閃存文章最新資訊

卷翻內(nèi)存市場中國存儲廠商加速擴張產(chǎn)能

全球存儲器市場爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來競爭壓力，后續(xù)發(fā)展備受市場關(guān)注。長江存儲祭彎道超車奇招朝鮮日報英文版《The Chosun Daily》報道，長江存儲武漢三廠于2025年9月動工，原先預(yù)估須待2027年才具備正式量產(chǎn)條件。然而，當?shù)匕雽?dǎo)體業(yè)界人士透露，長江存儲近期已密集下達NAND Flash生產(chǎn)設(shè)備采購訂單，并同步進行工廠啟動與產(chǎn)
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芯?？萍歼M軍NOR閃存市場

中國本土芯片企業(yè)芯?？萍迹–msemicon）正式推出其首款非易失性存儲芯片，發(fā)布旗下首款閃存產(chǎn)品CMS25Q40A，標志著公司正式且實質(zhì)性地進軍存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域。據(jù)報道，該產(chǎn)品是一款容量為4兆位（4Mbit）、低功耗的SPI接口NOR Flash芯片。其存儲陣列由2,048個可編程頁組成，每頁大小為256字節(jié)，單次寫入操作最大可編程數(shù)據(jù)量達256字節(jié)。該芯片支持多種擦除模式，具備成本低、功耗低、高速SPI讀寫性能以及斷電后數(shù)據(jù)可長期保存等優(yōu)勢，主要面向小容量存儲應(yīng)用場景，包括嵌入式MCU程序存儲、小型智能
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三星閃存，漲價100%

周樂/券商中國存儲芯片漲價潮愈演愈烈。據(jù)最新消息，三星電子今年第一季度將其NAND閃存的價格提高了一倍多，漲幅遠超市場預(yù)期。目前三星電子已經(jīng)著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預(yù)計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。多家機構(gòu)分析認為，AI浪潮驅(qū)動的“存儲芯片超級周期”正全面到來?；ㄆ祛A(yù)計，2026年動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）與閃存產(chǎn)品的平均售價或?qū)⒎謩e上漲88%、74%，漲幅高于該行此前預(yù)測的53%、44%。價格暴漲1月25日，據(jù)韓國《電子時報》報道，今年第一季度，三星電子將NAND
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三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進入新一輪漲價周期

援引市場研究機構(gòu)Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇NAND供應(yīng)的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬片縮減至468萬片，SK海力士則同步跟進，產(chǎn)能從2025年的190萬片降至170萬片。在英偉達等公司引領(lǐng)的推理人工智能（AI）領(lǐng)域競爭日益激烈的背景下，作為關(guān)鍵組件的NAND閃存供應(yīng)緊張，增加了包括服務(wù)器、個人電腦和移動設(shè)備在內(nèi)的所有領(lǐng)域價格持續(xù)上漲的可能性。分析師預(yù)測，這將對三星電子和SK海力士的
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蘋果iPhone 18系列售價曝光：起步維持原價，大容量版本起飛

1 月 20 日消息，基于花旗集團、美國銀行及摩根大通的分析報告，受 RAM 內(nèi)存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價方面，蘋果雖然會極力維持起步機型的發(fā)售價與前代持平，但在高存儲容量版本上，消費者將面臨比以往更大的價格漲幅。Freedom Capital Markets 技術(shù)研究主管 Paul Meeks 分析認為，全球科技企業(yè)對 AI 算力的狂熱需求，導(dǎo)致內(nèi)存市場供不應(yīng)求，這種短缺狀態(tài)預(yù)計將至少持續(xù)兩年。即便蘋果擁有強大的供應(yīng)鏈議價能力，也難以完全消化這部分上漲的物料清
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傳三星將采用長江存儲專利混合鍵合技術(shù)：用于400+層的第10代V-NAND閃存

上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經(jīng)開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成為了全球NAND閃存市場的有力競爭者。據(jù)TrendForce報道，三星將從第10代V-NAND閃存開始，采用長江存儲的專利混合鍵合技術(shù)。三星的目標是在2025年下半年開始量產(chǎn)第10代V-NAND閃存，預(yù)計總層數(shù)達到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江存儲進行專利協(xié)議的談判。
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存儲還要繼續(xù)瘋！英偉達ICMSP讓閃存漲停，黃仁勛要一統(tǒng)存儲處理器

英偉達推出全新推理上下文（Inference Context）內(nèi)存存儲平臺（ICMSP），通過將推理上下文卸載（Offload）至NVMe SSD的流程標準化，解決KV緩存容量日益緊張的問題。該平臺于 2026 年國際消費電子展（CES 2026）正式發(fā)布，致力于將GPU的KV緩存（Key-Value Cache）擴展至基于 NVMe 的存儲設(shè)備，并獲得英偉達 NVMe 存儲合作伙伴的支持。此消息一出，引爆的是本就漲到高不可攀的存儲廠商股價，多家存儲廠商和閃存控制器廠商股價直接漲停，閃存極有可能步DRAM
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長江存儲對美國國防部、商務(wù)部發(fā)起訴訟

