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2.5d 封裝 文章 最新資訊

通富微電2021年報點評:優質客戶持續擴容 定增擴產助力公司長遠發展

  • 2022 年3 月29 日,公司發布2021 年年度報告:      公司2021 年實現營業收入158.12 億元,同比+46.84%;實現毛利率17.16%,同比+1.69pct;實現歸母凈利潤9.57 億元,同比+182.69%;實現扣非后歸母凈利潤7.96 億元,同比+284.35%。      評論:      全年業績保持高增長,大客戶加持下公司經營節奏持續向好。公司國際和國內客戶的市場需求保持旺盛態勢,
  • 關鍵字: 封裝  測試  通富微電  

通富微電框架類封裝

  • Bump SeriesProduction Overview        TFME is able to provide Solder bump, Cu pillar bump and Gold bump for customer to meet different requirement.Feature                 Solder bump&nb
  • 關鍵字: 封裝  測試  通富微電  

通富微電測試技術

  • Semiconductor ICs are increasingly becoming denser with more functionality resulting in a more complex test environment, requiring more advanced test systems and capabilities. TFME provides a complete range of semiconductor testing services including wafe
  • 關鍵字: 封裝  測試  通富微電  

通富微電基板類封裝

  • Bump Series當前位置:首頁?>?產品技術?封裝品種?>Bump SeriesProduction Overview? ? ? ? TFME is able to provide Solder bump, Cu pillar bump and Gold bump for customer to meet different requirement.Feature? ? ? &n
  • 關鍵字: 封裝  測試  通富微電  

長電科技:2021圓滿收官 看好2022業績持續性增長

  • 2021 年業績符合我們預期    公司公布2021 年業績:收入305.0 億元,同比增長15.3%,毛利率18.4%,同比提升2.9ppts;歸母凈利潤29.6 億元,同比增長126.8%,扣非后凈利潤24.9 億元,同比增長161.2%,上述主要財務指標均創下歷史新高。對應到4Q21 單季度來看,公司實現收入85.9 億元,環比增長6.0%;毛利率19.8%,環比繼續提升1.0ppts;歸母凈利潤8.4 億元,環比增長6.3%。整體業績符合我們預期。 &nbs
  • 關鍵字: 封裝  測試  長電科技  

長電科技焊線封裝技術

  • 焊線封裝技術焊線形成芯片與基材、基材與基材、基材與封裝之間的互連。焊線被普遍視為最經濟高效和靈活的互連技術,目前用于組裝絕大多數的半導體封裝。長電技術優勢長電科技可以使用金線、銀線、銅線等多種金屬進行焊線封裝。作為金線的低成本替代品,銅線正在成為焊線封裝中首選的互連材料。銅線具有與金線相近的電氣特性和性能,而且電阻更低,在需要較低的焊線電阻以提高器件性能的情況下,這將是一大優勢。長電科技可以提供各類焊線封裝類型,并最大程度地節省物料成本,從而實現最具成本效益的銅焊線解決方案。解決方案LGABGA/FBGA
  • 關鍵字: 封裝  測試  長電科技  

長電科技MEMS與傳感器封裝技術

  • ?MEMS與傳感器隨著消費者對能夠實現傳感、通信、控制應用的智能設備的需求日益增長,MEMS 和傳感器因其更小的尺寸、更薄的外形和功能集成能力,正在成為一種非常關鍵的封裝方式。MEMS 和傳感器可廣泛應用于通信、消費、醫療、工業和汽車市場的眾多系統中。長電技術優勢憑借我們的技術組合和專業 MEMS 團隊,長電科技能夠提供全面的一站式解決方案,為您的量產提供支持,我們的服務包括封裝協同設計、模擬、物料清單 (BOM) 驗證、組裝、質量保證和內部測試解決方案。長電科技能夠為客戶的終端產品提供更小外形
  • 關鍵字: 封裝  測試  長電科技  MEMS  

長電科技倒裝封裝技術

  • 倒裝封裝技術在倒裝芯片封裝中,硅芯片使用焊接凸塊而非焊線直接固定在基材上,提供密集的互連,具有很高的電氣性能和熱性能。倒裝芯片互連實現了終極的微型化,減少了封裝寄生效應,并且實現了其他傳統封裝方法無法實現的芯片功率分配和地線分配新模式。長電技術優勢長電科技提供豐富的倒裝芯片產品組合,從搭載無源元器件的大型單芯片封裝,到模塊和復雜的先進 3D 封裝,包含多種不同的低成本創新選項。解決方案FCBGAfcCSPfcLGAfcPoPFCOL - Flip Chip on Leadframe
  • 關鍵字: 封裝  測試  長電科技  

