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中國(guó)臺(tái)灣40%的半導(dǎo)體產(chǎn)能或?qū)⑥D(zhuǎn)移到美國(guó)

作者: 時(shí)間:2026-01-20 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

美國(guó)政府正式宣布將中國(guó)臺(tái)灣對(duì)美出口稅率降至15%,相比之前的約20%稅率進(jìn)一步降低,但是包括臺(tái)積電在內(nèi)的臺(tái)灣與科技企業(yè)需要至少對(duì)美國(guó)直接投資2500億美元,中國(guó)臺(tái)灣省還要提供2500億美元信用保證支持,以支持臺(tái)企對(duì)美國(guó)的投資。

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中國(guó)臺(tái)灣省經(jīng)貿(mào)工作小組代表鄭麗君表示,由于中國(guó)臺(tái)灣是美國(guó)第六大貿(mào)易逆差地區(qū),逆差中有高達(dá)90%來(lái)自、信息通信產(chǎn)品、電子零組件等,涉及美方232條款調(diào)查,因此中國(guó)臺(tái)灣在談判中聚焦對(duì)等并同232與美國(guó)貿(mào)易代表署及商務(wù)部進(jìn)行多輪磋商。

這其中就包括,在中國(guó)臺(tái)灣業(yè)者自主投資規(guī)劃下,同意以兩類(lèi)性質(zhì)不同的資本承諾投資美國(guó):第一類(lèi)為中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)自主投資2500億美元,包含投資、AI應(yīng)用等電子制造服務(wù)(EMS)、能源及其他產(chǎn)業(yè)等;第二類(lèi)為中國(guó)臺(tái)灣政府以信用保證方式支持金融機(jī)構(gòu)提供最高2500億美元之企業(yè)授信額度,投資領(lǐng)域包含半導(dǎo)體及ICT供應(yīng)鏈等。

美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)霍華德·盧特尼克(Howard Lutnick)進(jìn)一步指出,在特朗普總統(tǒng)任內(nèi),目標(biāo)是將中國(guó)臺(tái)灣整個(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈產(chǎn)能的40%轉(zhuǎn)移至美國(guó)。而早在2025年9月,盧特尼克就提到,他將持續(xù)對(duì)中國(guó)臺(tái)灣游說(shuō)芯片制造“五五分”的構(gòu)想,也就是美國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣各生產(chǎn)一半。

臺(tái)積電繼續(xù)加碼投資

臺(tái)積電公布2026年資本支出計(jì)劃最高將達(dá)560億美元,較2025年實(shí)際支出409億美元大幅增長(zhǎng)37%,創(chuàng)下該公司歷史新高。顯然,巨額資本支出的一大部分可能將投向美國(guó)。在此之前,盧特尼克曾透露,臺(tái)積電在美國(guó)的投資將超過(guò)2000億美元,而之前已經(jīng)宣布的投資則是1650億美元,計(jì)劃在亞利桑那州擴(kuò)展為獨(dú)立的超大晶圓廠聚落 —— 建置6座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝廠及1間研發(fā)中心。

臺(tái)積電在亞利桑那州已購(gòu)入第二塊900英畝土地,這也正是與中國(guó)臺(tái)灣協(xié)議的一部分。臺(tái)積電第一塊土地約1100英畝,僅靠此地不足以支撐全部規(guī)劃,原計(jì)劃中的一些設(shè)施將改建在這第二塊土地上,其余部分“用于未來(lái)的靈活性”。

目前,臺(tái)積電已加速美國(guó)亞利桑那州晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃,并順利執(zhí)行了相關(guān)計(jì)劃,首座晶圓廠已于2024年第四季成功進(jìn)入高量產(chǎn)階段;第二座晶圓廠建造已完成,設(shè)備搬遷與安裝計(jì)劃于2026年進(jìn)行。為應(yīng)對(duì)客戶強(qiáng)勁需求,加速提前生產(chǎn),預(yù)計(jì)將于2027年下半年進(jìn)入高量產(chǎn)階段;至于第三座晶圓廠已開(kāi)工建造,臺(tái)積電也正申請(qǐng)第四座晶圓廠及首座先進(jìn)封裝廠的建造許可。

至于中國(guó)臺(tái)灣為何愿意對(duì)美國(guó)做出如此巨大的投資承諾,盧特尼克表示,中國(guó)臺(tái)灣希望維持與美國(guó)非常正面的關(guān)系。他也重申半導(dǎo)體產(chǎn)能關(guān)乎美國(guó)的安全,美國(guó)需要在本土生產(chǎn)半導(dǎo)體,不能依賴一個(gè)距離美國(guó)9000英里的地區(qū)來(lái)提供對(duì)美國(guó)國(guó)家安全至關(guān)重要的產(chǎn)品。

