- 在未來的五年，十年，當我們回頭溯源中國經濟的再次騰飛，審視中國電子信息產業的再次崛起，當人們都在熱切的討論“科技立國”之時，這一切都離不開“中國芯”在2018-2020年的厚重前行！
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半導體 芯片 集成電路 行業觀察
- 南京市集成電路產業2018年呈現爆發式增長，今年的南京市政府工作報告顯示，2018年南京集成電路產業集聚上下游企業200余家、產值增長55%。
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半導體 南京
- 半導體供應鏈持續調節庫存，第2 季產業景氣依然低迷，僅少數廠商第2 季業績得以較顯著成長，業者多期待下半年景氣可望大幅好轉，美中貿易戰發展仍是各界關注焦點。
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半導體 聯發科
- 在今年的全國電子信息行業工作座談會上，公布了去年我國在集成電路產業的銷售業績已經攀升到6532億元，這是一個非常可觀的體量。其中工藝級別發展到具備世界先進設計水平的7納米級別，而14納米級的工藝即將投入量產，但與國外同期來說仍有兩代差距。
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半導體 7納米
- 根據IC Insights 統計數據，2018年，中國集成電路自給率僅為15.35%，核心芯片自給率更低。“芯痛”之后，中國半導體產業的機會在哪里？這是一個值得深度思考的問題。
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半導體 IC封測
- 特朗普兩個推文就把上證指數打下了3000點，中國股市重演千股跌停的慘劇。緊接著IHS就將對半導體市場2019年的預期從增長2．9下調到下降7．4，甚至發文稱，芯片銷售下降7．4％將是自2009年大衰退以來半導體行業最糟糕的一年，當時半導體市場下跌近11％。
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半導體 5G
- 中國，2019年5月7日——意法半導體STSPIN32可編程電機控制器/驅動器產品家族新增一款極具性價比的相電流單Shunt檢測電機控制芯片--- STSPIN32F0B SiP (系統級封裝)。這款理想的全合一新電機控制器可滿足日益增長的電池供電工具的需求。通過集成一個電流檢測運算放大器，STSPIN32F0B節省了三相BLDC電機控制中的三個獨立的線圈電流檢測電阻，為用戶功能提供更多的I/O端口。新驅動器內置一個48MHz STM32F031x6 *微控制器(MCU)，能夠運行6步電機控制算法以及應用
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ST BLDC
- 去年，半導體銷售創下歷史新高，整個行業增長13.7％至4688億美元。汽車，工廠自動化和物聯網（IoT）的計算機化以及其他用途近年來為領先的芯片供應商帶來了巨大的長期順風。
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恩智 德州 半導體
- 半導體行業是電子行業的一個分支，本質上仍是制造業。和互聯網行業的不同是，半導體行業仍然需要制造設備和廠房，有具體的產品生產出來，需要設計、生產、封裝、測試、銷售等環節。簡單來講整個產業鏈分為三個大環節，分別是上游公司定義和設計芯片，中游晶圓制造上制造芯片，下游廠商把芯片應用到個人電腦、手機等領域。
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半導體 芯片
- ?以 “聚智慧，創未來” 為主題，2019年STM32峰會聚焦人工智能與計算、工業與安全、云技術與連接三大專題在為期兩天的峰會上，意法半導體將聯合45個合作伙伴共同展出180多個原型設計，舉行40場精心策劃的專題分論壇和技術研討會。
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MCU AI ST
- 三星到2030年，邏輯半導體的研發和設備投資預計平均每年將達到11萬億韓元(約合95.7億美元)。
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三星 半導體
- 美國加州時間2019年4月10日 – 國際半導體產業協會SEMI報告，全球半導體制造設備銷售額從2017年的566.2億美元飆升14％至2018年的645億美元歷史新高。 該數據現已在全球半導體設備市場統計報告（WWSEMS）中提供。
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半導體 晶圓加工
- 深紫外LED可以廣泛應用于殺毒、消菌、印刷和通信等領域，國際水俁公約的提出，促使深紫外LED的全面應用更是迫在眉睫，但是商業化深紫外LED不到10%的外量子效率嚴重限制了深紫外LED的應用。AlN材料質量是深紫外LED的核心因素之一，AlN薄膜主要是通過金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）的方法異質外延生長在c-藍寶石、6H-SiC和Si（111）襯底上，AlN與襯底之間存在較大的晶格失配與熱失配，使得外延層中存在較大的應力與較高的位錯密度，嚴重降低器件性能。與此同時，AlN前驅體在這類襯底上遷移勢壘較高，
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石墨烯 半導體 LED
- 臺積電完成全球首顆 3D IC 封裝，預計將于 2021 年量產。
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臺積電 3D封裝 半導體
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業用空調、街燈等工業設備，開發出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1)的AC/DC轉換器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。近年來，隨著節能意識的提高，在交流400V工業設備領域，相比現有的Si功率半導體，可支持更高電壓、更節能、更小型的SiC功率半導體的應用越來越廣。而另一方面，在工業設備中，除了主電源電路之外，還內置有為各種控制系統提供電源電壓的輔助電源，輔助電源中廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和
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半導體 ROHM BM2SCQ12xT-LBZ
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