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問：能否進一步降低超低噪聲 μModule 穩壓器的輸出開關噪聲？答：使用二階輸出濾波器可將超低噪聲Module穩壓器的輸出噪聲降低90%以上。選擇電容和電感元件時必須謹慎，以確保控制回路能夠快速且穩定地運作。這種設計對......
氮化鎵（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯二極管實現第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力......
財聯社5月12日電，寧德時代在港交所公告，在港上市擬發行1.179億股H股（視乎發售量調整權及超額配股權行使與否而定），最高發行價為263港元/股。預期5月13日至5月16日期間定價，5月20日開始在港交所買賣。......
半導體行業正處于性能、效率和可靠性必須同步發展的階段。AI 基礎設施、電動汽車、電源轉換和通信系統的需求正在將材料推向極限。氮化鎵 （GaN） 越來越受到關注，因為它可以滿足這些需求。該行業已經到了這樣一個地步......
引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發展，開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高，設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅動電路，確保對MOSFET的安全控制，......
高效率和高功率密度是為當今產品設計電源時的關鍵特性。為了實現這些目標，開發人員正在轉向氮化鎵 （GaN），這是一種可實現高開關頻率的寬帶隙半導體技術。與競爭對手的功率半導體技術相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的......
前沿動態德州儀器 (TI) 于 5 月 6 日至 8 日在德國紐倫堡舉辦的電力轉換與智能運動（Power Conversion, Intelligent Motion，PCIM）展覽會上展示新的功率管理產品和設計。德州儀......
英飛凌憑借其高性能功率開關器件和EiceDRIVER?列的隔離柵極驅動器而聞名，每個功率開關都需要驅動器，對于驅動器的選擇，英飛凌共有441個不同的型號（截止2025年1月16日），分別屬于非隔離型、電平位移型和采用無磁......
一、厚膜電阻技術特性與市場定位厚膜電阻作為電子電路基礎元件，采用絲網印刷工藝在氧化鋁基板上沉積電阻漿料（主要成分為RuO?或Ag-Pd合金），經高溫燒結形成功能性電阻層。其技術特性與市場定位可通過以下關鍵參數體現：（注：......
在消費電子市場高速發展的當下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現代家電設備中不可或缺的核心器件。憑借其優異的開關特性、低導通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術正持續推動家電產品能效升級。安世半導體推出的650 V G......
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