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三星大力推崇96%的NAND設(shè)計(jì)采用低功耗——研究人員研究基于鐵電晶體管的設(shè)計(jì)

研究人員展示了基于FeFET的三維NAND電池，其通電電壓接近零，每個單元最多可達(dá)五位。三星研究人員發(fā)布了一份詳細(xì)的NAND實(shí)驗(yàn)性架構(gòu)報(bào)告，旨在將該技術(shù)最大的功耗之一減少多達(dá)96%。這項(xiàng)工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進(jìn)技術(shù)研究院的研究人員完成，發(fā)表在《自然》期刊上。該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應(yīng)晶體管（FeFET）設(shè)計(jì)，結(jié)合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導(dǎo)體通道，并引入了近乎零的通電壓作，構(gòu)成了96%功率降低的基礎(chǔ)。在現(xiàn)代NAND中，每當(dāng)讀取或編程單元時，貫穿
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三星推崇基于鐵電晶體管設(shè)計(jì)的低功耗NAND

三星研究人員發(fā)布了一份詳細(xì)的NAND實(shí)驗(yàn)性架構(gòu)報(bào)告，旨在將該技術(shù)最大的功耗之一減少多達(dá)96%。這項(xiàng)工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進(jìn)技術(shù)研究院的研究人員完成，發(fā)表在《自然》期刊上。該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應(yīng)晶體管（FeFET）設(shè)計(jì)，結(jié)合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導(dǎo)體通道，并引入了近乎零的通電壓作，構(gòu)成了96%功率降低的基礎(chǔ)。在現(xiàn)代NAND中，每當(dāng)讀取或編程單元時，貫穿每條垂直字符串的字線堆棧必須帶有通行電壓。隨著層數(shù)增加，開銷也隨之增加，由于層
關(guān)鍵字：三星鐵電晶體管低功耗 NAND

三星據(jù)報(bào)道將在研發(fā)部門調(diào)整中發(fā)布NAND技術(shù)，將削減96%的功耗

在內(nèi)存供應(yīng)緊張和價格飆升給行業(yè)壓力的情況下，據(jù)ETNews和News 1報(bào)道，三星開發(fā)出了一種NAND閃存技術(shù)，能夠降低90%以上的功耗，預(yù)計(jì)將提升AI數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備及廣泛應(yīng)用的能效。據(jù)報(bào)道，11月27日，SAIT（前三星先進(jìn)技術(shù)研究院）宣布將在《自然》雜志上發(fā)表其關(guān)于新型NAND閃存結(jié)構(gòu)的研究，以顯著提升能源效率。據(jù)ETNews報(bào)道，三星首次在全球范圍內(nèi)發(fā)現(xiàn)了將氧化物半導(dǎo)體與鐵電結(jié)構(gòu)結(jié)合的關(guān)鍵機(jī)制，從而將功耗降低了多達(dá)96%。正如報(bào)告所述，傳統(tǒng)NAND閃存存儲數(shù)據(jù)為注射電子進(jìn)入每個細(xì)胞。因此，為了提
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SK海力士探索高帶寬存儲堆疊 NAND 和 DRAM

在鞏固其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發(fā)高帶寬 NAND 閃存（HBF），該閃存通過 NAND 增強(qiáng) HBM，用于 AI 推理工作負(fù)載。與此同時，據(jù)報(bào)道，該公司正在探索更廣泛的內(nèi)存領(lǐng)域：高帶寬存儲（HBS）。正如 ETnews 報(bào)道的那樣，哈佛商學(xué)院將移動 DRAM 和 NAND 相結(jié)合，以提高智能手機(jī)、平板電腦和其他移動設(shè)備的 AI 性能。報(bào)告援引消息人士解釋說，SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起，以創(chuàng)建HBS，它可以堆疊多達(dá)16層
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HDD交付延遲拉長至2年QLC NAND產(chǎn)能提前被搶購一空

AI服務(wù)器推動儲存需求爆發(fā)，傳統(tǒng)硬盤（HDD）持續(xù)大缺貨，據(jù)悉，交付期限已延長至2年以上，北美及中國云端服務(wù)（CSP）大廠「緊急加單」，采購大容量企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）。部分原廠2026年QLC NAND Flash產(chǎn)能也被提前搶購一空，業(yè)界預(yù)期，最快在2027年，全球QLC位可能超車TLCNAND。AI發(fā)展重點(diǎn)轉(zhuǎn)向推論，依賴高效能及大容量儲存裝置，北美多個數(shù)據(jù)中心陸續(xù)建設(shè)落成，CSP大廠迫切需要高容量儲存裝置供應(yīng)配合，但傳統(tǒng)近線儲存（Nearline Storage）首選的HDD產(chǎn)能受限，無法快速承
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長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責(zé)任公司（長存集團(tuán)）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨(dú)角獸第9、全球第21，成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨(dú)角獸。根據(jù)公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機(jī)構(gòu)同步參與；7月，長存集團(tuán)新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計(jì)劃一號至六號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
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SK 海力士據(jù)報(bào)道與客戶協(xié)商價格調(diào)整，跟隨美光和三星

