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英飛凌 xmc7000 文章 最新資訊

英飛凌為法雷奧在2026北京車展展出的激光束掃描地面投影模塊提供MEMS技術(shù)

  • 【2026年4月27日, 德國慕尼黑訊】全球半導(dǎo)體和傳感器解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與全球汽車照明領(lǐng)導(dǎo)者法雷奧正在合作推出集成激光束掃描（LBS）技術(shù)的短距離地面投影模塊。雙方的首項合作創(chuàng)新成果將在中國北京舉辦的2026北京國際汽車展覽會法雷奧展臺（B2館B2D01展位）上亮相。 英飛凌2D MEMS鏡片及其控制器為法雷奧的高分辨率地面投影模塊提供支持，助力實現(xiàn)超高的亮度、對比度和分辨率 想要地面投影在日間清晰可見，就必
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英飛凌加入歐洲量子芯片試點線

  • 歐洲正采取更結(jié)構(gòu)化的方法將量子研究轉(zhuǎn)化為可大規(guī)模制造的硬件，英飛凌將自己定位為推動這一轉(zhuǎn)型的工業(yè)參與者之一。公司表示，將為三個聚焦量子芯片的歐洲試點線項目貢獻工程和半導(dǎo)體制造專業(yè)知識。這一公告很有用，因為它表明歐洲正努力在量子硬件領(lǐng)域建立實際實力，而不僅僅是在學(xué)術(shù)研究領(lǐng)域。它還展示了成熟的半導(dǎo)體制造技術(shù)如何成為未來量子器件擴展的關(guān)鍵組成部分。從實驗室原型到可制造的量子芯片英飛凌參與了歐洲六個入選的量子試點線項目中的三個：CHAMP-ION、SUPREME 和 SPINS。這些試點線的目標(biāo)是通過為初創(chuàng)企業(yè)、
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借助平臺固件彈性防護，護航未來數(shù)據(jù)中心安全

  • 平臺固件彈性防護（PFR）核心組成，厘清安全啟動與度量啟動二者差異服務(wù)器啟動全流程關(guān)鍵階段梳理，明確安全內(nèi)存在落實美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院 SP800-193 規(guī)范中的重要作用隨著數(shù)字時代不斷發(fā)展、人工智能規(guī)模化普及高度依賴數(shù)據(jù)中心，這類基礎(chǔ)設(shè)施的安全等級要求持續(xù)攀升。針對平臺固件這一核心層級的網(wǎng)絡(luò)攻擊愈發(fā)頻繁、手段愈發(fā)復(fù)雜。固件承擔(dān)系統(tǒng)初始化、硬件配置、底層運算等核心功能，直接決定系統(tǒng)運行安全與穩(wěn)定性，因此固件本身的完整性、真實性至關(guān)重要。為應(yīng)對各類固件安全風(fēng)險，美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院（NIST）發(fā)布
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AURIX? TC4x CDSP信號處理器用戶自定義軟件開發(fā)和集成詳解

  • 引言AURIX? TC4x CDSP(Converter Digital Signal Processor)是AURIX? TC4x?的信號處理器模塊,位于ADC模塊中,主要用于ADC信號的后處理。CDSP?可以運行用戶自定義的算法和功能,高效處理ADC?信號,并把處理結(jié)果給到TriCore?。本文介紹CDSP?的用戶自定義軟件開發(fā)環(huán)境、CDSP?軟件集成到TC499PP TriCore?工程。CDSP?結(jié)構(gòu)和運行機制CDSP?包括一個
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英飛凌抗輻射半導(dǎo)體助力Artemis II任務(wù)成功

  • 美國NASA的Artemis II任務(wù)已成功返回地球，此次任務(wù)不僅完成了超越地球軌道的探索，還為深空環(huán)境下的機載電子設(shè)備提供了重要的實際驗證。任務(wù)的成功凸顯了抗輻射半導(dǎo)體設(shè)計在太空船可靠性中的關(guān)鍵作用。全球半導(dǎo)體巨頭英飛凌發(fā)布報告稱，其抗輻射半導(dǎo)體在任務(wù)期間保持了無故障的運行狀態(tài)。這些由英飛凌IR HiRel部門開發(fā)的專用元件，成功支持了獵戶座太空艙的電源管理、系統(tǒng)控制和數(shù)據(jù)通信等核心功能。英飛凌IR HiRel資深副總裁Mike Mills指出，隨著太空任務(wù)愈加復(fù)雜且電氣化需求增加，半導(dǎo)體技術(shù)的突破已成
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SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計要點

