這是臺積電創(chuàng)紀(jì)錄的一筆投資獲批。

臺積電于本周二召開董事會，會上批準(zhǔn)了一項規(guī)模達 449.62 億美元的投資計劃，將用于新建晶圓廠及升級現(xiàn)有產(chǎn)能。該筆投資是臺積電今年 520 億至 560 億美元資本支出總計劃的一部分，剩余資金的審批將在后續(xù)董事會中完成。此外，臺積電還對其 1 納米級制程技術(shù)的核心研發(fā)人員予以晉升。

創(chuàng)紀(jì)錄的投資獲批金額

臺積電每季度都會召開董事會，審批資本撥款、注資及股息派發(fā)等事項，且公司往年通常會力求全年各季度的資本支出審批金額相對均衡。例如去年，臺積電董事會一季度批準(zhǔn) 171.41 億美元投資、二季度 152.47 億美元、三季度 206.57 億美元、四季度 149.81 億美元，其中部分資金將在 2026 年甚至更晚投入使用。本次 449.62 億美元的投資獲批金額創(chuàng)下歷史紀(jì)錄，既表明臺積電的產(chǎn)能擴張策略愈發(fā)激進，也反映出其項目成本不斷攀升，這與晶圓廠建設(shè)成本持續(xù)走高的行業(yè)整體趨勢相一致。

需要說明的是，資本撥款的獲批并不等同于實際資金支出，只是授權(quán)管理層將資金用于特定項目，這些項目的支出可能計入也可能不計入本財年的資本支出。不過，隨著臺積電的資本支出預(yù)算逐年增加，其資本撥款的金額也同步走高。

臺積電今年早些時候曾宣布，計劃投入 520 億至 560 億美元，用于建設(shè)全新制造產(chǎn)能、升級現(xiàn)有晶圓廠以及打造先進封裝產(chǎn)線。這家芯片代工商計劃將 2026 年 70% 至 80% 的資本支出用于先進制程技術(shù)研發(fā)與落地，10% 至 20% 投入先進封裝和光罩制造領(lǐng)域，約 10% 則用于特殊制程技術(shù)相關(guān)布局。

臺積電加速對先進晶圓廠的投入，意在憑借前沿產(chǎn)能的充足供應(yīng)，在與英特爾、三星代工的競爭中形成絕對優(yōu)勢。若臺積電的先進產(chǎn)能遠多于競爭對手，將更易斬獲大客戶的大額訂單；即便其產(chǎn)能僅略高于客戶需求，客戶也幾乎不會將任何一部分生產(chǎn)訂單外包給競品廠商。

1 納米級 A10 制程研發(fā)負責(zé)人獲晉升

本次董事會另一項值得關(guān)注的舉措，是將臺積電研發(fā)組織資深總監(jiān)林士祥（S.S. Lin）晉升為副總裁，其目前主要負責(zé)公司 A10 制程技術(shù)（1 納米級）的研發(fā)工作。

此次晉升大概率表明，臺積電高層對 A10 制程平臺的研發(fā)進展及現(xiàn)階段取得的初步成果表示滿意。盡管這只是推測，但晉升為副總裁后，林士祥將不再僅負責(zé)這一單一卻至關(guān)重要的制程節(jié)點，而是能夠統(tǒng)籌更多技術(shù)項目，同時在技術(shù)路線圖的目標(biāo)制定、優(yōu)先級排序及資源分配上擁有更大的話語權(quán)。此外，隨著 A10 制程項目從研發(fā)階段逐步走向最終定型，并開始對接合作伙伴與客戶，項目負責(zé)人也需要擁有更大的權(quán)限來推進目標(biāo)落地。

A10 是臺積電繼 A14 之后的新一代制程技術(shù)，預(yù)計將于 2030 年或更晚向客戶開放。臺積電預(yù)計，基于該制程技術(shù)，屆時可打造出晶體管數(shù)量超 2000 億的單片芯片。有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，臺積電計劃在 A10 制程節(jié)點中啟用高數(shù)值孔徑極紫外光刻設(shè)備。