- MRAM全球創新論壇是行業內磁阻隨機存取存儲器(MRAM)技術的頂級平臺,匯聚了來自業界和學術界的頂尖磁學專家與研究人員,共同分享MRAM的最新進展。今年已是第13屆,這一為期一天的年度會議將于2025年12月11日IEEE國際電子器件會議(IEDM)之后的第二天,上午8:45至下午6點在舊金山聯合廣場希爾頓酒店帝國宴會廳A/B舉行。2025年MRAM技術項目包括12場由全球頂尖MRAM專家邀請的演講,以及一個晚間小組討論。這些項目將聚焦于技術開發、產品開發、工具開發及其他探索性話題。MRAM技術是一種非
- 關鍵字:
MRAM 存儲技術創新 2025 創新論壇
- 超大規模園區和電網擴張帶來的創紀錄需求正與礦山產量放緩發生沖突。銅生產商和市場分析師開始描繪出一個供應缺口,正值超大規模人工智能園區接近創紀錄的用電量之際。國際能源署最新的關鍵礦產展望顯示,現有和計劃中的銅礦僅滿足2035年預計需求的約70%。伍德·麥肯齊預計短缺將更早出現,2025年精銅短缺預計為304,000噸,2026年缺口更大。這一趨勢與一波由人工智能驅動的電力基礎設施浪潮匯聚,將長期存在的工業金屬轉變為數據中心擴展的實際瓶頸。據伍德·麥肯齊、查爾斯·庫珀在接受《金融時報》采訪時表示,建設數據中心
- 關鍵字:
AI 數據中心 銅資源短缺 2025 銅缺口 銅礦供應緊 銅價上漲
- 第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日,召集了800多名女性工程師、技術專家、行業領袖、學術界、學生和研究人員,主題為“以數據驅動的半導體創新改變未來”。今年,該會議由IEEE班加羅爾分會、IEEE計算機科學學會班加羅爾分會和Women in Engineering AG班加羅爾分會聯合主辦,由三星半導體印度研究院(SSIR)主辦。IEEE班加羅爾分會主席Chandrakanta Kumar博士表示:“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半導體創新引擎
- 關鍵字:
半導體產業 嵌入式系統 IEEE Wintechon 2025 3D IC 集成
- 11月20日至21日,由成都高新發展股份有限公司、芯脈通會展策劃(上海)有限公司、成都市集成電路行業協會、重慶市半導體行業協會、成都國家芯火雙創基地共同主辦,成都海光集成電路設計有限公司、成都華微電子科技股份有限公司支持的“2025集成電路發展論壇(成渝)暨三十一屆集成電路設計業展覽會”(簡稱ICCAD-Expo 2025)在成都中國西部國際博覽城成功舉辦。本屆大會以“開放創芯,成就未來”為主題,創新設置了“1+10+1”系列活動架構,包括1場高峰論壇、10場專題論壇及1場產業展覽。活動聚焦行業前沿技術、
- 關鍵字:
ICCAD-Expo 2025
- 內卷這個詞在過去兩年中幾乎影響力每個人,連國家都出面呼吁大家反內卷。“國產替代”則隨著半導體成為國際局勢的角力工具變得越來越重要,很多人可能并不認為作為“高科技”產業和“國產替代”寵兒的半導體領域,應該不會存在內卷的問題,其實恰恰相反,半導體行業的內卷可能比互聯網更嚴重。在剛剛結束的ICCAD2025現場,魏少軍教授的主題報告專門提到了今年學會理事會的一個重要話題就是反內卷。這個倡議是說給設計企業聽的,不過在國內半導體產業鏈上,內卷情況比比皆是。但相比于反內卷,筆者覺得與會EDA企業喊出的另一個口號更值得
- 關鍵字:
ICCAD 反內卷 國產替代
- 各位半導體行業同仁:備受期待的集成電路設計行業年度盛會——2025集成電路發展論壇(成渝)暨三十一屆集成電路設計業展覽會(ICCAD-Expo 2025) 即將于明天(11月20日)在成都西博城盛大開幕!這是一場真正意義上的“三高”并舉的IC行業盛宴,您準備好了嗎?展商級別高01產業核心力量,一站式匯聚臺積電、西門子EDA、安謀科技、芯原股份、華大九天、概倫電子、銳成芯微、UMC、華力微電子、成都華微電子、日月光、Globalfoundries、長電科技、海光信息等300余家國內外領軍企業已集結
- 關鍵字:
ICCAD-Expo
- ICCAD-Expo 2025(三十一屆集成電路設計業展覽會)將于2025年11月20日-21日在成都·中國西部國際博覽城舉行。作為中國集成電路設計行業的年度盛會,本屆展會聚焦產業最新動態、技術趨勢與資源對接,是廣大半導體人獲取權威行業數據與技術方向不可或缺的重要媒介。那么今年的IC行業發展如何?2025年IC行業統計數據也已出爐!11月20日,魏少軍教授即將攜最新半導體行業統計數據,在ICCAD-Expo 2025高峰論壇環節發布題為《技術創新驅動設計產業升級》的IC行業主旨報告,屆時他將為我們總結20
- 關鍵字:
魏少軍 ICCAD
- 2025年11月20日至21日,全球居先的綜合電子元器件制造商村田中國(以下簡稱“村田”)將亮相于成都中國西部國際博覽城召開的“2025集成電路發展論壇(成渝)暨三十一屆集成電路設計業展覽會(ICCAD 2025)”,展位號:【D106】。此次大會,村田將重點關注未來高性能AI發展,著力為高速高頻設計挑戰提供更多小型化、高性能的元器件產品和解決方案,集中展示在集成電路領域的前沿技術和解決方案。隨著人工智能技術的迅速發展和算力需求的持續攀升,AI芯片的市場規模正迅速擴大。根據德勤中國今年發布的《技術趨勢20
