當前低功耗問題仍是業界關心重點。根據國際能源署(IEA)最近報告顯示，考慮到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次請求消耗2.9Wh，每天進行90億次搜索，每年需要額外消耗10太瓦時(TWh)的電力。從預計銷售的AI服務器需求來看，到2026年，AI行業可能會呈指數級增長，消耗的電力需求至少是去年的十倍。德州儀器首席技術官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服務還轉向移動和PC設備，這導致功耗激增，因此這是一個關鍵的討論話題。因應市場需求，目前業界正積極致力于
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內存 存儲技術
5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發熱和功耗問題而受到影響。不過據韓媒Business Korea 報道，三星電子發布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調“他們正與其他商業伙伴持續合作，以確保產品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產其第五代
HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品。在目前已量產的
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三星 HBM 內存芯片 英偉達
5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發熱和功耗問題而受到影響。不過據韓媒Business Korea 報道，三星電子發布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調“他們正與其他商業伙伴持續合作，以確保產品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品。在目前已量產的
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三星 存儲 HBM 英偉達
IT之家 5 月 22 日消息，在北京時間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會上，SK 海力士帶來了多款存儲領域新品，涵蓋內存、固態硬盤品類。在消費級固態硬盤領域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無法確認 PVC10 的具體讀寫性能，預計將強于此前推出的 BC901。而在企業級固態硬盤方面，SK 海力
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SK海力士 固態硬盤 內存
IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會議活動上表示，美光 2025 年 HBM 內存供應談判基本完成。美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規模和價格。美光預計 HBM 內存將在其截至 2024 年 9 月的本財年中創造數億美元量級的營收，而在 25 財年相關業務的銷售額將增加到數十億美元。美光預測，未來數年其 HBM 內存位元產能的復合年增長率將達到 50%。為了應對 HBM 領域的強勁需求，美光調升了本財年資本支出的預計規模，從 75~80 億美
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美光 HBM 內存
IT之家 5 月 20 日消息，各位網友，你有發現現在組裝一臺電腦越來越貴了嗎？除了 CPU 和 GPU 兩個大件之外，內存和固態硬盤的價格也水漲船高，基本上所有零件都處于漲價狀態。固態硬盤的價格到去年第 4 季度一直處于歷史最低點，甚至連 DDR5 內存的價格似乎也已觸底。然而，這一切都將在 2024 年下半年發生改變。IT之家基于 XDA 媒體觀點，簡要介紹如下：固態硬盤科技媒體 xda-developers 追蹤觀測過去 6-7 個月亞馬遜平臺固態硬盤價格，從 2023 年 10 月左右開
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內存 固態硬盤 存儲
三星、SK海力士及美光等國際內存巨擘，皆積極投入高帶寬內存（HBM）制程，法人表示，在產能排擠效應下，下半年DRAM產品恐供不應求，預期南亞科、威剛及十銓等業者受惠。據TrendForce研究，DRAM原廠提高先進制程投片，產能提升將集中今年下半年，預期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現佳，加上需求續增，生產排序最優先。以HBM最新發展進度來看，2024年HBM3e將是市場主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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HBM DRAM TrendForce
IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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3D 內存 存儲 三星
近兩年，DRAM市場已經開始從DDR4內存向DDR5內存過渡，此外在存儲器市場經歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內存的生產并降低了庫存水平。DDR3內存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存，全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存。隨著三星和SK海力士停產DDR3內存，很可能帶動DDR3內存的價格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經通知客戶將在本季度末停產DDR3；而SK海力士則在去年
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近期，媒體報道三星電子在最新財報電話會議中表示，未來存儲業務的重心不再放在消費級PC和移動設備上，而將放在HBM、DDR5服務器內存以及企業級SSD等企業領域。三星存儲業務副總裁 Kim Jae-june在電話會議上透露，公司計劃到今年年底，HBM芯片的供應量比去年增加3倍以上。2025年HBM芯片產量再翻一番。AI熱潮推動下，HBM需求持續高漲，部分原廠表態，HBM產品在今年已經售罄，有的甚至表態明年的HBM也已經售罄。這一背景下，三星調整業務方向，專攻HBM等高附加值產品也就順理成章。另據媒體報道，三
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2022年末，ChatGPT的面世無疑成為了引領AI浪潮的標志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無數大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過一浪。 在這波浪潮中，伴隨著人才、數據、算力的不斷升級，AI產業正展現出巨大的潛力和應用前景，并在多個領域展現出重要作用。AI的快速發展對算力的需求呈現井噴的態勢，全球算力規模超高速增長。在這場浪潮中，最大的受益者無疑是英偉達，其憑借在GPU領域的優勢脫穎而出，然
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根據TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統型DRAM（Conventional
DRAM）高出數倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關產品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產能及產值占比均大幅向上。產能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過10%。產值方面，2024年起HBM之于DRAM總產值預估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。2024年HBM
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內存管理子系統可能是linux內核中最為復雜的一個子系統，其支持的功能需求眾多，如頁面映射、頁面分配、頁面回收、頁面交換、冷熱頁面、緊急頁面、頁面碎片管理、頁面緩存、頁面統計等，而且對性能也有很高的要求。本文從內存管理硬件架構、地址空間劃分和內存管理軟件架構三個方面入手，嘗試對內存管理的軟硬件架構做一些宏觀上的分析總結。內存管理硬件架構因為內存管理是內核最為核心的一個功能，針對內存管理性能優化，除了軟件優化，硬件架構也做了很多的優化設計。下圖是一個目前主流處理器上的存儲器層次結構設計方案。從圖中可以看出，
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·雙方就HBM4研發和下一代封裝技術合作簽署諒解備忘錄·通過采用臺積電的先進制程工藝，提升HBM4產品性能·“以構建IC設計廠、晶圓代工廠、存儲器廠三方合作的方式，突破面向AI應用的存儲器性能極限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術，將與臺積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計劃與臺積電合作開發預計在2026年投產的HBM4，即第六代HBM產品。SK海力士表示：“公司作為AI應用的存儲器領域的領先者，與全球頂級邏輯代
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市場對人工智能的熱情還在持續升溫，隨著芯片庫存調整卓有成效，以及市場需求回暖推動，全球存儲芯片價格正從去年的暴跌中逐步回升，內閃存產品價格均開始漲價。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應緊俏，除了CoWoS是供應瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產周期較DDR5更長，投片到產出與封裝完成需要兩個季度以上所致。行業人士表示，在產能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達新款AI芯片的HBM存儲系統售價更高。在此帶動下，從今年
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