日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A
IGBT和MOSFET驅動器---VOD3120A，擴展其光電產品組合。Vishay Semiconductors
VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率?！ ∪涨鞍l布的光耦采用CMOS技術，含有集成電路與軌到軌輸出級光學耦合的AIGaAs
LED，為門控設備提供所需驅動電壓。VOD3120電壓和電流使
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Vishay MOSFET
意法半導體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB公司簽署協議，收購后者55%股權。Norstel公司于2005年從Link?ping大學分拆出來，開發和生產150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示，在交易完成之后，它將在全球產能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈，并為自己帶來一個重要的增長機會。
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ST Norstel SiC
在現實世界中，沒有人可以和“半導體”撇清關系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機以及電視等等，都會用到半導體元件。半導體的重要性自不必說，今天我們來說一下半導體產業中一個很關鍵的組成部分，那就是半導體材料。
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碳化硅 氮化鎵
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V
E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27
%，為通信、工業和企業級電源應用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業內最低水平，該參數是600 V
MOSFET在功率轉換應用中的關鍵指標 (FOM)?！ ishay
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Vishay MOSFET
Filippo, Scrimizzi, 意法半導體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com Giuseppe, Longo, 意法半導體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com Giusy, Gambino, 意法半導體s, 意大利, giusy.gambino@st.com 摘要 意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。
這些機電系統
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意法半導體 MOSFET
2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive
World日本國際汽車展上，展示其全面豐富的車規產品。Vishay展位設在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think
Vishay”為主題展示各種車規產品，包括符合并優于AECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產品?！ ishay亞
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Vishay 轉換器 MOSFET
目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景?！ ∪欢?，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來?！ 嶋H上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
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半導體 SiC GaN
11月30日，北汽新能源(北汽藍谷
600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產品技術聯合實驗室。北汽新能源執行副總經理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現場簽署了合作協議書，并共同為SiC產品技術聯合試驗室揭牌?！ ≡撀摵蠈嶒炇业某闪?，是北汽新能源在新能源汽車領域不斷加強自主技術實力的重要舉措，聯合實驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術的預研中，并圍繞碳化硅的新產品進行全面合作開發?！ 〗陙?，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經被廣泛應用在新能源
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北汽新能源 羅姆半導體 SiC
意法半導體推出MDmesh?系列600V超結晶體管，該產品針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計?！ ♂槍涢_關技術優化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效，最低16
nC的柵極電荷量(Qg)可實現高開關頻率，這兩個優點讓MDmesh M6器件在硬開關拓撲結構中也有良好的能效表現。 此外，意法半導體最先進的M6超結技術將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅
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意法半導體 MOSFET
11月4-7日，由中國電源學會與IEEE電力電子學會聯合主辦的第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會(IEEE PEAC
2018)在深圳隆重舉行?；景雽w作為本次大會的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產品，反響熱烈。 作為全球性的電力電子行業盛會，IEEE PEAC
2018可謂大咖云集，來自31個國家和地區的電力電子學術界和產業界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞，美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授，中國工程院院
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基本半導體 碳化硅 第三代半導體
10月31日-11月2日，第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行?；景雽w亮相深圳坪山第三代半導體產業園展區，展示公司自主研發的碳化硅
MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產品?！ ≈袊娮诱故请娮有袠I的年度盛會，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設備、測試測量、軍民融合、物聯網、汽車電子等產業，傾力打造從上游基礎電子元器件到下游產品應用端的全產業鏈陣容。本次展會以“信息化帶動工業化，電子技術促進產業升級”為主題，共有40000余名買家和專業觀眾觀展，共同打造了一場電子行業年度盛會。
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基本半導體 碳化硅 第三代半導體
11月5日，在第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會期間，來自中國、日本和韓國的第三代半導體專家齊聚基本半導體，參加第三代半導體功率器件先進應用技術研討會。 出席會議的嘉賓包括清華大學孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學馬柯博士、華中科技大學蔣棟教授、長岡技術科學大學伊東淳一教授、東京都立大學和田圭二副教授、韓國亞洲大學Kyo-Beum
Lee教授、奧爾堡大學王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學者和基本半導體研發團隊。與會嘉賓分享了各自在第三代半導體功率器件領域的最新研究主題和方向，
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基本半導體 碳化硅 第三代半導體
近日，從深圳市人力資源和社會保障局傳來喜訊，基本半導體憑借在人才引進方面的突出成果，獲評“2018年度深圳市人才伯樂獎”?！ ∩钲谑腥瞬挪畼藩勈怯缮钲谑姓O立，旨在鼓勵企事業單位、人才中介組織等引進和舉薦人才，以增強企業科技創新能力，提升城市核心競爭力。每年市政府通過評選伯樂獎對在本市人才培養、引進過程中作出貢獻的單位及個人給予表彰和獎勵?！ 』景雽w是第三代半導體領域的高新技術企業，從創立之初就非常重視人才的引進和培養。作為一家由海歸博士創立的公司，基本半導體依托廣泛的海外資源，成功引進了來自英
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基本半導體 碳化硅 第三代半導體
羅姆（ROHM）作為一個日本企業，很早便打入歐洲市場，豐富的行業經驗、值得信賴的產品品質和口碑讓歐洲本土企業成為羅姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我們也見到了很多羅姆（ROHM）的得意之作。
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ROHM SiC 羅姆
摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL
JU和ESI協同為該項目提供資金支持，實現具有重大經濟和社會影響的優勢互補的研發活動。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia
Micro e Nano
Sistemi)牽頭，20個項目合作方將在技術研究、制造工藝、封裝測試和應用方面展開為期36個月的開發合作。本文將討論本項目中與汽車相關的內容，重點介紹有關SiC技術和封
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SiC WInSiC4AP
碳化硅(sic)mosfet介紹
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