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三星OSAT合作伙伴韓亞美光將越南的產(chǎn)能削減至三分之一
- 據(jù)報道，隨著關(guān)稅風險迫在眉睫和市場不確定性上升，總部位于韓國的 OSAT 巨頭韓亞美光已縮減其在越南的擴張計劃。據(jù)《財經(jīng)新聞》和越南 CAFEF 報道，其北寧工廠正在尋求批準將產(chǎn)能削減三分之二。報道援引韓美光越南向越南當局提交的修改其環(huán)境許可證的提案，將這一舉措歸因于需求疲軟，并指出該公司尚未收到包括三星在內(nèi)的主要國內(nèi)和國際合作伙伴的大訂單。報告表明，韓亞美光已提議將半導(dǎo)體芯片的年產(chǎn)量從 3 億顆降低到 1 億顆，此舉是在 2024 年 10 月獲得的早期許可之后采取的。韓亞美光是三星
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三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術(shù)
- 據(jù)消息人士透露，三星計劃在下個月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務(wù)。同時，三星還提高了MLC NAND的價格，促使部分客戶開始尋找替代供應(yīng)商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應(yīng)商，以填補這一空缺。據(jù)悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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三星將在2028年之前推出玻璃中介層，加快更小面板的原型設(shè)計
- 據(jù) Wccftech 援引 etnews 報道，三星正在繼續(xù)加強其代工業(yè)務(wù)，據(jù)報道正計劃采用玻璃基板進行芯片封裝。正如報告指出的那樣，這家韓國科技巨頭打算到 2028 年用玻璃中介層取代傳統(tǒng)的硅中介層。值得注意的是，etnews 指出，雖然該行業(yè)開始探索用于中介層的玻璃基板，但三星正在采取一種獨特的方法。該公司沒有采用 510x515 毫米的大型玻璃面板，而是開發(fā)更小的低于 100x100 毫米的單元來加速原型設(shè)計。報告強調(diào)，盡管縮小尺寸可能會影響制造效率，但有望更
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愛爾蘭公布了數(shù)十億歐元的項目，吸引臺積電和三星投資
- 據(jù)《自由時報》援引《商業(yè)郵報》報道，愛爾蘭公布了一項新計劃，概述了一系列旨在推動其半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的支持措施。據(jù)報道，政府正在提供價值數(shù)十億歐元的補貼，以吸引臺積電和三星等科技巨頭在該國投資。根據(jù)該部的新聞稿，愛爾蘭企業(yè)部長彼得·伯克 （Peter Burke） 周一啟動了該戰(zhàn)略。正如《愛爾蘭時報》所指出的，這些激勵措施針對一些世界上最大的半導(dǎo)體公司，旨在到 2040 年創(chuàng)造 35,000 個工作崗位，并吸引多達三家半導(dǎo)體晶圓廠到愛爾蘭。《自由時報》援引《商業(yè)郵報》的話稱，計劃中的設(shè)施之一將是一個尖端的生產(chǎn)
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三星戰(zhàn)勝臺積電贏得Nintendo Switch 2 芯片訂單
- Samsung Foundry 的另一個強勁推動力可能即將到來。據(jù)彭博社報道，消息人士稱，任天堂已聘請三星為其即將推出的 Switch 2 生產(chǎn)主芯片。這標志著這家韓國科技巨頭的重大勝利，因為最初的 2017 年 Switch 芯片是由臺積電制造的。據(jù)報道，三星現(xiàn)在正在使用其 8nm 工藝生產(chǎn)由 NVIDIA 設(shè)計的芯片。消息人士表示，任天堂轉(zhuǎn)向三星可能是由于新的 NVIDIA 芯片針對三星的制造系統(tǒng)進行了優(yōu)化，正如報告所示。該報告還提到，三星長期以來一直是任天堂的關(guān)鍵供應(yīng)商，為最初的 Switch 提供
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三星搶下Switch 2芯片大單 轉(zhuǎn)單原因曝光
- 三星試圖追趕產(chǎn)業(yè)龍頭臺積電，根據(jù)美國財經(jīng)媒體報導(dǎo)，任天堂「棄臺積電轉(zhuǎn)向三星」，讓其協(xié)助制造新一代游戲主機Switch 2主要芯片，知情人士認為，任天堂最新決定是三星的一大進展。 消息人士稱，轉(zhuǎn)單三星有利任天堂，任天堂將不需和其他公司爭奪臺積電的產(chǎn)能。知情人士表示，三星在8納米制程良率佳，獲得任天堂的青睞，三星將生產(chǎn)英偉達（Nvidia）為Switch 2特別設(shè)計的客制化芯片或處理器，如此一來，將有助任天堂提高游戲主機的產(chǎn)量，銷量可望在2026年3月前超過2000萬臺，高于原本預(yù)估目標。韓媒Chosun B
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英偉達降級版H20或用GDDR取代HBM
- 在英偉達H20受到最新出口限制之后，其正在開發(fā)該芯片的降級版本，以尋求在有限政策空間內(nèi)繼續(xù)開拓中國市場，最早可能在7月發(fā)布。降級版H20性能預(yù)計會有較為明顯的下調(diào)，尤其是在內(nèi)存容量方面，據(jù)TrendForce報道英偉達可能會用GDDR取代HBM。英偉達HBM3的供應(yīng)商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供應(yīng)商，如果降級版H20選擇換用GDDR，那么可能會對現(xiàn)有的供應(yīng)鏈產(chǎn)生一定的干擾。同樣，三星和SK海力士也都有與英偉達在GDDR7上合作的經(jīng)驗，值得注意的是，現(xiàn)階段GDDR7的供應(yīng)主要由三星提供支持，S
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Apple Watch出貨量連續(xù)第二年同比下滑
- 根據(jù)Counterpoint公布的《2024年Q4全球智能手表出貨追蹤報告》，2024年Apple Watch出貨量同比下滑19%。報告稱，Apple Watch出貨量除印度外所有區(qū)域市場均出現(xiàn)下滑，但北美市場的大幅下跌是主因。這已是Apple Watch出貨量連續(xù)第二年同比下滑。在售價超300美元的高端智能手表領(lǐng)域，2024年Apple市場份額同比縮減8%。2024年Q4是蘋果智能手表出貨量連續(xù)第五個季度下滑，而同期所有其他提供高端智能手表的主要競爭對手三星、華為、谷歌等均實現(xiàn)了增長?；仡橝pple W
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三星外包低端光掩模，將資源集中在ArF和EUV上
