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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

MOSFET電路不可不知

  • MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現(xiàn)在集成電路的設計似乎是不可能的。它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數(shù)字電路都成功地實現(xiàn)了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進行分析。大信號模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線性化的基礎上推導出來。截止區(qū)、三極管區(qū)和飽和區(qū)是MOSFET的三個工作區(qū)。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時，器件處于截止區(qū)。當MOSFET用作
  • 關鍵字： 雷卯  MOSFET  

SiC MOSFET的設計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

  • 碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進的器件設計都會非常關注導通電阻，將其作為特定技術的主要基準參數(shù)。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開關損耗），與實際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當?shù)钠胶狻?yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數(shù)。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個標準，或許還
  • 關鍵字： 英飛凌  SiC  MOSFET  

基本半導體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線

  • 4月24日，基本半導體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線通線儀式在深圳市光明區(qū)舉行。此次車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線的成功通線，是基本半導體打造國產(chǎn)碳化硅功率器件IDM領先企業(yè)的一大重要戰(zhàn)略布局。據(jù)官微介紹，基本半導體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線項目獲得國家工信部的產(chǎn)業(yè)專項支持，并連續(xù)兩年入選深圳市年度重大項目，廠區(qū)面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專業(yè)設備，主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產(chǎn)線達產(chǎn)后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關芯片需求。項目通過打造垂直整合制造模式，加快設計、制造共同迭代
  • 關鍵字： 基本半導體  車規(guī)級  碳化硅  

德國博世收購美國TSI，全球半導體領域再添并購案

  • 據(jù)國外媒體報道，德國博世集團于本周三表示，將收購美國芯片制造商TSI半導體公司的資產(chǎn)，以擴大其碳化硅芯片（SiC）的半導體業(yè)務。目前，博世和TSI公司已經(jīng)達成協(xié)議，但并未透露此次收購的具體細節(jié)，且這項收購還需要得到監(jiān)管部門的批準。資料顯示，TSI是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，主要開發(fā)和生產(chǎn)200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動、電信、能源和生命科學等行業(yè)的應用。而博世在半導體領域的生產(chǎn)時間已超過60年，在全球范圍內(nèi)投資了數(shù)十億歐元，特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠。博世認為，此次收購
  • 關鍵字： 博世  TSI  半導體  SiC  

電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化取得重大進展

  • 近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實現(xiàn)大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導體器件的關鍵材料。電科材料持續(xù)布局第三代半導體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實現(xiàn)一系列技術突破，在碳化硅外延領域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時，積極與國產(chǎn)設備廠商合作開發(fā)生產(chǎn)裝備，推動碳化硅核心裝備國產(chǎn)化。未來，電科材料將持續(xù)創(chuàng)新突破，推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
  • 關鍵字： 電科材料  6英寸  碳化硅  

功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考

  • 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產(chǎn)基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié)，布局完成后將形成：外延設備+外
  • 關鍵字： 功率半導體  IGBT  MOSFET  SIC  

優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動

  • 在高壓開關電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
  • 關鍵字： SiC MOSFET  柵極驅動  安森美  

SiC并購戰(zhàn)：誰是頂級收購者？

  • 第三代半導體「愈演愈烈」。
  • 關鍵字： SiC  功率器件  

三次油電平價 促成中國電動市場的大爆發(fā)

  • 大家應該還記得，當遭受國補退坡重創(chuàng)的電動汽車于2019-2020年間慢慢恢復元氣，開始走出國補退坡的陰影時，市面上開始出現(xiàn)了一些在性能上追平甚至超越傳統(tǒng)燃油車的電動汽車，當時的電動車市場呈現(xiàn)出來的是典型的啞鈴型結構：便宜的A00級車型和30萬以上的高端車型（包括部分B級車和C級車）賣得很好，但在10-30萬的主流區(qū)間，電動車企的表現(xiàn)一直比較慘淡。這種市場格局在2016-2021國內(nèi)乘用車分級別電動化率走勢圖上一展無遺，歷時五年的時間，A00車已經(jīng)達到了90%以上的滲透率。這兩年來，市場格局風云變幻，正如歐
  • 關鍵字： 碳化硅  比亞迪  蔚來  電動汽車  新能源汽車  

