處理器，無論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運行，都離不開 RAM，特別是 DRAM（動態隨機存取存儲器），它已經成為各種系統（PC，手機，數據中心等）中內存的代名詞。根據應用不同，系統對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標準 DDR（雙倍數據速率）、LPDDR、GDDR 等，當然，主要就是這三類。其中，DDR 是相對于 SDR（單數據速率）而言的，將 I/O 時鐘加倍了，主要為 PC 和數據中心的 CPU 服務，目前已經發展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
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DRAM 封裝技術 HBM
據韓媒，韓國SK海力士公司周四表示，將成立一個名為AI Infra的新部門，負責人工智能（AI）半導體相關業務，由現任全球銷售營銷部門負責人Kim Juseon管理。報道稱，新部門將整合分散在公司內部的高帶寬內存（HBM）能力和功能，還將主導新一代HBM芯片等人工智能技術的發展，尋找并開發新市場。
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SK海力士 AI HBM 內存
美光云計算高級業務發展經理 Eric Booth 90 歲的祖母患有嚴重的聽力障礙，即使佩戴助聽器也很難聽清別人在說什么。Eric 注意到，她需要湊近講話者，識別他們的唇語，努力理解他們的話語。而當多人進行交談時，她常常會感到迷茫。Eric 萌生了一個想法：為何不用祖母的智能手機幫她來“傾聽”呢？他打開手機的記事簿功能，按下麥克風按鈕，向她展示了手機如何將他的話轉錄成屏幕上的文字。他表示：“我的祖母非常興奮，笑得合不攏嘴，她現在可以參與到從前無法進行的對話中。”這也讓我們看到了該技術如何切實改善了言語、語
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語音識別 生成式AI 機器學習 內存
今年以來，ChatGPT持續推動生成式AI需求上漲，加上PC與服務器領域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產品。DDR5：美光發布新品、三星計劃擴大產線當前DDR5制程已經來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術的DDR5內存，速率高達 7200
MT/s，現已面向數據中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內存采用先進的High-K
CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術，相比上一代產品，性能提升高
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存儲器 DDR5 HBM
前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現硅通孔的垂直電氣互聯，這項技術是目前唯一的垂直電互聯技術，是實現3D先進封裝的關鍵技術之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們如何工作以及它們的用途。在2000年的第一個月，Santa Clara Universi
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芯片 TSV HBM NAND 先進封裝
NAND Flash現貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內存市況確立好轉，帶動內存族群獲利能力普遍呈現攀升。觀察第三季內存族群財報，內存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內存模塊廠創見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務指標來看，第三季財報數字呈現「三率三升」的內存廠商，則有創見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務成績表現亮眼。此外，威剛14日公告10月自結財務數
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內存 ?NAND Flash DRAM
存儲市場消費電子應用疲軟的環境下，HBM成為發展新動能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴產HBM的消息。大廠積極布局HBM近期，媒體報道三星為了擴大HBM產能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區內部分建筑及設備，用于HBM生產。據悉，三星計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規模生產HBM，該公司已花費105億韓元購買上述建筑和設備等，預計追加投資7000億-1萬億韓元。 此前，據三星電子副社長、DRAM產品與技術團隊負責人黃尚俊透露，三星已開發出9.8Gbps的H
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三星 美光 HBM
當地時間11月9日，存儲大廠美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內存，速度高達8000MT/s，可支持當前和未來的數據中心工作負載。據美光介紹，該產品采用美光1β(1-beta)技術，與競爭性3DS硅通孔(TSV)產品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高達24%、延遲降低高達16%、AI訓練性能提升高達28%。該產品旨在滿足數據中心和云環境中各種關鍵任務應用程序的性能和數據處理需求，包括人工智能(AI)、存儲數據庫(IMDB)）以及多線程、多核計數一般計算工作負載的高效處