- 關鍵字:
村田 ICCAD 集成電路發展論壇
- 作為一年一度的IC產業年度聚會,2025集成電路發展論壇(成渝)暨三十一屆集成電路設計業展覽會將于11月20日-21日在成都西博城召開。預計將有8000+行業精英,2000+IC企業,300+IC行業上下游服務商集結于此,行業覆蓋EDA、IP、設計服務、制造、封測等全產業鏈環節,IC產業的“全明星陣容”在成都共話行業未來“芯”趨勢。展會信息01 展會時間及地點2025年11月20日8:45-18:00 高峰論壇位置:成都西博城 二層 7 號館8:40-17:30 專業展覽位置:成都西博城 二層7-8號館2
- 關鍵字:
ICCAD-Expo
- 晶圓到晶圓混合鍵合和背面技術的進步將CMOS 2.0從概念變為現實,為計算系統擴展提供了更多選擇。在VLSI 2025 上,imec 研究人員展示了將晶圓間混合鍵合路線圖擴展到250 nm 互連間距的可行性。他們還通過制造120 nm 間距的極小的貫穿介電通孔,在晶圓背面顯示出高度致密的連接。在晶圓兩側建立如此高密度連接的能力為開發基于CMOS 2.0 的計算系統架構提供了一個里程碑,該架構依賴于片上系統內功能層的堆疊。基于CMOS 2.0 的系統還將利用包括供電網絡(BSPDN)在內的后端互連,其優勢可
- 關鍵字:
202510 晶圓連接 VLSI 2025 imec
- 享譽全球的半導體產業盛會ICCAD-Expo(第31屆)將于11月20日-21日在成都·中國西部國際博覽城盛大召開,來自全球領先的Foundry、EDA、IP、設計服務、封測、設計企業及合作伙伴將歡聚成都,分享集成電路前沿技術與創新成果。屆時大會主席、中國半導體行業協會集成電路設計分會魏少軍教授將分享《技術創新驅動設計產業升級》主旨報告,臺積電、UMC和艦科技、中芯國際、華力、西門子EDA、三星半導體、安謀科技、華大九天、概倫電子、芯原、阿里巴巴達摩院、合見工軟、國微芯、思爾芯、銳成芯微、英諾達、芯和半導
- 關鍵字:
ICCAD
- 在去年ICCAD-Expo上,魏少軍教授分享了2024中國芯片設計業發展情況:全行業銷售額約為 6460.4 億元人民幣,其中長三角、珠三角、中西部地區的產業規模分別為3828.4 億元、1662.1億元及985.5億元;全國營收過億元的企業 731 家,比上年增加106家,銷售額占比全行業 87.15%。同時,魏教授也指出了芯片設計業可能面臨龍頭增長乏力、產品結構偏中低端等問題,并針對這些外部打壓與內部挑戰給予了建設性的意見。那么今年的中國設計業發展如何?產業規模、企業數量是否還在穩固增長?EDA、IP
- 關鍵字:
ICCAD Expo
- 在當今的高性能計算領域,確保處理器、存儲和加速器之間快速可靠的通信對系統性能和可擴展性至關重要。因此,就誕生了Compute Express Link?(CXL?)標準:其目標是實現一致的內存訪問、低延遲的數據傳輸,以及不同先進架構之間的無縫互操作性。作為CXL聯盟的活躍成員,SmartDV Technologies在設計和驗證IP方面擁有數十年的專業知識,可以幫助工程團隊了解不斷發展的標準。我們符合規范的VIP產品組合使團隊能夠充滿信心地采用最新的CXL版本來加速開發,同時保持魯棒性和準確性。隨著CXL
- 關鍵字:
計算芯片設計 CXL SmartDV ICCAD
- 全球領先的高性能干簧繼電器制造商 Pickering Electronics 將在 SEMICON Taiwan 2025 展會上展示其全面的半導體測試繼電器產品組合,其中包括全新推出的 600系列可定制高壓干簧繼電器。該系列產品可在開關觸點間實現高達 20kV 耐壓,開關到線圈之間實現高達 25kV 耐壓。觀眾可在臺北南港展覽館英國館 I3022/J3034 展位參觀,展會時間為2025年9月10日至12日。Pickering 的600系列干簧繼電器代表了高壓繼電器設計的一項重大創新。該系列產品可根據客
- 關鍵字:
Pickering 干簧繼電器 SEMICON Taiwan 2025
- SK海力士公司今天宣布,在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上,該公司提出了未來30年的DRAM新技術路線圖和可持續創新的方向。SK海力士首席技術官(CTO)車善勇于6月10日發表了題為“推動DRAM技術創新:邁向可持續未來”的全體會議。首席技術官 Cha 在演講中解釋說,通過當前的技術平臺擴展來提高性能和容量變得越來越困難。“為了克服這些限制,SK海力士將在結構、材料和組件方面進行創新,將4F2 VG(垂直門)平臺和3D DRAM技術應用于10納米級或以下的技術。4F2 VG平臺是下一代
- 關鍵字:
SK海力士 IEEE VLSI 2025 DRAM
iccad-expo 2025介紹
您好,目前還沒有人創建詞條iccad-expo 2025!
歡迎您創建該詞條,闡述對iccad-expo 2025的理解,并與今后在此搜索iccad-expo 2025的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473