中國聲稱采用14納米邏輯和18納米DRAM的新架構有望與英偉達4納米GPU匹敵

在美國出口限制日益嚴格的背景下,中國正轉向創新的芯片架構以增強計算能力。據《南華早報》報道,這一策略——將成熟節點芯片與新穎系統設計結合——旨在縮小與英偉達的性能差距。
《南華早報》援引中國半導體工業協會副會長魏少軍的話稱,14納米邏輯芯片結合高性能內存和先進計算架構,可能接近英偉達4納米AI訓練處理器的能力。他進一步強調,他提出的框架建立在“完全本土的供應鏈”之上。
Wei的方法聚焦于“軟件定義近內存計算”,即利用3D混合鍵合將14nm邏輯芯片與18nm DRAM堆疊。報告補充說,近內存計算使處理器更靠近內存,實現硬件與軟件的協同設計,以減少數據流動并提高效率。
Tom's Hardware指出,三維混合鍵合(銅對銅和氧化物結合),用直接銅互連取代焊點,且間距低于10微米,是擬議設計的關鍵元素。
據《商業時報》報道,該解決方案還旨在減少對NVIDIA CUDA生態系統的市場依賴。Wei指出CUDA是一個主要的漏洞點,指出一旦軟件、模型和硬件綁定到單一專有平臺,部署替代處理器將變得極其困難,正如Tom's Hardware所指出的。
中國媒體PCPOP表示,魏明披露了更多性能聲明,稱國產設計每瓦實現2 TFLOPS,總計120 TFLOPS——他稱這些數據超過了NVIDIA A100 GPU。然而,官方規格顯示A100可達312 TFLOPS,遠超中國方案的能力。
利用堆疊設計抵消工藝技術極限的基本理念,也得到了其他中國科技領袖的呼應。據《南華早報》報道,華為創始人任任正飛認為,中國可以通過芯片“堆疊與集群”實現前沿性能,而無需直接逐節點競賽。















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