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美光科技 內存 芯片
IT之家 11 月 13 日消息，韓國日報稱，三星電子打破了 SK 海力士為 NVIDIA 獨家供應 HBM 3 的局面，該公司計劃從明年 1 月開始向英偉達提供 HBM3。有分析師預測稱，今年以來一直低迷的三星電子半導體業務業績將在明年迅速復蘇。一些猜測認為，三星電子可能會在明年下半年在 HBM 市場份額上超過 SK 海力士。此前，三星電子已成功向美國 AMD 供應 HBM3 內存，但由于 AMD 在該市場的主導地位并不大，因此據說供應有限。市場研究公司 Trend Force 預測，SK 海
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三星 內存 NVIDIA
HBM 的未來不僅是光明的：它還具有光速、超帶寬和超低功耗。 在今年的開放計算項目 (OCP) 全球峰會上，三星先進封裝團隊 Yan Li 向我們展示了一個比我們想象的更加集成的未來：隨著高帶寬內存 (HBM) 的進一步發展，熱和晶體管密度問題可能會得到解決。 通過光子學來解決。 光子學基于一種可以對單個光子（光的粒子/波）信息進行編碼的技術，這意味著它改善了（幾乎）我們當前計算環境中我們關心的一切。 功耗大幅降低（發射的是光粒子而不是電子流），處理速度也得到提高（延遲達到飛秒級，傳播速度接近光
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HBM 集成電路
在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術已成為新的驅動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大HBM產能。三星還計劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。此前報道，三星副總裁兼DRAM產品和技術團隊負責人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星還正在開發HBM4的各種技術，包括針對高溫熱特性和混合鍵
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三星 美光 HBM
IT之家 11 月 8 日消息，在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術已成為新的驅動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張 HBM DRAM。圖源：三星最新報道稱三星電子耗資 105 億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大 HBM 產能。三星電子還計劃再投資 7000 億至 1 萬億韓元，用于新建新的封裝線。IT之家此前報道，三星電子副總裁兼 DRAM 產品和技術團隊負責人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已開發出速度為 9.8Gbp
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HBM AI
不負期待?與美光相約2023進博會2023年11月5日，第六屆中國國際進口博覽會正式開幕，吸引了來自世界各地的企業參展。其中，美光首次亮相進博會，為業界帶來了一系列創新的內存和存儲產品及解決方案，并展示了其為賦能數據經濟發展，推動人工智能和5G應用進步所付出的不懈努力。深入存儲四大應用領域美光的展位以“深耕存儲領域，賦能數字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內存和存儲產品。展臺劃分為數據中心、汽車與智能邊緣領域、移動設備以及PC客戶端四大應用領域，最新的產品和解決方案令人印象深刻。這些創新的
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美光 進博會 LPDDR5 內存 存儲技術
IT之家?10 月 26 日消息，全球第二大內存芯片制造商 SK 海力士公司表示，人工智能的熱潮將推動芯片利潤增長，該公司在第三季度的虧損比上一季度大幅縮小。該公司在周四表示，用于人工智能的高級芯片的強勁需求，緩解了由于智能手機和電腦等設備中使用的普通芯片需求持續低迷而造成的影響。SK 海力士表示，其銷售用于科技設備的 DRAM 芯片的業務，在第三季度重新盈利，而今年前兩個季度都是虧損的。該芯片制造商在一份聲明中說：“DRAM 業務…… 預計隨著生成型人工智能的繁榮而繼續改善。仍然虧損的 NAN
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SK海力士 人工智能 內存
IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天發布新聞稿，進一步擴展了 1β（1-beta）工藝節點技術，推出 16Gb DDR5 內存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已經開始向數據中心和 PC 用戶提供，峰值速度可以達到 7200 MT/s。這款新型 DDR5 內存采用先進的 high-k CMOS 器件技術，4 相時鐘和時鐘同步（clock-sync）1，相比較上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 產品線提供 4,800 MT/s 至 7
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美光 內存
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