半導體 文章 最新資訊
2008年半導體市場能否重振雄風?
- 按照傳統來講,半導體業界目前將進入一個新的增長周期,而且預計半導體業界的各種營收增長也將得到加速。然而,當前周期內的各種不明朗因素,包括半導體行業內部的低迷態勢以及業界對未來經濟的過分擔憂,使得人們對未來半導體業界發展提出了更大質疑,2008年的半導體市場到底能否通過尚存的積極因素和在管理方面取得突破而重振雄風,成為了人們普遍關注的焦點。 市場調研機構iSuppli的預測稱,2008年全球半導體工業將實現銷售收入增長7.5%,2007年增長幅度為4.1%。但以NAND閃存為例,種種跡象顯示半導體
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ITRS:今后15年半導體技術發展方向
- 為跟上技術進步的發展步伐,2008年半導體生產設備、材料、零部件行業將出現新一輪產品研發熱。該行業大舉引進最新的高效率生產技術,挑起了夯實電子產業發展基礎的重任。 挑戰微細化納米技術 最近發表的ITRS(國際半導體技術藍圖)深入分析了今后15年半導體技術發展方向。 回顧該行業技術發展的軌跡,我們發現,人們除了把目光聚集到High-k門極電介質的前瞻性引入、超越摩爾定律(后摩爾定律技術)上之外,還格外關注存儲器與微機電系統(MEMS)間的對話。2007年11月在夏威夷召開的ITPC(半
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三城市75億美元造芯片 半導體投資增溫
- 深圳、重慶、蘇州——幾乎在同一時間,12英寸芯片生產線再次成為投資熱點。 近日,記者從知情人士處獲悉,蘇州和艦科技有限公司將在大陸投下首條12英寸芯片生產線。“2月25日相關專家組將進行項目評估。”該人士說,預計總投資在15億美元左右。作為全球第二大芯片廠商臺聯電參股的重要企業,蘇州和艦目前僅擁有一條8英寸生產線,產能早已開足,卻仍難滿足市場需求。 今年1月底,本土最大的芯片制造廠商中芯國際剛與深圳市政府簽下協議,在深圳分步建設包括集成電路技
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電子產品”有機”化 電子產業迎來春天
- 基于有機半導體材料的內存與薄膜晶體管,如五苯(pentacene),比傳統的硅晶技術更適合在大型軟性基板上建構電子裝置,且成本更低。與傳統由光學微影所支配的半導體產業相較,這些新興的有機組件可采用更便宜的制造與沉積制程方案。僅需要1~2億美元的投資額,就有可能興建一座具備全面生產能力的有機電子廠,相較之下,芯片巨擘英特爾(Intel)則是花費了數十億美元來建構其領先的晶圓廠。 據市調機構NanoMarkets指出,基于有機薄膜晶體管(OTFT)以及有機內存的產品營收在2015年將達216億美元。
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TRIQUINT最新發布的有線調制解調器專用濾波器可覆蓋雙倍帶寬
- TRIQUINT半導體發布其最新款的、用于高速寬帶有線電視(CATV)數字調諧器的濾波器。這款濾波器采用一種新開發的獨有技術制造,可以使得有線電視調諧器、基帶以及機頂盒 (STB) 制造商們設計更小的、高性能的符合DOCSIS? 3標準的高速電纜調制解調器。這些調制解調器被優化后用于更快的數據傳輸服務,例如視頻點播(VOD)服務。 TriQuint相信,在數字調諧器及有線電纜市場中,該款新品較之以往同類產品是一大革新性進步。在相同中心頻率,以往特定應用濾波器僅能提供50MHZ的帶寬,而這
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TRIQUINT在中國發布LDMOS RF功率管產品組合
- TRIQUINT半導體宣布其廣泛的基于LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide SemIConductor) 技術的RF功率管產品,現在可以在全球及設在中國深圳和上海的辦事處及安富利電子亞太銷售網絡獲得。這些豐富的器件產品為制造商的功率放大器設計提供高性能、具成本競爭力的解決方案。 TriQuint新的RF功率管產品線包括之前由Peak Device公司銷售的產品,這家位于美國科羅拉多州的公司已被 TriQuint半導體公司于2007年8月收購。Peak Dev
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今年1月全球半導體銷售收入同比增長0.03%
- 3月4日消息,美國半導體行業協會(SIA)周一稱,今年1月全球半導體銷售收入持平,而美國市場的半導體銷售收入下降。今年1月全球半導體銷售收入為214.9億美元,比2007年1月增長了0.03%。美國市場今年1月的半導體銷售收入為34.5億美元,比2007年1月的37.1億美元減少了6.9%。 SIA稱,今年1月全球半導體銷售收入比2007年12月的222.8億美元減少了3.6%。傳統的季節性因素是銷售下降的主要原因。美國市場1月份的半導體銷售收入比2007年12月減少了5.6%。 SIA稱
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半導體增速放緩 政府企業市場發力
- 2月28~29日,由中國半導體行業協會、中國電子信息產業發展研究院、上海市集成電路行業協會共同主辦的“2008中國半導體市場年會”在上海召開。會議有關信息表明,2007年,中國IC市場與產業規模發展速度雙雙放緩,未來IC產業也將從前幾年的超高速增長轉為平穩快速增長,消費電子、汽車電子應用市場正成為帶動半導體行業市場增長的內在驅動力。 終端漸趨飽和半導體市場增速放緩 2007年,全球半導體市場的規模為2556億美元,同比增長3.2%,低于預期的10%增幅,創下近五年來
