近期，三星與SK海力士公布2025年經營報告，兩大存儲芯片巨頭在2025年持續加大對華投資，積極擴產以滿足全球存儲芯片需求。

三星電子2025年對位于中國西安的NAND閃存生產基地投資4654億韓元，較2024年同比增長67.5%。投資主要用于工藝升級，將西安工廠的NAND閃存產線從128層（第六代）升級至236層（第八代），并計劃2026年實現280層（第九代）量產，以滿足AI服務器、數據中心等對高容量、高可靠性存儲芯片的需求。今年3月30日，三星位于中國西安的NAND晶圓廠完成關鍵工藝制程升級，第八代V-NAND正式實現量產。

SK海力士2025年向江蘇無錫DRAM晶圓廠投資5811億韓元（同比增長102%），向遼寧大連NAND閃存工廠投資4406億韓元（同比增長52%），合計超1萬億韓元。 投資用途方面，無錫工廠重點升級DRAM工藝節點，從1Z升級至1A，支持DDR5、LPDDR5X等高附加值產品量產；大連工廠聚焦NAND閃存產能擴張和技術升級，推進321層第九代NAND產線轉換。 無錫工廠貢獻SK海力士全球30%以上的DRAM產能，大連工廠是其重要的NAND閃存生產基地，占全球NAND產能的40%-45%。

全球AI算力爆發導致存儲芯片需求激增，三星和SK海力士通過加大在華投資，旨在提升產能、優化工藝，以快速響應市場需求，鞏固其在全球存儲芯片市場的領先地位。

業界認為，這不僅是簡單的產能擴張，更是一場圍繞先進制程主導權的戰略競賽。NAND閃存正加速沖刺200層以上時代，DRAM則持續瞄準1a納米工藝。另外，中國作為全球最大的半導體消費市場和電子信息制造基地，擁有完善的產業鏈配套和成熟的營商環境，是韓國存儲芯片企業全球布局的關鍵環節。但需要注意的是，盡管投資增加，但國際形勢變化可能影響韓國企業從中國工廠獲取先進設備和技術，未來投資節奏可能受政策因素影響。