特斯拉虛晃一槍，碳化硅高速邁進

  • 被稱為“未來十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅平臺再被關注，在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風暴下，業(yè)界在一次次的探討中，逐步廓清了碳化硅未來使用的信心與前景。華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動新品發(fā)布會，并發(fā)布了聚焦動力域的“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”以及“新一代全液冷超充架構”的充電網(wǎng)絡解決方案。其中，DriveONE新一代超融合黃金動力平臺主要包括面向B/B+級純電、B/B+級增程混動，以及A級純電車型動力總成解決方案，目標是不斷提升整車度電里程和升油里程
  • 關鍵字： 特斯拉  碳化硅  

ROHM開發(fā)出超低導通電阻的Nch MOSFET

  • 新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅動全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產(chǎn)品非常適合驅動以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務器用的電源、工業(yè)和消費電子設備用的電機等。近年來，全球電力需求量持續(xù)增長，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業(yè)設備的工作
  • 關鍵字： ROHM  超低導通電阻  Nch MOSFET  

特斯拉降低造車成本，國內(nèi)新能源車企如何實現(xiàn)“價格戰(zhàn)”突圍？

  • 在國內(nèi)新能源車市場，特斯拉稱得上是最大的“鯰魚”，一舉一動總能攪動起不小的“水花”。近日，“鯰魚”特斯拉在其投資者活動日上公開了備受期待的“秘密宏圖第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平臺將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關板塊，引發(fā)A股碳化硅中的個股集體跳水。近兩年，碳化硅在新能源汽車中占據(jù)著重要位置，相關概念在資本市場上也一度受到熱捧，更具戲劇性的是，特斯拉正是推動碳化硅上車的“先驅”。如今，特斯拉對碳化硅的態(tài)度出現(xiàn)180度大反轉，背后的真實意圖是什么？將會對國內(nèi)新能
  • 關鍵字： 特斯拉  碳化硅  新能源車企  

適用于運輸領域的SiC：設計入門

  • 簡介在這篇文章中，作者分析了運輸輔助動力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅動器的理想靜態(tài)和動態(tài)特性。 為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對于任何電力電子工程師來說，必須大致了解適用于功率半導體開關器件的半導體物理學原理，以便掌握非理想器件的電氣現(xiàn)象及其對目標應用的影響。理想開關在關斷時的電阻無窮大，導通時的電阻為零，并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結構中的導通狀態(tài)電流
  • 關鍵字： SiC  Microchip  

采埃孚、意法半導體簽下碳化硅模塊供應長約

  • 據(jù)外媒報道，知名汽車電子廠商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據(jù)報道涉及供應數(shù)量達數(shù)百萬的SiC模塊。報道稱，到2030年，采埃孚在電動汽車領域的訂單總額預計將超過300億歐元，公司高管Stephan von Schuckmann表示，為了應對蓬勃增長的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應商。“在 意法半導體，我們現(xiàn)在找到了這樣一家供應商，其在復雜系統(tǒng)方面的經(jīng)驗符合我們的要求，最重要的是，該供應商能夠以極高質量和所需數(shù)量生產(chǎn)模塊。”意法半導體汽車和分立
  • 關鍵字： 采埃孚  意法半導體  碳化硅  

頭部企業(yè)再簽供貨長約，全球碳化硅市場高速成長

  • 據(jù)外媒報道，近日，德國汽車Tier-1廠商采埃孚（ZF）和功率半導體廠商意法半導體（ST）共同發(fā)布新聞稿稱，雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。根據(jù)合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購數(shù)千萬顆第三代SiC MOSFET器件，滿足汽車逆變器對車規(guī)級SiC器件在量和質上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構，這些SiC器件將集成到該平臺中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計超過300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個汽車逆變器訂單來自歐洲一家車企，該車企計劃2025年
  • 關鍵字： 碳化硅  意法半導體  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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