2月6日消息，三星已經將全新的HPB（Heat Path Block）散熱技術應用于自家的Exynos 2600芯片，這項設計被視為半導體封裝領域的一次卓越突破，能將芯片的熱阻降低16%并顯著優化溫控表現。

根據最新的行業報道，高通計劃在今年晚些時候亮相的驍龍8 Elite Gen6系列中也搭載同款HPB技術。目前的爆料顯示，高通正以5.0GHz甚至更高的主頻對驍龍8 Elite Gen6進行工程測試。這不僅意味著HPB技術已經進入實測階段，也暗示了該技術是支撐超高頻率穩定運行的關鍵。

從技術原理來看，HPB是一種直接放置在硅晶圓上的銅制散熱塊。在傳統的芯片設計中，DRAM內存芯片通常直接堆疊在SoC上方，這種結構會形成一個熱阱，導致核心熱量難以散發，只能依賴外部的VC均熱板或石墨片進行繁重的導熱。

而HPB技術則將內存芯片移至處理器側邊，騰出的空間由高導熱的銅塊直接覆蓋在核心上，從源頭上縮短了散熱路徑。

資料顯示，驍龍8 Elite Gen6系列將首次采用臺積電2nm工藝制程（N2P），其CPU主頻有望突破5.0GHz大關。對于移動端處理器而言，主頻越高，瞬時功耗和發熱就越恐怖。如果沒有HPB這種高效的封裝級散熱方案，即便有頂級的工藝加持，芯片也很難在如此高的頻率下長時間維持性能輸出。

對于高通而言，現有的VC均熱板等被動散熱方案已經接近物理極限，很難通過單純增加散熱面積來抑制頂級核心的熱量。引入HPB技術不僅是一種高效的選擇，更預示著未來的旗艦芯片將從單純的外部導熱轉向更精密的封裝內部熱管理，從而讓驍龍8 Elite Gen6的性能釋放更加從容。