存儲巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報(bào)道，正與客戶協(xié)商根據(jù)市場條件調(diào)整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據(jù) EE Times China9 月 12 日報(bào)道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費(fèi)級和工業(yè)級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來源還表
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Kioxia 股價因 NAND 短缺上漲 70%；SK hynix 收獲股份收益

根據(jù)韓國媒體《Yonhap Infomax》，日本 NAND 閃存生產(chǎn)商 Kioxia 的股價在 NAND 市場供應(yīng)短缺的情況下急劇上漲。報(bào)道指出，SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia——在多年等待后現(xiàn)在正實(shí)現(xiàn)顯著的價值增長。報(bào)道指出，截至 16 日，Kioxia 在東京證券交易所的股價在過去一個月內(nèi)上漲了 70%。隨著鎧俠股價飆升，作為主要投資者的 SK 海力士也從中受益。據(jù)報(bào)道，2018 年 SK 海力士投資了 3950 億日元（約 3.9 萬億韓元）的貝恩資本主導(dǎo)的
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美光凍結(jié)價格，推理 AI 推動 SSD 需求激增及供應(yīng)短缺

隨著全球數(shù)據(jù)中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓(xùn)練 AI 轉(zhuǎn)向推理 AI，推動了對大容量內(nèi)存需求的持續(xù)增長，并導(dǎo)致內(nèi)存供應(yīng)緊張從 DRAM 轉(zhuǎn)向 NAND。供應(yīng)鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價格上調(diào) 10%之后，美光也通知客戶將暫停所有產(chǎn)品的價格一周。行業(yè)內(nèi)部人士報(bào)告稱，美光將從今天開始停止向分銷商和 OEM/ODM 制造商報(bào)價，涵蓋 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品，甚至不愿意討論明年的長期合同。供應(yīng)鏈消息人士表示，在審查客戶 FCST（需求預(yù)測）后，美光發(fā)現(xiàn)將面臨嚴(yán)重的供應(yīng)短缺，促使公司緊急暫停
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長江存儲加速產(chǎn)能擴(kuò)張：新公司注冊資本達(dá)207億，其認(rèn)繳出資104億元

現(xiàn)在，國產(chǎn)存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司正式注冊成立，注冊資本高達(dá)207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設(shè)計(jì)、銷售及芯片產(chǎn)品進(jìn)出口，并涉及技術(shù)服務(wù)、貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口等全鏈條業(yè)務(wù)，引起了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。股權(quán)結(jié)構(gòu)方面，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司由長江存儲科技有限責(zé)任公司與湖北長晟三期投資發(fā)展有限責(zé)任公司共同持股 —— 長江存儲科技有限責(zé)任公司持股比例為50.19%、認(rèn)繳104億元；湖北長
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內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

根據(jù) ZDNet 的報(bào)道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報(bào)告援引消息人士的話警告說，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險(xiǎn)。報(bào)告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細(xì) TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報(bào)告強(qiáng)調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進(jìn)展緩慢。此外，SK
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第二季度NAND收入環(huán)比增長22%

TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應(yīng)商的總收入環(huán)比增長22%，達(dá)到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環(huán)比增長 52.5%，達(dá)到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環(huán)比增長11.4%至21.4億美元，環(huán)比增長11.4%，排名第三。美光收入環(huán)比增長 3.7%，達(dá)到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環(huán)比增長 12.2% 至 19 億美元
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美國撤銷對三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證：解碼市場影響

三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風(fēng)險(xiǎn)，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進(jìn)口美國芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙。正如聯(lián)邦文件所示，報(bào)告表明撤銷將在 120 天后開始。報(bào)道補(bǔ)充說，值得注意的是，美國政府表示將批準(zhǔn)三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現(xiàn)有晶圓廠的運(yùn)營，但不會批準(zhǔn)產(chǎn)能擴(kuò)張或技術(shù)升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時候通過出售其大連工廠
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三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計(jì)劃

據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計(jì)劃在2025年下半年放緩對先進(jìn)NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領(lǐng)域，導(dǎo)致對NAND的投資負(fù)擔(dān)加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進(jìn)轉(zhuǎn)換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉(zhuǎn)換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現(xiàn)有設(shè)備，效率較高。然而，近期三星針對最先進(jìn)NAND的轉(zhuǎn)換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉(zhuǎn)換投資
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美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認(rèn)證

美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴(yán)苛環(huán)境使用而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了嚴(yán)格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗(yàn)證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
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