  • SiC MOSFET 的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導(dǎo)通電阻等因素限制,常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培,而軌道交通、新能源并網(wǎng)、高壓逆變器等場景,往往需要千安級的電流輸出,單管無法滿足。因此,SiC MOSFET的并聯(lián)應(yīng)用的場景越來越普遍。不管是SiC MOSFET還是IGBT,并聯(lián)的目標(biāo)都是實現(xiàn)電流的均勻分布,且消除芯片間的振蕩。為了達(dá)到這一目標(biāo),我們需要做到三點:1.并聯(lián)芯片參數(shù)盡可能一致2.功率回路、驅(qū)動回路與散熱結(jié)構(gòu)布局一致3.門極驅(qū)動電路的優(yōu)化設(shè)計作為高速開關(guān)器件,SiC MOSFE
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溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解

  • 對于我國的電力電子界來說,固態(tài)變壓器(SST)并非是一個全新的話題,在軌道交通、電網(wǎng)合環(huán)運行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數(shù)選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸,SST曾經(jīng)的商業(yè)化之路面對的挑戰(zhàn)大于機遇。智算中心800V高壓直流供電系統(tǒng)概念的普及,和未來智能電網(wǎng)的電力潮流雙向流動,讓SST的商業(yè)價值獲得了前所未有的想象力。隨著AI算力向MW級機架演進,傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)已經(jīng)不堪重負(fù),難以承載極端功率密度與能效要求。智算中心正從“算力堆砌”邁入“算電協(xié)同”的關(guān)鍵階段。在這一背景下,SST
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功率升級，尺寸瘦身：英飛凌CoolGaN? 低壓氮化鎵晶體管與PSOC? Control C3微控制器重塑低壓電機控制

  • 在電機控制設(shè)計中,工程師們始終面臨一個經(jīng)典難題:如何在有限的空間內(nèi),實現(xiàn)更高的效率、更低的溫升和更優(yōu)的動態(tài)響應(yīng)?傳統(tǒng)硅基MOSFET方案受限于開關(guān)速度與損耗,往往不得不在性能與體積之間妥協(xié)。如今,英飛凌CoolGaN?低壓氮化鎵晶體管與全新PSOC? Control C3微控制器的組合,為低壓電機控制帶來了系統(tǒng)級的突破——更小、更冷、更靜、更快。從器件到系統(tǒng):CoolGaN?的價值飛輪與硅基MOSFET相比,CoolGaN?低壓GaN晶體管在器件層面具備顯著優(yōu)勢:更低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))與輸出電荷
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2025年汽車功率半導(dǎo)體供應(yīng)商份額

  • TechInsights 預(yù)估，2025 年全球汽車功率半導(dǎo)體廠商營收同比下滑約 6.4%，降至約 132 億美元，占整個汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模的 17.8% 左右。在 2025 年汽車半導(dǎo)體廠商份額分析中，功率器件仍為最大器件品類之一，但與處理器和存儲器不同，功率半導(dǎo)體走勢與整體市場趨勢相悖。這一轉(zhuǎn)變具有重要戰(zhàn)略意義，表明汽車半導(dǎo)體市場已不再主要由短缺時期的電氣化驅(qū)動因素主導(dǎo)，而傳統(tǒng)功率產(chǎn)品布局占比較高的供應(yīng)商在 2025 年表現(xiàn)更為脆弱。英飛凌以約 24.2% 的市占率位居 2025 年汽車功率半導(dǎo)體市場
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英飛凌一站式充電器解決方案，賦能高密度快充設(shè)計

  • 隨著智能手機、筆記本電腦等移動設(shè)備功能日益強大，電池容量持續(xù)提升，用戶對充電器的要求也愈加嚴(yán)苛：更高功率、更小體積、更低成本、更強兼容性，已成為市場不可逆的四大趨勢。USB-C 接口的普及，更推動充電器從“專用”走向“通用”，一個充電器，即可為手機、筆記本、甚至工業(yè)設(shè)備供電，真正實現(xiàn)“一充多用”。在這一背景下，如何設(shè)計出既能滿足高效率、高密度要求，又能控制成本、加速上市的充電解決方案，成為系統(tǒng)架構(gòu)師與電源設(shè)計師面臨的核心挑戰(zhàn)。市場趨勢與挑戰(zhàn)當(dāng)前充電器市場主要呈現(xiàn)以下關(guān)鍵走向：高功率快充：設(shè)備電池越來越大，
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英飛凌汽車業(yè)務(wù)本土化戰(zhàn)略一周年：從藍(lán)圖到實景，筑牢"產(chǎn)-需-生態(tài)"全鏈條優(yōu)勢

