衡的重要性，尤其是在設(shè)計(jì)者應(yīng)對(duì)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)固有的縮小余量時(shí)。

戴維斯說(shuō)：“電力完整性其實(shí)就是規(guī)模和近似——足夠準(zhǔn)確?！薄白稣_的事，你永遠(yuǎn)做不到。你會(huì)做完整的提取，運(yùn)行SPICE模擬，然后幾年后再回來(lái)。電力完整性作為市場(chǎng)細(xì)分存在的原因在于，在任何大型電路上都不可能做到。所以你有寄生效應(yīng)的近似值，也有器件作的近似值。你擁有所有這些，然后還有電路工作的近似值。這些近似的準(zhǔn)確性非常重要，隨著近似的深入，你需要模擬更多效應(yīng)，才能在同一個(gè)環(huán)境下實(shí)現(xiàn)近似。此外，作為降低邊距的部分，你現(xiàn)在會(huì)獲得故障能力，而之前你可以忽略它。那時(shí)信號(hào)要么一起到達(dá)，導(dǎo)致你非常不想要的同時(shí)切換，要么稍微延遲到達(dá)，開始切換?！?/p>

新方法
在建模需求不斷增加和設(shè)計(jì)利潤(rùn)率縮小的背景下，工程師們正在探索新的策略，以在現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中解決電力完整性和可靠性問(wèn)題。一種日益受到關(guān)注的方法是采用更細(xì)致的電壓管理技術(shù)，這為先進(jìn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)了機(jī)遇和權(quán)衡。

但Rambus的吳強(qiáng)調(diào)這是權(quán)衡?！案叩碾妷核娇梢愿玫馗鶕?jù)電路需求調(diào)整電壓，”他說(shuō)?！暗到y(tǒng)或芯片必須產(chǎn)生更寬的電壓范圍，這會(huì)增加成本和復(fù)雜性?！?/p>

主動(dòng)電源管理，即芯片內(nèi)配備傳感器以測(cè)量電壓降并修正時(shí)鐘或其他影響功耗和紅外降的途徑，是另一種選擇。戴維斯稱這“絕對(duì)可行且有用的工具。這是一種你可以說(shuō)，'我不可能一開始就知道所有事情。因此，我會(huì)在現(xiàn)實(shí)生活中動(dòng)態(tài)調(diào)整它。”這在行業(yè)中已經(jīng)有一段時(shí)間了，近幾年也有一些創(chuàng)新。從某種意義上說(shuō)，它是你的保險(xiǎn)。但你可以把它比保險(xiǎn)更進(jìn)一步地做主動(dòng)管理。我能降低利潤(rùn)率，因?yàn)槲夷苤鲃?dòng)管理。這是一種更穩(wěn)健、稍微優(yōu)化邊際的方法。這些傳感器和實(shí)際實(shí)現(xiàn)的控制系統(tǒng)占用了空間，但如果你能隨著時(shí)間實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和性能目標(biāo)，那對(duì)長(zhǎng)期和關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用來(lái)說(shuō)是巨大的勝利。我們?cè)诟咝阅苡?jì)算、人工智能等領(lǐng)域看到很多類似現(xiàn)象。”

鑒于這些主動(dòng)管理策略以及流程技術(shù)和驗(yàn)證方法的持續(xù)演進(jìn)，架構(gòu)師和SoC設(shè)計(jì)師應(yīng)如何實(shí)際將這些洞見整合到設(shè)計(jì)流程中？

Synopsys的Hobbs表示：“實(shí)現(xiàn)可靠的低壓設(shè)計(jì)核心在于一個(gè)全面、多層次的戰(zhàn)略?！薄跋冗M(jìn)的表征和驗(yàn)證技術(shù)，包括基于機(jī)器學(xué)習(xí)的LVF、基于矩的建模和高σ蒙特卡洛模擬，對(duì)于準(zhǔn)確捕捉工藝變化和時(shí)序行為至關(guān)重要。設(shè)計(jì)架構(gòu)師應(yīng)利用協(xié)同優(yōu)化的知識(shí)產(chǎn)權(quán)、設(shè)計(jì)流程和EDA工具，以應(yīng)對(duì)變異性并確?？煽啃?。實(shí)施諸如高級(jí)讀寫方案、功率門控和動(dòng)態(tài)電壓與頻率縮放（DVFS）等輔助技術(shù)，有助于在保持可靠性的同時(shí)管理功率。對(duì)于具有激進(jìn)電壓或性能目標(biāo)的應(yīng)用，可能需要與IP提供商合作開發(fā)定制的內(nèi)存架構(gòu)和邏輯單元。此外，設(shè)計(jì)魯棒性，包括額外的時(shí)序余裕、軌間脈沖檢查和時(shí)鐘偏移建議，是關(guān)鍵。持續(xù)的創(chuàng)新和團(tuán)隊(duì)合作是低壓解決方案成功的關(guān)鍵?！?/p>

