據知情人士透露，英偉達已告知中國客戶，計劃在2月中旬春節假期前開始向中國市場交付H200 AI芯片。另外，還計劃增加該芯片的產能，相關訂單將于2026年第二季度開始接受。但是，目前仍存在很大的不確定性，時間表可能會根據政府的決定而有所調整，消息人士表示“在獲得官方批準之前，一切都還未確定”。

H200屬于英偉達上一代Hopper系列，英偉達已將生產重心轉移到最新的Blackwell及其即將推出的Rubin系列芯片上。預計英偉達將從現有庫存中交付首批訂單，出貨量為5000-10000個芯片模塊，相當于約40000-80000顆H200芯片。

重大政策轉變

2025年12月8日，美國總統特朗普表示英偉達將被允許向中國及其他地區的“指定客戶”交付其H200人工智能芯片，“商務部正在敲定細節，同樣的辦法也將適用于AMD、英特爾以及其他優秀的美國公司”，條件是美國獲得25%的收益。此舉標志著政策的重大轉變，與拜登政府此前以國家安全為由禁止向中國出售先進人工智能芯片的做法截然不同。

有報道稱，特朗普政府已啟動對H200芯片對華銷售許可申請的跨部門審查，兌現了他允許銷售的承諾。知情人士匿名透露，負責監管出口政策的美國商務部已將這批芯片的銷售許可申請，送交美國國務院、能源部和國防部進行審查。根據出口相關法規，上述部門需在30天內給出審核意見。

美國人工智能芯片對中國的出口管制規則以2025年5月美國商務部工業和安全局（BIS）發布的三份核心文件為核心框架，結合此前的《出口管制條例》（EAR）及外國直接產品規則（FDPR），從芯片技術參數管控、交易行為限制、實體清單制裁等維度對中國實施近乎全面的出口禁令 —— 針對中國實體的AI芯片出口許可申請，BIS適用「推定拒絕」原則，即除非有特殊國家安全豁免，否則一律駁回。

此舉雖然有巨大的商業利益，但是也面臨美國出口管制的許可審核障礙，因為根據EAR及相關行政要求，英偉達H200屬于限制向中國出口的人工智能芯片。美國推定所有符合3A090參數的中國芯片均違反EAR，任何涉及此類芯片的交易（包括銷售、使用、維護）相關主體將面臨刑事處罰（最高20年監禁）和民事罰款（最高每次違規200萬美元）。

技術參數管制

美國以ECCN 3A090為核心管控編碼，將滿足特定總處理性能（TPP）和性能密度指標的AI芯片納入管制范疇，且通過FDPR將管轄范圍延伸至境外制造的芯片。

· 2022年10月7日，BIS在《商業控制清單》（CCL）中新增3A090管制物項，對先進計算相關的芯片和集成電路進行管制。涉及的物項例如具有或可編程獲得輸入輸出雙向傳輸率總計600Gbyte/s或以上的集成電路（不包括易失性存儲器），該類芯片包括但不限于GPU、CPU以及內存芯片等類別產品。

· 2023年10月17日，BIS更新了“先進計算芯片和半導體制造設備出口管制規則”的三項內容。調整先進芯片管控參數指標，重點管控AI模型訓練相關芯片。這是對2022年10月7日規則的修改和強化，進一步加嚴對人工智能相關芯片、半導體制造設備的對華出口限制。

3A090原采用“總輸入與輸出的雙向傳輸率（aggregate bidirectional transfer）”以及“每秒萬億運算數（Tera Operations Per Second，TOPS）”作為界定本ECCN項下受控芯片物項參數范圍的指標。BIS通過“1017”規則修訂，調整了3A090的管控參數及物項描述，改為使用“總算力（TPP，total processing performance）”以及“性能密度（performance density）”兩個指標界定3A090的管控范圍，并且就該些指標提供了相應的明確計算公式。

根據公開資料，英偉達H200相關閾值為：

性能密度（BIS管制口徑）：單位芯片面積的TPP值。這是美國對AI芯片出口管制的核心計算方式，公式為總處理性能（TPP）÷ 芯片物理面積，單位為（TOPS× 位寬）/mm2。

TPP的前置計算：TPP = TOPS（每秒萬億次操作）× 位寬（bit），H200在FP8精度下TOPS為3958，位寬8bit，因此TPP=3958×8=31664，遠超美國BIS設定的管制閾值；若按INT8精度計算，TOPS同樣為3958，位寬8bit，TPP結果一致。

芯片面積：H200采用臺積電4N制程，芯片面積為814mm2（800億晶體管，晶體管密度約1.0億/mm2）。

最終計算：性能密度=31664÷814≈38.9（TPP/mm2），遠超美國BIS設定的5.92管制閾值。