研究人員展示了基于FeFET的三維NAND電池，其通電電壓接近零，每個單元最多可達五位。三星研究人員發布了一份詳細的NAND實驗性架構報告，旨在將該技術最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進技術研究院的研究人員完成，發表在《自然》期刊上。 該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應晶體管（FeFET）設計，結合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導體通道，并引入了近乎零的通電壓作，構成了96%功率降低的基礎。在現代NAND中，每當讀取或編程單元時，貫穿
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NAND 三星 存儲技術 FeFET
三星研究人員發布了一份詳細的NAND實驗性架構報告，旨在將該技術最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進技術研究院的研究人員完成，發表在《自然》期刊上。 該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應晶體管（FeFET）設計，結合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導體通道，并引入了近乎零的通電壓作，構成了96%功率降低的基礎。在現代NAND中，每當讀取或編程單元時，貫穿每條垂直字符串的字線堆棧必須帶有通行電壓。隨著層數增加，開銷也隨之增加，由于層
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三星 鐵電晶體管 低功耗 NAND
在內存供應緊張和價格飆升給行業壓力的情況下，據ETNews和News 1報道，三星開發出了一種NAND閃存技術，能夠降低90%以上的功耗，預計將提升AI數據中心、移動設備及廣泛應用的能效。據報道，11月27日，SAIT（前三星先進技術研究院）宣布將在《自然》雜志上發表其關于新型NAND閃存結構的研究，以顯著提升能源效率。據ETNews報道，三星首次在全球范圍內發現了將氧化物半導體與鐵電結構結合的關鍵機制，從而將功耗降低了多達96%。正如報告所述，傳統NAND閃存存儲數據為注射電子進入每個細胞。因此，為了提
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NAND 閃存 SAIT
在鞏固其在 HBM 領域的領導地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發高帶寬 NAND 閃存 （HBF），該閃存通過 NAND 增強 HBM，用于 AI 推理工作負載。與此同時，據報道，該公司正在探索更廣泛的內存領域：高帶寬存儲 （HBS）。正如 ETnews 報道的那樣，哈佛商學院將移動 DRAM 和 NAND 相結合，以提高智能手機、平板電腦和其他移動設備的 AI 性能。報告援引消息人士解釋說，SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起，以創建HBS，它可以堆疊多達16層
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SK海力士 高帶寬 存儲堆疊 NAND DRAM
AI服務器推動儲存需求爆發，傳統硬盤（HDD）持續大缺貨，據悉，交付期限已延長至2年以上，北美及中國云端服務（CSP）大廠「緊急加單」，采購大容量企業級固態硬盤（SSD）。 部分原廠2026年QLC NAND Flash產能也被提前搶購一空，業界預期，最快在2027年，全球QLC位可能超車TLCNAND。AI發展重點轉向推論，依賴高效能及大容量儲存裝置，北美多個數據中心陸續建設落成，CSP大廠迫切需要高容量儲存裝置供應配合，但傳統近線儲存（Nearline Storage）首選的HDD產能受限，無法快速承
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總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。根據公開信息，2025年4月，養元飲品子公司泉泓、農銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產、工融金投等15家機構同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業管理合伙企業（有限合伙），上述兩筆
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長江存儲 半導體 3D NAND 晶棧 Xtacking
存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據 SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協商根據市場條件調整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據 EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達到 70%。行業消息來源還表
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根據韓國媒體《Yonhap Infomax》，日本 NAND 閃存生產商 Kioxia 的股價在 NAND 市場供應短缺的情況下急劇上漲。報道指出，SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia——在多年等待后現在正實現顯著的價值增長。報道指出，截至 16 日，Kioxia 在東京證券交易所的股價在過去一個月內上漲了 70%。隨著鎧俠股價飆升，作為主要投資者的 SK 海力士也從中受益。據報道，2018 年 SK 海力士投資了 3950 億日元（約 3.9 萬億韓元）的貝恩資本主導的
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隨著全球數據中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓練 AI 轉向推理 AI，推動了對大容量內存需求的持續增長，并導致內存供應緊張從 DRAM 轉向 NAND。供應鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價格上調 10%之后，美光也通知客戶將暫停所有產品的價格一周。行業內部人士報告稱，美光將從今天開始停止向分銷商和 OEM/ODM 制造商報價，涵蓋 DRAM 和 NAND 產品，甚至不愿意討論明年的長期合同。供應鏈消息人士表示，在審查客戶 FCST（需求預測）后，美光發現將面臨嚴重的供應短缺，促使公司緊急暫停
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現在，國產存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司正式注冊成立，注冊資本高達207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設計、銷售及芯片產品進出口，并涉及技術服務、貨物進出口、技術進出口等全鏈條業務，引起了業內廣泛關注。股權結構方面，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司由長江存儲科技有限責任公司與湖北長晟三期投資發展有限責任公司共同持股 —— 長江存儲科技有限責任公司持股比例為50.19%、認繳104億元；湖北長
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根據 ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
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TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應商的總收入環比增長22%，達到146.7億美元。三星第二季度收入環比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環比增長 52.5%，達到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環比增長11.4%至21.4億美元，環比增長11.4%，排名第三。美光收入環比增長 3.7%，達到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環比增長 12.2% 至 19 億美元
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三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進口美國芯片制造設備——根據 路透社和 彭博社的數據，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙 。正如聯邦文件所示，報告表明撤銷將在 120 天后開始。報道補充說，值得注意的是，美國政府表示將批準三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現有晶圓廠的運營，但不會批準產能擴張或技術升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經在今年早些時候通過出售其大連工廠
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據韓媒ZDNet Korea援引業界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業資金更多集中于DRAM和封裝領域，導致對NAND的投資負擔加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進轉換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現有設備，效率較高。然而，近期三星針對最先進NAND的轉換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉換投資
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三星 SK海力士 NAND
美光??宣布推出業內最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內存解決方案組合中的首款產品，現已實現商業化。該產品專為航空航天及其他極端嚴苛環境使用而設計。該產品已根據 NASA 的 PEM-INST-001 標準進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環、缺陷篩選和動態老化。它還基于美國軍用標準 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環境中的可靠性。這
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美光 內存 NAND
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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