同樣，任何芯片設(shè)計(jì)的一部分都需要理解工藝規(guī)則及其對(duì)性能、功耗和面積的影響?！霸O(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)會(huì)研究工藝規(guī)則的影響，并在芯片設(shè)計(jì)中加以考慮，”Rambus的Woo說(shuō)。

此外，為了緩解設(shè)計(jì)過(guò)程中早期提到的一些問(wèn)題，可以進(jìn)行更多的仿真和驗(yàn)證。但弗勞恩霍夫的海尼格表示，他不確定這是否被視為一個(gè)大問(wèn)題。“人們花費(fèi)大量時(shí)間和金錢驗(yàn)證功能，邏輯確實(shí)完成了它必須做的事情。有時(shí)候真的很難理解為什么公司對(duì)電力傳輸網(wǎng)絡(luò)做得這么少。此外，我們看到汽車行業(yè)的產(chǎn)品，公司在功能安全上投入大量時(shí)間，也看到他們?nèi)绾卧O(shè)計(jì)封裝上的電力傳輸網(wǎng)絡(luò)。它從未關(guān)注功能安全方面，以及他們對(duì)處理器本身所做的工作。”

結(jié)論
面對(duì)這些多方面的挑戰(zhàn)以及不斷演變的設(shè)計(jì)方法，建筑師和設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)今天可以采取哪些實(shí)際步驟，以主動(dòng)管理電壓?jiǎn)栴}，避免項(xiàng)目中的高昂風(fēng)險(xiǎn)？

這個(gè)問(wèn)題不容易回答，因?yàn)樗且粋€(gè)設(shè)計(jì)問(wèn)題，沒(méi)有單一工具能解決所有這些問(wèn)題。西門子的戴維斯說(shuō)：“這比單純使用工具更復(fù)雜，因?yàn)樗且环N方法論，目前還沒(méi)有為所有這些作品設(shè)計(jì)出完美的模型。”“大家都在努力。它發(fā)展得非?？?，工具也在快速發(fā)展。但歸根結(jié)底，現(xiàn)在這真的取決于周密的規(guī)劃、精心劃分和真正的工程工作?！?/p>

最后一個(gè)考慮是，這些挑戰(zhàn)不僅僅發(fā)生在最先進(jìn)的技術(shù)上。戴維斯說(shuō)：“你開始看到，尤其是在2.5D和3D技術(shù)下，先進(jìn)技術(shù)與更成熟的傳感器技術(shù)的混合，涵蓋了各種不同部件，這些部件被組裝成這些更復(fù)雜的系統(tǒng)?！薄凹词故浅墒旒夹g(shù)，如今圖像傳感器和其他類型的傳感器也在發(fā)生很多變化。紅外傳感器、無(wú)線電傳感器、激光雷達(dá)傳感器和視覺傳感器并不全是汽車領(lǐng)域的。其中一些應(yīng)用涉及智能城市等自動(dòng)化應(yīng)用，以及各種不同的領(lǐng)域。他們正在安裝圖像傳感器。他們把芯片模具粘合在一起，讓它們能協(xié)同工作。這意味著你現(xiàn)在會(huì)遇到所有這些堆疊問(wèn)題，而這些問(wèn)題可能發(fā)生在90納米或180納米技術(shù)上，而不是2納米。前沿行業(yè)面臨的許多挑戰(zhàn)也推動(dòng)著更成熟的技術(shù)。所以別以為只是矛頭的尖頭。”

從根本上說(shuō)，對(duì)于電源完整性問(wèn)題，芯片是否能通過(guò)的絕對(duì)確定性取決于電路設(shè)計(jì)、其使用方式以及設(shè)計(jì)的實(shí)施地點(diǎn)和方式。戴維斯補(bǔ)充道：“要完全預(yù)測(cè)你的芯片是否能通過(guò)，你需要知道所有可能的真實(shí)組合，并且確保它能為所有設(shè)備提供足夠的電流和電壓。”“這不是解決不了的問(wèn)題。只能近似?！?/p>