- 根據TrendForce最新調查，消費型電子需求未如預期回溫，中國大陸地區的智能型手機，出現整機庫存過高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產品而延遲購買，市場持續萎縮。此一現象，導致以消費型產品為主的內存現貨價走弱，第二季價格較第一季下跌超過30％。盡管現貨價至8月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性內存市場正遭遇嚴峻挑戰。內存產業雖一向受周期因素影響，但202
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TrendForce 內存 DRAM
- IT之家 8 月 20 日消息，據韓媒 MK 報道，SK 海力士負責 HBM 內存業務的副總裁 Ryu Seong-soo 當地時間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達了希望 SK 海力士為其開發定制 HBM 產品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業進行電話溝通，并為滿足這些企業的需
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海力士 HBM 內存
- IT之家 8 月 13 日消息，據 IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾。▲ 圖源 IDC報告表示，數據中心對 AI 訓練與推理的需求飆升，其中對 HBM 內存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價和對通用 DRAM 產能的壓縮也推動 DRAM 平均價格上升，使總體內存市場營收大幅成長。此外終端設備市場回穩，AI PC、智能手機逐步發售，同樣提升
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- IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產能，這表明價格已經不太可能下降；再加上下半年是傳統旺季，預計價格會有所上漲。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時候還有報道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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- 行業人士消息，美光總裁暨CEO Sanjay
Mehrotra在今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創建第二個研發中心。據悉，中國臺灣經濟部門于2021年5月申請領航企業研發深耕計劃（大A+），提出DRAM先進技術暨高帶寬存儲器研發領航計劃，在中國臺灣設立第一個研發中心，獲補助47億元新臺幣，將研發先進制程落腳在中國臺灣生產。2021年，美光在中國臺灣申請
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- 8 月 9 日消息，小鵬汽車今日官宣，小鵬 MONA M03 首批量產車下線，全系標配高通 8155 芯片和 16GB 內存。博主@孫少軍09 稱，小鵬 MONA M03的門店展車已經提前到店，開票價 15 萬多，所以起步價只會在 14 萬以下。博主還提到，對于小鵬自己，最麻煩的永遠不是產品本身，而是前幾次上市交不出來（車）的“無語”。所以小鵬這次一定要強調量產下線，這個比其他的都重要。據此前報道，小鵬 MONA M03 已出現在工信部的新車申報名單中，車身尺寸 4780 x 1896 x 1445mm，
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小鵬 MONA M03 高通 8155 芯片 內存
- 全球領先的硅智財供貨商M31宣布與高塔半導體（Tower Semiconductor）達成重要合作里程碑。雙方連手成功開發出65納米制程的SRAM（靜態隨機存取內存）和ROM（只讀存儲器）IP產品，并已將設計模塊交付客戶端完成驗證，為半導體產業帶來全新的先進內存解決方案。M31與高塔半導體共同優化的設計架構，巧妙結合低功耗組件Analog FET（模擬場效晶體管），不僅能夠完美滿足當前SoC芯片對低功耗的嚴格要求，更為未來物聯網（IoT）、智能型穿戴裝置、車聯網（V2X）以及人工智能（AI）等新興應用領域
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M31 高塔半導體 65納米 內存
- IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產準備，2026 年二季度正式啟動大規模生產。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現量產。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業界平均水平。IT之家注：從代際發布間隔
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- 內存市場迎來新一輪 DRAM 技術「革命」。
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- IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經濟日報》（Hankyung）與 Blocks & Files 報道，SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業務，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 規格，61.44TB由于內外部因素的共同影響，Sol
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- 人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲器迎來了新一輪的發展契機，而與此同時，在服務器需求推動下，存儲產業的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺”。當前，AI及大數據的快速發展帶動服務器CPU內核數量同步增加，為滿足多核CPU中各內核的數據吞吐要求，需要大幅提高內存系統的帶寬，在此情況下，服務器高帶寬內存模組MRDIMM/MCRDIMM應運而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標準細節當地時間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復用雙列直插式內存模組
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- HBM4是目前發布的HBM3標準的進化版，旨在進一步提高數據處理速率，同時保持基本特性，例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個芯片和/或堆棧容量 —— 這些對于需要高效處理大數據集和復雜計算的應用至關重要，包括生成人工智能（AI）、高性能計算、高端顯卡和服務器。
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- 全面現貨供應、提供快速交付的全球電子元器件和自動化產品分銷商DigiKey今天宣布與Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內存產品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產品制造商之一，Kingston面向各種規模的工業和嵌入式OEM客戶，提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM組件在內的各種存儲產品。該公司還提供一系列專為系統設計師和制造者打造的工業級 SATA 和 NVMe 固態硬盤 (SSD)。DigiKey與Kingston Technology合作，提供
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- IT之家 7 月 22 日消息，據外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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- 在芯片制造領域，先進制程的影響力和統治力越來越大，已經從之前的邏輯芯片晶圓代工領域，拓展到最先進的存儲芯片制造，這在臺積電和三星身上有凸出的體現。當下的 3nm 制程晶圓代工，臺積電的市場統治力很明顯，三星處于弱勢地位。未來的 2nm 制程，三星必須加緊趕上，否則會越來越困難。在高帶寬內存（HBM）芯片制造方面，原本都由存儲芯片 IDM 大廠自家完成，但是，到了下一代的 HBM4，技術難度和制造難度提高了不少，需要更先進的制程工藝參與進來。2nm 制程針鋒相對據報道，臺積電將于 7 月中旬開始試生產 2n
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