長電科技系統級封裝技術

  • 系統級封裝(SiP)半導體公司不斷面臨復雜的集成挑戰,因為消費者希望他們的電子產品體積更小、速度更快、性能更高,并將更多功能集成到單部設備中。半導體封裝對于解決這些挑戰具有重大影響。當前和未來對于提高系統性能、增加功能、降低功耗、縮小外形尺寸的要求,需要一種被稱為系統集成的先進封裝方法。系統集成可將多個集成電路 (IC) 和元器件組合到單個系統或模塊化子系統中,以實現更高的性能、功能和處理速度,同時大幅降低電子器件內部的空間要求。長電技術優勢長電科技在SiP封裝的優勢體現在3種先進技術:雙面塑形技術、EM
  • 關鍵字: 封裝  測試  長電科技  

長電科技晶圓級封裝技術

  • 晶圓級封裝技術晶圓級封裝(WLP)與扇出封裝技術當今的消費者正在尋找性能強大的多功能電子設備,這些設備不僅要提供前所未有的性能和速度,還要具有小巧的體積和低廉的成本。這給半導體制造商帶來了復雜的技術和制造挑戰,他們試圖尋找新的方法,在小體積、低成本的器件中提供更出色的性能和功能。長電技術優勢長電科技在提供全方位的晶圓級技術解決方案平臺方面處于行業領先地位,提供的解決方案包括扇入型晶圓級封裝 (FIWLP)、扇出型晶圓級封裝 (FOWLP)、集成無源器件 (IPD)、硅通孔 (TSV)、包封芯片封裝 (EC
  • 關鍵字: 封裝  測試  長電科技  

蘋果M1 Ultra封裝是普通CPU的3倍

  • 據外媒videocardz報道,Mac Studio的全面拆解表明,蘋果最新的M1 Ultra芯片到底有多大。此多芯片模塊包含兩個使用 UltraFusion 技術相互連接的 M1 max 芯片。需要注意的是,這款超大型封裝還包含128GB內存。不幸的是,在拆卸過程中看不到硅芯片,因為整個封裝被一個非常大的集成散熱器覆蓋。M1 Ultra具有兩個10核CPU和32核GPU。整體有1140億個晶體管。根據蘋果的基準測試,該系統應該與采用RTX 3090顯卡的高端臺式機競爭。雖然該系統確實功能強大,并
  • 關鍵字: 蘋果  M1 Ultra  封裝  CPU  

三星電子調整組織架構 提升封裝測試業務地位

  • 作為全球第二大的芯片代工廠,最近三星又在芯片領域做出重要一步。三星電子在其 DX 事業部的全球制造和基礎設施部門內設立了測試和封裝(TP,Test & Package)中心。
  • 關鍵字: 三星  封裝  業務  

AMD 官宣 3D Chiplet 架構:可實現“3D 垂直緩存”

  • 6 月 1 日消息 在今日召開的 2021 臺北國際電腦展(Computex 2021)上,AMD CEO 蘇姿豐發布了 3D Chiplet 架構,這項技術首先將應用于實現“3D 垂直緩存”(3D Vertical Cache),將于今年年底前準備采用該技術生產一些高端產品。蘇姿豐表示,3D Chiplet 是 AMD 與臺積電合作的成果,該架構將 chiplet 封裝技術與芯片堆疊技術相結合,設計出了銳龍 5000 系處理器原型。官方展示了該架構的原理,3D Chiplet 將一個 64MB 的 7n
  • 關鍵字: AMD  chiplet  封裝  

英特爾對chiplet未來的一些看法

  • 在英特爾2020年架構日活動即將結束的時候,英特爾花了幾分鐘時間討論它認為某些產品的未來。英特爾客戶計算部門副總裁兼首席技術官Brijesh Tripathi提出了對2024年以上未來客戶端產品前景的展望。他表示,他們將以英特爾的7+制造工藝為中心,目標是啟用“Client 2.0”,這是一種通過更優化的芯片開發策略來交付和實現沉浸式體驗的新方法。Chiplet(小芯片)并不是新事物,特別是隨著英特爾競爭對手最近發布的芯片,并且隨著我們進入更復雜的過程節點開發,小芯片時代可以使芯片上市時間更快,給定產品的
  • 關鍵字: 英特爾  chiplet  封裝  

子單元長期存放對焊接質量的影響*

  • 長期進行IGBT器件焊接封裝發現,IGBT器件封裝所用關鍵部件子單元的存放時間長短對焊接空洞影響較大,本文分別對兩批存放時間差別較大的子單元進行封裝,通過實驗對比兩批產品的空洞率,結果表明存放時間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小,從而提高了IGBT器件的可靠性。
  • 關鍵字: IGBT  焊接  封裝  空洞率  子單元  202201  
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