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在關(guān)稅優(yōu)惠背景下,臺(tái)積電首席財(cái)務(wù)官黃仁昭強(qiáng)調(diào),“即便臺(tái)積電產(chǎn)能加速移轉(zhuǎn),最尖端技術(shù)從中國(guó)臺(tái)灣移往海外量產(chǎn)仍需至少一年以上時(shí)間”。在先進(jìn)工藝產(chǎn)能分配上(以先進(jìn)工藝5nm以下估算),預(yù)計(jì)至2030年,臺(tái)灣先進(jìn)工藝產(chǎn)能占比仍達(dá)約85%,美國(guó)約15%,顯示臺(tái)灣仍是主導(dǎo)地位,美國(guó)則為AI應(yīng)用的重要國(guó)家。

推動(dòng)存儲(chǔ)芯片制造商在美投資

在與中國(guó)臺(tái)灣達(dá)成關(guān)稅協(xié)議之后,盧特尼克在總投資1000億美元的美光紐約州巨型晶圓廠奠基儀式上表示,與中國(guó)臺(tái)灣的貿(mào)易協(xié)議中的半導(dǎo)體關(guān)稅也可能影響韓國(guó)芯片制造商,警告稱包括存儲(chǔ)芯片制造商如果不在美國(guó)投資,可能面臨100%半導(dǎo)體關(guān)稅,“任何想制造存儲(chǔ)芯片的廠商(想要進(jìn)入美國(guó)市場(chǎng))都有兩個(gè)選擇:要么支付100%的關(guān)稅,要么在美國(guó)建廠制造”。

雖然盧特尼克沒(méi)有點(diǎn)名任何具體公司,但外界認(rèn)為這主要是針對(duì)韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣,因?yàn)樗鼈兪侨蜃钪饕陌雽?dǎo)體地,特別是韓國(guó)的三星電子和SK海力士這兩個(gè)全球最大的存儲(chǔ)芯片廠商。

韓國(guó)是全球最大的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)國(guó),三星和SK海力士占據(jù)了全球超過(guò)60%的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng),雖然美國(guó)存儲(chǔ)芯片大美光也有一定的市場(chǎng)份額,但是美光的主要產(chǎn)能也集中于美國(guó)本土之外。可以說(shuō),美國(guó)對(duì)于存儲(chǔ)芯片的絕大部分的需求都依賴于進(jìn)口。更何況,目前的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng),在人工智能的旺盛需求之下,正處于嚴(yán)重缺貨和價(jià)格持續(xù)暴漲當(dāng)中。

去年8月,美國(guó)特朗普政府曾宣布將考慮對(duì)所有進(jìn)入美國(guó)的半導(dǎo)體征收100%的關(guān)稅,但后來(lái)決定推遲全面實(shí)施關(guān)稅,并與相關(guān)國(guó)家和地區(qū)進(jìn)行關(guān)稅談判,希望通過(guò)關(guān)稅換投資的策略,推動(dòng)半導(dǎo)體廠商赴美國(guó)投資建廠,從而幫助美國(guó)減少對(duì)進(jìn)口半導(dǎo)體的依賴。

對(duì)于已經(jīng)或計(jì)劃在美國(guó)投資的半導(dǎo)體廠商,美國(guó)政府也披露了半導(dǎo)體關(guān)稅豁免的條件:中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商在建廠期間,就可以免關(guān)稅進(jìn)口相當(dāng)于建廠產(chǎn)能2.5倍的半導(dǎo)體,“這是專(zhuān)門(mén)為他們(臺(tái)灣)量身設(shè)計(jì)的”。舉例來(lái)說(shuō),如果中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商在美國(guó)建設(shè)100萬(wàn)片晶圓的產(chǎn)能,在施工期間就可以免關(guān)稅進(jìn)口250萬(wàn)片晶圓。即便超出配額的,關(guān)稅稅率也相對(duì)較低;一旦生產(chǎn)設(shè)施建成,這一上限將降至當(dāng)前產(chǎn)能的1.5倍。

去年,韓國(guó)和美國(guó)已經(jīng)達(dá)成了一項(xiàng)貿(mào)易協(xié)議,當(dāng)時(shí)韓國(guó)政府得到了一個(gè)原則性的承諾,即不會(huì)受到比其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中國(guó)臺(tái)灣更不利的待遇。因此,上述美國(guó)針對(duì)中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)的半導(dǎo)體豁免條款并不完全適用于韓國(guó)廠商,針對(duì)韓國(guó)廠商的豁免的標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)比中國(guó)臺(tái)灣更為寬松。從目前來(lái)看,即便是按照美國(guó)對(duì)中國(guó)臺(tái)灣的豁免標(biāo)準(zhǔn),三星和SK海力士在美國(guó)的工廠建設(shè)期間應(yīng)該能夠獲得超過(guò)其在美國(guó)建設(shè)產(chǎn)能的2.5倍的半導(dǎo)體關(guān)稅豁免。


關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 關(guān)稅

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