繼長期虧損的SoC之后，瑞薩又加快了利潤最高的MCU的外包制造。該公司于2012年5月宣布，將與臺積電(TSMC)合作開發40nm工藝的閃存混載MCU制造技術，并委托臺積電生產。車載MCU也將成為外包對象。瑞薩表示，到2016年度將把半導體整體的外包生產比例由2011年度的15%提高到30%。

　　日本國內工廠進一步空洞化?

　　雖然日本企業的SoC業務相繼出現因承受不了巨額設備投資而轉為外包的情況，但要求高品質的車載MCU等以前一直被認為難以實施外包生產。“情況因東日本大地震而發生了變化”(巖元)。瑞薩生產MCU的主力工廠——那珂工廠受災，產品供應欠賬的情況持續了大約半年。結果，“以汽車廠商為首的很多客戶要求不僅在日本國內生產，還要在海外進行多元化生產”(巖元)。

　　地震以后，瑞薩就針對200mm晶圓生產線生產的0.15μm工藝以前的MCU，構建能由美國GLOBALFOUNDRIES公司多元化生產的體制。2011年底，瑞薩決定將300mm晶圓生產線生產的90nm工藝閃存混載MCU委托給臺積電生產。此次進一步就40nm工藝產品與臺積電展開合作。由臺積電生產的MCU的供貨時間方面，90nm工藝產品為2013年度，40nm工藝產品為2014年度。

　　由此可見，瑞薩與臺積電合作是為了實現多元化生產，瑞薩還將繼續堅持自主生產。90nm工藝產品將在鶴岡工廠生產，40nm工藝產品將在那珂工廠生產。不過，可以認為半導體外包生產完全有可能以此為契機進一步加快步伐。如果要求高品質的車載MCU等產品也能夠外包生產，那么在更多的半導體產品上利用低成本的代工企業將成為一種趨勢。今后，日本國內工廠有可能進一步空洞化。

　　另外，部分報道稱瑞薩將把鶴岡工廠出售給臺積電，瑞薩對此不予置評。

　　目的在于制造技術的授權

　　瑞薩與臺積電合作的目的還在于將已在MCU業務中構建的生態系統擴展到SoC領域。瑞薩2011年的MCU市場份額為27%，車載MCU的份額高達42%，已經建立了軟件開發環境等生態系統。但瑞薩對SoC設計環境的影響力不是很高。因為SoC的設計環境大多不是以瑞薩的制造技術為前提，而是以TSMC等代工企業的制造技術為前提構建的。

　　因此，此次合作將把40nm工藝閃存混載技術作為臺積電制造技術的菜單之一。基礎的CMOS技術將使用臺積電的40nm工藝技術，在此基礎上追加瑞薩自主的SG-MONOS(split-gatemetal-oxide-nitride-oxide-silicon)型閃存混載技術。如果該制造技術能夠被臺積電的客戶廣泛使用，瑞薩很可能還能獲得SG-MONOS技術的授權收入。