全球內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已開始量產其 HBM3E 高帶寬內存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進展持續保持行業領先地位，并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能（AI）解決方案賦能。HBM3E：推動人工智能革命隨著人工智能需求的持續激增，內存解決方案對于滿足工作負載需求
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AI服務器浪潮席卷全球，帶動AI加速芯片需求。DRAM關鍵性產品HBM異軍突起，成為了半導體下行周期中逆勢增長的風景線。業界認為，HBM是加速未來AI技術發展的關鍵科技之一。近期，HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產能售罄。與此同時，HBM技術再突破、大客戶發生變動、被劃進國家戰略技術之一...一時間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲器，是屬于圖形DDR內存的一種。從技術原理上講，HB
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2024 年 3 月 1 日，中國上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機榮耀 Magic6 Pro 提供端側人工智能體驗。該手機支持 70 億參數的大語言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開創了端側生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心，在美光內存和存儲的加持下，實現了升級版預測性和
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繼此前美光宣布 HBM 產能全部售罄之后，SK 海力士今年的 HBM 產能也已經全部售罄。
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近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經售罄，已開始為2025年做準備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。生成式AI火熱發展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準HBM擴產。其中，三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應。此前2023年四季度三星內部消息顯示，已經向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產。到下半年，其占比預計將
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內存技術作為計算機系統的核心組成部分，其性能的提升對于整體計算能力的提升至關重要。在這個背景下，高帶寬內存（HBM）以其卓越的性能表現，正逐漸在內存技術領域嶄露頭角，成為推動計算領域進入全新時代的關鍵力量。相較于傳統的動態隨機存取內存（DRAM），HBM 的性能優勢顯而易見。遠遠超越 DDRDDR 是一種常見的計算機內存類型，最早是為了提高內存傳輸速率而設計的。它采用了雙倍數據傳輸技術，即在每個時鐘周期內可以傳輸兩次數據，從而提高了數據傳輸速率。目前最常見的 DDR 版本是 DDR4、DDR5，但在過去還
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最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財報，2023 年第四季度實現扭虧為盈，當季營業利潤 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營業虧損 1.91 萬億韓元。這意味著，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來一直持續的營業虧損情況。相比之下，同為韓國半導體巨頭的三星，業績卻不盡如人意。數據顯示，三星電子去年銷售額為 258.16 萬億韓元（1.4 萬億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導體部門業績不佳影響，三星電子全年營業利潤時隔 15 年再次跌至 10 萬億韓元（544
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馮·諾依曼架構將繼續存在，但人工智能需要新的架構，3D 結構需要新的測試工具。
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三星稱其已經在美國硅谷開設了一個新的內存研發（R&D）機構，專注于下一代3D DRAM芯片的開發。該機構將在設備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營，由三星設備解決方案部門首席技術官、半導體研發機構的主管Song Jae-hyeok領導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發新的技術、新的產品，以保持他們在這一領域的優勢。三星去年9月推出了業界首款且容量最高的32 Gb
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1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設計時，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時間，單調性等。電源電壓的要求一般在±5%以內。電流需要根據使用的不同芯片，及芯片個數等進行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設計時，如果有一個完整的電源平
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華邦電子新年展望——技術發展不可阻擋，內存市場趨穩求進
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內存產業復蘇明確，包括旺宏、南亞科、創見、鑫創、廣穎、鈺創、商丞等七家公司，去年12月營收呈現月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價續漲。然全球第二大內存生產商SK海力士計劃階段性擴產，為內存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產幅度，NAND Flash生產策略可能視情況在第二季或第三季跟著調整。針對內存大廠有意擴產，國內存儲器廠商則認為，海力士擴廠應集中在DDR5和HBM（高帶寬內存）產品為主，因為臺灣目前產品主攻DDR4，不致影響產品報價。TrendForc
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在2024年即將到來之際，多家機構給出預測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一。回顧2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應用，這股大火一直燒到了上游芯片領域，根據權威機構預測，2023年和2024年，AI服務器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內存芯片HBM（高帶寬內存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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預計英偉達 HBM3e 驗證將于 2024 Q1 完成。
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