- 據《ZDNet Korea》報道，三星電子存儲部門新業務規劃團隊董事總經理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術生產的DRAM內存顆粒。除了CMM-D模塊，三星還在開發一系列CXL存儲產品。其中包括集成多個CMM-D模塊的CMM-B內存盒模塊，以及將DRAM內存與NAND閃存顆粒相結合的CMM-H混合存儲模塊。Choi Jang-seok強調，隨著CXL3.1技術的采用，CXL內存資源可以在多
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存儲 CXL 內存
- 近期在智慧手機、PC、數據中心服務器上，用于暫時儲存數據的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產能增開，對一般型DRAM產生的排擠效應，加上產業旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據了解，6月指針性產品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據傳有望通過輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
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HBM DRAM 美光
- 在英偉達一步步站穩萬億市值腳根的道路上，少不了兩項關鍵技術支持，其中之一是由臺積電主導的 CoWoS 先進封裝，另一個便是席卷當下的 HBM（高帶寬存儲）。英偉達 H200 是首次采用 HBM3E 存儲器規格的 AI 加速卡。借助內存速度更快、容量更大的 HBM3e，英偉達 H200 以每秒 4.8TB 的速度提供 141GB 的內存，與 A100 相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬也提升了 43%，從而加速生成式 AI 和大語言模型，提高高性能計算（HPC）的工作負載。隨著人工智能的興起，HBM 成為巨頭們搶
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HBM
- 《科創板日報》17日訊，SK海力士計劃于2026年在其HBM生產中采用混合鍵合，目前半導體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設備安裝在SK海力士的試驗工廠，用于測試混合鍵合工藝。混合鍵合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進行堆疊，并增加帶寬。
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- 在半導體存儲領域，參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光，三者的競爭已經延續到HBM3e。而近日，行業標準制定組織固態技術協會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發了業界關注，這似乎也預示著HBM領域新的戰場已經開啟...?堆棧通道數較HBM3翻倍?據悉，JEDEC于7月10日表示，備受期待的高帶寬存儲器 (HBM) DRAM標準的下一個版本：HBM4標準即將完成定稿。圖片來源：JEDEC官網截圖HBM4是目前發布的HBM3標準的進化版，旨在進一步提高數據處理速率，同時保持更高的帶寬、
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- 7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報道，英偉達、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯盟”，為迎接 AI 時代共同推進 HBM4 等下一代技術。SEMI 計劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動（其影響力可以認為是半導體行業的 CES 大展），包括臺積電在內的 1000 多家公司將展示最新的半導體設備和技術，促進了合作與創新。預計這次會議的主要焦點是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內存，它將開啟市場的新紀元。IT之家援引該媒體報道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
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- IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學 6 月 12 日宣布開發出新型半導體后端制造設備，可直接在封裝基板上構建符合 2.5D 先進封裝集成需求的電路圖案。▲ 蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產成本的同時也縮短了先進封裝流程。▲ 2.5D 集成結構對比信越表示，該新型后端設備采用準分子激光器蝕刻布線，無需光刻工藝就能批量形成大面積的復雜電路圖案，達到了傳統制造路線無法企及的精細度。結合信越化學開發的光
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- 在不同AI運算領域中，依照市場等級的需要，大致上可以分成三種，一種是作為高性能運算中心的人工智能、機器學習與圖形處理的超高速運算與傳輸需求；一種是一般企業的AI服務器、一般計算機與筆電的演算應用；另一種是一般消費電子如手機、特殊應用裝置或其它邊緣運算的應用。現階段三種等級的應用，所搭配的內存也會有所不同，等級越高內存的性能要求越高，業者要進入的門坎也越高。不過因為各類AI應用的市場需求龐大，各種內存的競爭也異常的激烈，不斷地開發更新產品，降低成本，企圖向上向下擴大應用，所以只有隨時保持容量、速度與可靠度的
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- 內存是現代電子產品不可或缺的組件，隨著科技的進步，內存的容量、速度、功耗等特性也不斷提升，為各種應用帶來了新的機遇和挑戰。本文將從應用端出發，探討各類內存的機會與挑戰。動態隨機存取內存（DRAM）DRAM是當前計算器系統中最常見的主存儲器技術，具備高速讀寫和相對較低的成本。它廣泛應用于PC、服務器、移動設備和游戲機中。隨著人工智能和大數據應用的興起，DRAM的需求持續增長，尤其是在需要高速數據處理和低延遲的應用場景。DRAM的主要挑戰在于其揮發性和功耗問題。DRAM需要持續供電以維持數據，這限制了其在移動
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- AI應用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內存廠，積極投入高帶寬內存（HBM）產能擴充計劃，市場人士估計，2025年新增投片量約27.6萬片，總產能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據外媒拆解，英偉達H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產封裝。HBM經歷多次迭代發展，進入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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- 韓國三星電子表示，因人工智能AI需求暢旺，內存芯片的售價因此也水漲船高，上季營業利益可望飆升約15倍，比路透社4日報導的預估值13倍還要多。這家全球最大內存芯片制造商預估，集團整體第2季營利為10.4兆韓元，約75億美元，年增1,452.2%。同時，營收也大增23.3%，達74兆韓元。不過，三星這次并沒有揭露凈利數字。 4到6月這1季，是三星自2022年第3季曾創下營業利益高達10.8兆韓元以后，全集團營利再次沖高到10兆韓元以上。另外，三星第2季的營利，也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
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- 財聯社7月4日電，韓國媒體NewDaily報道稱，三星電子的HBM3e芯片通過了英偉達的產品測試，三星將很快就大規模生產HBM并供應給英偉達一事展開談判。
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- 隨著人工智能技術快速發展，AI芯片需求正急劇上升，推動先進封裝以及HBM技術不斷提升，硅晶圓產業有望從中受益。近期，環球晶董事長徐秀蘭對外透露，AI所需的HBM內存芯片，比如HBM3以及未來的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆疊，層數從12層到16層增加，同時結構下面還需要有一層基底的晶圓，這增加了硅晶圓的使用量。此前，媒體報道，AI浪潮之下全球HBM嚴重供不應求，原廠今明兩年HBM產能售罄，正持續增加資本投資，擴產HBM。據業界透露，相較于同容量、同制程的DDR5等內存技術，HBM高帶寬存儲芯片晶圓
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- 什么是 GDDR7 內存？它是用于 GPU 的下一代圖形內存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內用于各種產品，為現有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級，從而提高游戲和其他類型的工作負載的性能。但這個名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內存（用于“圖形雙倍數據速率”）推出以來，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問世了，每隔幾年就會有新的迭代到來，擁有更高的速度和帶寬。當前一代
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