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半導體制造設備行業引進尖端技術 提高生產效率
- 為跟上技術進步的發展步伐,2008年半導體生產設備、材料、零部件行業將出現新一輪產品研發熱。該行業大舉引進最新的高效率生產技術,挑起了夯實電子產業發展基礎的重任。 挑戰微細化納米技術 最近發表的ITRS(國際半導體技術藍圖)深入分析了今后15年半導體技術發展方向。 回顧該行業技術發展的軌跡,我們發現,人們除了把目光聚集到High-k門極電介質的前瞻性引入、超越摩爾定律(后摩爾定律技術)上之外,還格外關注存儲器與微機電系統(MEMS)間的對話。2007年11月在夏威夷召開的ITPC(半
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半導體后工程進入外包時代
- Hynix半導體公司出資成立的半導體專門測試企業Hisem日前正式成立,這意味著半導體行業進入了對后工程的外包時代。 Hisem于不久前正式啟動了在韓國京畿道的半導體測試工廠。Hisem有關人員稱:“工廠啟動時已經開始了Hynix公司生產的部分NANDFlash(非易矢閃存技術)存儲器的測試,以后會將測試工程擴大到SDRAM(同步動態隨機存儲)和DRAM(動態隨機存儲器)等?!? Hisem是Hynix半導體公司旗下的32家子公司共同出資成立的半導體測試外包企業,于去
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今年1月全球半導體銷售收入同比增長0.03%
- 3月4日消息,美國半導體行業協會(SIA)周一稱,今年1月全球半導體銷售收入持平,而美國市場的半導體銷售收入下降。今年1月全球半導體銷售收入為214.9億美元,比2007年1月增長了0.03%。美國市場今年1月的半導體銷售收入為34.5億美元,比2007年1月的37.1億美元減少了6.9%。 SIA稱,今年1月全球半導體銷售收入比2007年12月的222.8億美元減少了3.6%。傳統的季節性因素是銷售下降的主要原因。美國市場1月份的半導體銷售收入比2007年12月減少了5.6%。 SIA稱
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1月份日本半導體設備訂單同比暴跌51.9%
- 據SemiconductorInternational網站報道,日本半導體設備協會(SEAJ)近日表示,一月份日本半導體設備商全球訂單量大幅下降,較去年同期暴跌51.9%至1058億日元,設備銷售量降低3.8%至1331億日元。 SEAJ稱,由于半導體制造商縮減投資,日本芯片設備在近期內將不能得到復蘇。 據悉,包括步進機、刻蝕設備在內的晶圓處理設備訂單跌幅達60%至738億日元,而測試設備下滑24.3%至137億日元。
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半導體產業:臺灣三大廠12寸新廠將動工
- 據臺灣聯合新聞網報道,臺積電、力晶與世界先進三家半導體大廠位于竹科三、五路的12寸新廠即將舉行聯合動土,意味高達4000億新臺幣的半導體大型投資計劃將陸續啟動。 由于半導體廠今年普遍縮減資本支出,此次聯合動土,顯示廠商仍有迎接多頭景氣的擴產準備。 承租的半導體業指出,這片占地約34公頃的12寸晶圓廠預定地,將是臺積電在竹科的第四座12寸晶圓廠,也是世界先進的首座12寸晶圓廠落腳處;力晶也預計在當地規劃兩座12寸廠,合計三家半導體廠商未來在這塊地就會有至少四座12寸晶圓廠,以一座12寸晶圓廠
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調整階段:集成電路設計仍然是最受青睞的投資領域之一
- 我國半導體產業面臨著眾多的挑戰。在國內集成電路設計公司發展乏力的影響下,代工線將不得不更多地謀求外部訂單,對外依存度將進一步提升。SiP等新技術的出現,將有力地影響到現行封裝產業的發展路線。集成電路設計業的發展面臨困難,產品問題仍然是困擾設計業的核心問題,產品升級換代將是不可回避的嚴峻挑戰,工藝技術進步后帶來的技術挑戰和新的殺手應用不明朗,必然導致產業發展乏力。 我國半導體產業經過過去幾年的快速發展之后,將逐漸進入調整階段。預計未來幾年,我們在保持高于全球增長速率的發展速度的同時,產業發展會逐漸
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半導體產業:臺灣三大廠12寸新廠將動工
- ?據臺灣聯合新聞網報道,臺積電、力晶與世界先進三家半導體大廠位于竹科三、五路的12寸新廠即將舉行聯合動土,意味高達4000億新臺幣的半導體大型投資計劃將陸續啟動。 ????由于半導體廠今年普遍縮減資本支出,此次聯合動土,顯示廠商仍有迎接多頭景氣的擴產準備。 ????承租的半導體業指出,這片占地約34公頃的12寸晶圓廠預定地,將是臺積電在竹科的第四座12寸晶圓廠,也是世界先進的首座12寸晶圓廠落腳處;力晶也預計在當
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半導體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數的物質。半導體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數則減小。半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體;化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]