  • 【2026年4月15日，中國上海訊】4月12日，由車百會研究院主辦的2026智能電動汽車發(fā)展高層論壇在北京舉行。英飛凌科技高級副總裁、汽車業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人曹彥飛應(yīng)邀出席國際論壇發(fā)表演講，并在會上宣布，自2025年3月公布“與中國汽車產(chǎn)業(yè)同頻共振”本土化戰(zhàn)略以來，英飛凌依托“本土產(chǎn)品定義、本土生產(chǎn)、本土生態(tài)圈”三大支柱穩(wěn)步落地，已在多個關(guān)鍵領(lǐng)域取得實質(zhì)性進展與重要里程碑，正加速將規(guī)劃轉(zhuǎn)化為行動，賦能中國汽車產(chǎn)業(yè)電動化與智能化轉(zhuǎn)型升級。作為全球領(lǐng)先的車用半導(dǎo)體供應(yīng)商，英飛凌連續(xù)六年蟬聯(lián)全球車用半導(dǎo)體市場份額
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英飛凌與為光能源攜手推進 SST 商業(yè)化

  • 2026 年 4 月 9 日，英飛凌科技與西安為光能源科技宣布達(dá)成深度合作，雙方將基于英飛凌 1200V TRENCHSTOP? IGBT7 與 CoolSiC? MOSFET G2 碳化硅分立器件，聯(lián)合開發(fā)更高效率、更高可靠性的通用固態(tài)變壓器（SST），重點面向儲能、充電樁及數(shù)據(jù)中心供電場景應(yīng)用。固態(tài)變壓器作為新型電力電子裝備，是光儲充、數(shù)據(jù)中心直流供電等場景的核心部件，其可靠性、效率與功率密度直接影響系統(tǒng)穩(wěn)定與運維成本。英飛凌新一代 CoolSiC? MOSFET G2 采用增強型.XT 擴散焊工藝，
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優(yōu)化功率轉(zhuǎn)換器的功率密度：頂部散熱封裝的作用

  • 功率電子技術(shù)正在快速革新，新型材料和先進封裝技術(shù)不斷推動效率提升，并使更高功率密度成為可能。推動革新的關(guān)鍵因素之一，是先進封裝技術(shù)的集成，例如：英飛凌的頂部散熱（Top-Side-Cooled, TSC）Q-DPAK封裝（見圖1）。這類封裝通過將散熱路徑與電氣路徑分離，顯著提升了功率轉(zhuǎn)換器的性能。傳統(tǒng)上，硅基MOSFET和碳化硅MOSFET（如CoolMOS?和CoolSiC?）在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域一直占據(jù)主導(dǎo)地位，而如今，頂部冷卻技術(shù)的優(yōu)勢已在硅基及碳化硅功率器件中得到廣泛驗證。該技術(shù)可提升能效、實現(xiàn)更快開關(guān)
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獨家拆解 | 英飛凌XENSIV?磁傳感器，如何助力機器人規(guī)模化落地

  • 在人形機器人、四足機器狗加速商業(yè)化的今天，關(guān)節(jié)電機的精準(zhǔn)控制直接決定整機運動性能與可靠性。作為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌憑借深耕多年的磁傳感技術(shù)，推出兩款明星產(chǎn)品——TLx5012B系列與TLI49012，前者以成熟量產(chǎn)驗證實力，后者以高性價比拓寬應(yīng)用邊界，為機器人產(chǎn)業(yè)提供全方位傳感解決方案。TLx5012B系列作為英飛凌磁傳感器的標(biāo)桿產(chǎn)品，已在國內(nèi)人形機器人、機器狗的關(guān)節(jié)電機上實現(xiàn)大批量量產(chǎn)，年出貨數(shù)百萬片，成為行業(yè)公認(rèn)的成熟可靠方案。基于先進的巨磁電阻（GMR）技術(shù)，該傳感器可實現(xiàn)360°全角度測
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英飛凌持續(xù)鞏固全球車用半導(dǎo)體市場領(lǐng)導(dǎo)地位

  • ·       英飛凌連續(xù)六年蟬聯(lián)全球市場榜首，并進一步擴大對主要競爭對手的領(lǐng)先優(yōu)勢·       在歐洲、中國及韓國市場穩(wěn)居第一；在北美和日本市場位居第二·       微控制器領(lǐng)域增長顯著：市場份額躍升至 36% 【2026年4月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IF
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英飛凌 xmc7000介紹

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