- “中芯國際北京廠經過5年多的努力,幫助國內裝備、材料及零部件企業實現了技術成果的產業化,逐步打破國外廠商的技術封鎖和壟斷。”當中芯北方集成電路制造(北京)有限公司總經理張昕在日前于寧波北侖舉辦的“中國半導體材料及零部件發展2017年會”上說出上述一番話時,與會的國內300多名半導體材料及零部件供應商代表的臉上無不流露出興奮的神情,曾經是國內半導體產業鏈最弱環節的國產材料和零部件,終于可以堂而皇之地進入下游集成電路制造企業了。
國產半導體材料產業增長
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半導體
- ?從80年代到現在,整個信息化時代基本上可以分為三個階段,即互聯網時代、移動互聯網時代和當下的物聯網時代。過去三十年基本上實現的是從無到有的過程,而未來的十年,將會是基于品質的大消費十年,同時也是半導體、集成電路蓬勃發展的十年。
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半導體,華虹宏力,安全芯片,MCU
- 【因為原始的定義是18~24個月晶體管密度會倍增,但我們已經用遠快于摩爾定律的速度來發展半導體工藝,會以快于摩爾定律的時間來倍增晶體管密度,并維持到至少2025年以前】
摩爾定律的極限在哪里?
在臺積電創始人張忠謀看來,實際上摩爾定律在半導體行業中早已不適用了。
“因為原始的定義是18~24個月晶體管密度會倍增,但我們已經用遠快于摩爾定律的速度來發展半導體工藝,會以快于摩爾定律的時間來倍增晶體管密度,并維持到至少2025年以前。”10月23日,在臺積電30周年
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臺積電 半導體
- 近日,863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。
通常,國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優勢,特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯,由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質量和成品率的關鍵技術有很高的
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半導體 SiC
- 【深入淺出】晶體硅電池發電原理-天天討論光伏發電,你知道太陽能電池發電的原理嗎?本文分別用文字形式,介紹了晶硅太陽能電池的發電原理。屬于科普級別,非常通俗易懂。
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晶體硅 電池 半導體
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