來自供應鏈的消息顯示，英偉達極有可能成為臺積電下一代的A16制程（1.6nm）首個客戶，其新一代GPU「Feynman」將有望首發采用。英偉達也是目前唯一傳聞將會采用臺積電A16制程的廠商。

報道稱，英偉達的Rubin與Rubin Ultra系列將率先采用3nm制程，而再下一代Feynman則計劃直接升級到A16制程。英偉達的產品路線圖顯示，Vera Rubin預計于2026年下半年推出、Rubin Ultra落在2027年下半年，Feynman則將于2028年登場。

為配合英偉達的計劃，臺積電高雄P3廠正加速建設，預計在2027年啟動A16制程的量產。近期臺積電擴充3nm產能，也被業界解讀為是應對英偉達的大量拉貨、并提前為A16布局。

據了解，臺積電A16制程采用全新的Nanosheet（納米片）架構，并搭配SPR（Super Power Rail，超導電軌）背面供電技術，可釋放更多正面布局空間、提升邏輯密度并降低壓降，其背面接面（Backside Contact）也能維持傳統版圖彈性，是業界首創的背面供電整合方案。相較N2P制程，A16制程在相同功耗下速度可提升8-10%，在相同速度下功耗可降低15-20%，芯片密度也將提高7%-10%。

值得注意的是，除了臺積電外，其他晶圓大廠也正加速布局背面供電技術：三星已在今年的晶圓代工論壇宣布，將于2027年量產BSPDN（背面供電網絡）制程SF2Z；而英特爾的PowerVia背面供電構架將使用于2025年底量產的18A制程節點。