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中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商再獲資本加碼

作者: 時(shí)間:2026-03-30 來(lái)源: 收藏

2026 年開年以來(lái),人工智能(AI)與高性能計(jì)算(HPC)需求持續(xù)旺盛,帶動(dòng)全球領(lǐng)域融資活動(dòng)高度活躍。在中國(guó),供應(yīng)鏈自主可控政策推動(dòng)下,高端鍵合設(shè)備、自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備(ATE)、寬禁帶半導(dǎo)體材料設(shè)備等領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速。海外方面,顛覆性光刻技術(shù)正逐步獲得市場(chǎng)關(guān)注。

中微公司領(lǐng)投,序輪科技完成約 5 億元戰(zhàn)略融資

序輪科技(iSABers)近日完成約5 億元人民幣戰(zhàn)略融資。本輪融資由中微公司(AMEC)與復(fù)拓資本聯(lián)合領(lǐng)投,北汽資本跟投,原有投資方英諾天使基金繼續(xù)加持。所募資金將用于核心技術(shù)研發(fā)、高端產(chǎn)品矩陣迭代、打造世界級(jí)研發(fā)與交付團(tuán)隊(duì),以及擴(kuò)大產(chǎn)能,支撐公司跨越式增長(zhǎng)與全球化布局。

序輪科技專注于半導(dǎo)體鍵合集成技術(shù),業(yè)務(wù)涵蓋高端鍵合設(shè)備研發(fā)與精密鍵合代工服務(wù),構(gòu)建了 **“設(shè)備制造 + 工藝服務(wù)”** 雙引擎、全價(jià)值鏈模式。其自研產(chǎn)品包括超高真空室溫鍵合系統(tǒng)、混合鍵合設(shè)備、熱壓鍵合設(shè)備等,廣泛應(yīng)用于先進(jìn)封裝、晶圓級(jí)異質(zhì)集成與 MEMS 傳感器領(lǐng)域。

高端鍵合設(shè)備是先進(jìn)封裝與異質(zhì)集成的關(guān)鍵支撐,直接影響 Chiplet 架構(gòu)與 3D 堆疊技術(shù)的商業(yè)化落地。隨著摩爾定律逼近物理極限,通過先進(jìn)封裝提升芯片性能已成為行業(yè)共識(shí),鍵合設(shè)備重要性進(jìn)一步凸顯。序輪科技通過設(shè)備與工藝協(xié)同開發(fā),提供從設(shè)備到量產(chǎn)的一體化解決方案。

悅芯科技完成超 12 億元 Pre-IPO 融資

專注于大規(guī)模半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備(ATE)的悅芯科技(TBSTest Technology)完成總額超 12 億元人民幣Pre-IPO 股權(quán)融資,投資方包括國(guó)家產(chǎn)業(yè)基金、政府引導(dǎo)基金、銀行及產(chǎn)業(yè)資本。資金將用于產(chǎn)品研發(fā)、產(chǎn)能擴(kuò)張與市場(chǎng)滲透,推動(dòng)國(guó)內(nèi)高端半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備技術(shù)自主可控。

悅芯科技成立于 2017 年,是國(guó)內(nèi)少數(shù)同時(shí)覆蓋存儲(chǔ)、SoC、功率半導(dǎo)體三大 ATE 核心領(lǐng)域的企業(yè)。自研產(chǎn)品包括面向 SoC 測(cè)試的 T800 系列、存儲(chǔ)測(cè)試的 TM8000 系列、功率器件測(cè)試的 TP 系列,均已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。其中,面向 DRAM 量產(chǎn)測(cè)試的 TM8000 系列已大規(guī)模出貨,打破高端存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備瓶頸。

自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備(ATE)是半導(dǎo)體測(cè)試環(huán)節(jié)價(jià)值最高、技術(shù)壁壘最強(qiáng)的領(lǐng)域,長(zhǎng)期被泰瑞達(dá)(Teradyne)、愛德萬(wàn)(Advantest)等國(guó)際巨頭主導(dǎo)。

蘇州鎵耀半導(dǎo)體完成近億元 A 輪融資

蘇州鎵耀半導(dǎo)體(Gayao Semi)完成近 1 億元人民幣A 輪融資,由蘇州資管等機(jī)構(gòu)領(lǐng)投。資金主要用于氧化鎵外延片及核心 CVD 設(shè)備的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,加速寬禁帶、超寬禁帶半導(dǎo)體核心材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

鎵耀半導(dǎo)體成立于 2022 年,專注于氧化鎵外延片及配套 CVD 設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。以金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)為核心,同步推進(jìn)原子層沉積(ALD)、霧相 CVD 等多種薄膜沉積技術(shù),產(chǎn)品涵蓋氧化鎵、氮化鎵 MOCVD 系統(tǒng)、ALD 設(shè)備及二維材料 CVD 設(shè)備,為科研院所與產(chǎn)業(yè)客戶提供一體化薄膜生長(zhǎng)解決方案。

相較于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN),氧化鎵在材料成本與襯底尺寸擴(kuò)展性上具備潛在優(yōu)勢(shì),但外延生長(zhǎng)與工藝設(shè)備仍是產(chǎn)業(yè)化核心瓶頸。公司同步攻克核心 CVD 設(shè)備與外延片研發(fā),構(gòu)建 **“材料 + 設(shè)備”** 雙引擎模式。


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