- 據(jù) The Elec 報道，三星計劃外包用于存儲芯片制造的光掩模的生產(chǎn)。到目前為止，該公司一直在內(nèi)部生產(chǎn)所有光掩模，以防止技術(shù)泄漏。Elec 表示，據(jù)報道，三星正在評估低端光掩模的潛在供應(yīng)商，例如 i-line 和 KrF。與此同時，消息人士稱，三星計劃將 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便將這些資源重新分配給 ArF 和 EUV。正如報告所強調(diào)的那樣，ArF 和 EUV 光掩模更先進，將成為增強三星技術(shù)競爭力的關(guān)鍵。據(jù) Business Korea 援引消
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三星被曝將首次外包芯片“光掩?！鄙a(chǎn)，聚焦ArF和EUV等先進技術(shù)
- 5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產(chǎn)集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu)，其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復(fù)制到相片上。韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱，三星電子正計劃將內(nèi)存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務(wù)進行外包。據(jù)稱，目前三星已啟動供應(yīng)商評估流程，候選企業(yè)包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL（注：廠址位于京畿道），評估結(jié)果預(yù)計第三季度公布。TheElec 報道稱，三星準備將低端產(chǎn)品（i-
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三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合
- 三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術(shù)，以減少熱量并實現(xiàn)超寬內(nèi)存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導(dǎo)體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術(shù)，EBN 報道。高帶寬內(nèi)存 （HBM） 將多個存儲器件堆疊在基礎(chǔ)芯片上。目前，HBM 堆棧中的內(nèi)存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質(zhì)量回流 （MR-MUF） 或使用非導(dǎo)電膜 （TC-NCF） 的熱壓縮等技術(shù)進行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內(nèi)的硅通孔
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良率提高 三星接近從NVIDIA、Qualcomm獲得2nm訂單
- 隨著 2nm 成為芯片制造商的下一個戰(zhàn)場，三星正在像英特爾一樣競相通過獲得重大外部訂單來縮小與臺積電的差距?，F(xiàn)在，它可能只差一步：根據(jù) Chosun Biz 的說法，Samsung Foundry 已經(jīng)進入了使用 NVIDIA GPU 和高通 AP 進行 2nm 性能測試的最后階段。Chosun Biz 表示，三星在其第一個基于 GAA 的節(jié)點 3nm 上來之不易的經(jīng)驗現(xiàn)在正在得到回報——據(jù)報道，3nm 良率已超過 60%，2nm 良率已攀升至 40% 以上。據(jù) Sedail
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NVIDIA可能會考慮將中國特供H20的HBM換成GDDR
- 據(jù)稱，繼 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，這家美國芯片巨頭正在開發(fā)該芯片的降級版本，以在中國銷售。由于改進后的芯片預(yù)計將大幅削減，尤其是在內(nèi)存容量方面，New Daily 的一份報告暗示 NVIDIA 可能會用 GDDR 取代 HBM，這可能會破壞內(nèi)存供應(yīng)鏈。正如路透社所指出的，Team Green 已經(jīng)向中國主要的云提供商提供了有關(guān)即將推出的公告。據(jù)路透社報道，H20 的低調(diào)版本由新設(shè)定的技術(shù)限制塑造，最早可能在 7 月發(fā)布。目前，韓國《數(shù)字時報》報道稱，NVIDIA 堅持從三星和
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韓媒狠揭三星落后臺積電最新差距驚人
- 臺積電穩(wěn)居全球晶圓代工龍頭寶座，市占率高達67.1%，而排名第2的三星電子半導(dǎo)體部門，市占僅8.1%。 雙方在晶圓代工領(lǐng)域的差距越來越大，韓媒最新報導(dǎo)更指出，兩家公司已存在超過10兆韓元（約新臺幣2268億元）的落差，三星遠遠落后。據(jù)韓國《朝鮮日報》報導(dǎo)，業(yè)界人士于11日透露，三星電子旗下掌管半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的裝置解決方案部門（DS），在今年第1季的營收為25.1兆韓元（約新臺幣5694億元），與去年同期相比成長了9%，然而與上一季相比，卻呈現(xiàn)了17%的下滑。 三星電子方面解釋，其代工業(yè)務(wù)部門的業(yè)績表現(xiàn)由于移動
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三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價格，DDR4上漲20%
- 在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動的 DRAM 需求激增似乎是真實的。據(jù)韓國 Etnews 報道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款，已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時，該報告補充說，DDR5 價格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖?，Etnews 表示，由于 DRAM 價格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進行談判的，因此最近的上漲預(yù)計將在一段時間內(nèi)支持盈利能力，從而為三星第二
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