據(jù)路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務(wù)部發(fā)起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯(lián)邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認定。長江存儲成立于2016年7月，是國內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導(dǎo)體集成電路廠商，旗下有零售存儲品牌致態(tài)。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。
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1.2V I/O SPI NOR 閃存降低整體系統(tǒng)成本與功耗

如今，邊緣人工智能、汽車、清潔能源和通信等新興市場領(lǐng)域，廣泛采用基于 10 納米及以下制程的系統(tǒng)級芯片（SoC）。先進 SoC 的工作電壓低至 1.2V 甚至更低。若要支持許多 NOR 閃存采用的 1.8V 等高電壓 I/O 結(jié)構(gòu)，會增加 SoC 的芯片面積并提高成本。而具備 1.2V 輸入 / 輸出（VIO）特性的 NOR 閃存器件，既能降低成本，又能減少功耗。傳統(tǒng)外部閃存器件的供電電壓通常為 3.3V 或 1.8V，支持高速讀取、快速編程和快速擦除等高性能操作。若將這些器件與 1.2V SoC 搭配使
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今昔對比：磁芯

我們先來聊聊磁芯最常見的存儲用途。事實證明，鐵芯和磁性材料用途廣泛，至今仍在電源和模擬電路中用作扼流圈。而這篇文章提出了一個特別的想法：用磁芯實現(xiàn)邏輯功能（圖 1）。盡管這項技術(shù)從未進入商業(yè)領(lǐng)域，但在技術(shù)層面是可行的。1. 磁芯可以實現(xiàn)如上述簡單示例所示的邏輯。接下來，我們看看當時磁芯的使用情況，然后進入現(xiàn)在存儲領(lǐng)域的情況，磁芯最初使用的領(lǐng)域。許多記憶技術(shù)已經(jīng)興起又消失，新的技術(shù)不斷涌現(xiàn)。什么是磁芯磁芯是磁性材料，類似于鐵。磁場的方向可以用來存儲一個比特的信息。用于存儲的磁芯被安裝成網(wǎng)格狀，陣列中交錯排列
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三星據(jù)報道將在研發(fā)部門調(diào)整中發(fā)布NAND技術(shù)，將削減96%的功耗

在內(nèi)存供應(yīng)緊張和價格飆升給行業(yè)壓力的情況下，據(jù)ETNews和News 1報道，三星開發(fā)出了一種NAND閃存技術(shù)，能夠降低90%以上的功耗，預(yù)計將提升AI數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備及廣泛應(yīng)用的能效。據(jù)報道，11月27日，SAIT（前三星先進技術(shù)研究院）宣布將在《自然》雜志上發(fā)表其關(guān)于新型NAND閃存結(jié)構(gòu)的研究，以顯著提升能源效率。據(jù)ETNews報道，三星首次在全球范圍內(nèi)發(fā)現(xiàn)了將氧化物半導(dǎo)體與鐵電結(jié)構(gòu)結(jié)合的關(guān)鍵機制，從而將功耗降低了多達96%。正如報告所述，傳統(tǒng)NAND閃存存儲數(shù)據(jù)為注射電子進入每個細胞。因此，為了提
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低開銷、高安全性的NOR閃存解決方案

ArmorBoot?是?Macronix 的中端安全串行 NOR 閃存，支持安全啟動以及其他安全功能，如片上認證支持（見圖1）。它可以用于為使用不內(nèi)置這些功能的微控制器或微處理器的設(shè)計提供安全服務(wù)。標準形態(tài)意味著存儲芯片可以整合到現(xiàn)有設(shè)計中，以增強安全功能。1.Macronix的ArmorBoot提供安全啟動和認證等安全基礎(chǔ)功能，而高端的ArmorFlash則增加了數(shù)據(jù)加密和解密等服務(wù)。安全啟動是指啟動碼在使用系統(tǒng)啟動前經(jīng)過驗證。通常通過使用密鑰認證代碼，確保其來源為授權(quán)來源且未被修改
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通過閃存優(yōu)化的嵌入式文件系統(tǒng)確保智能電表的準確性

智能電表是現(xiàn)代能源基礎(chǔ)設(shè)施的核心，支撐動態(tài)定價、實時分析和碳核算功能。其有效性完全依賴持續(xù)的數(shù)據(jù)準確性。數(shù)據(jù)準確性出現(xiàn)任何問題，電力公司都將面臨監(jiān)管處罰、計費糾紛和運營效率低下等問題。災(zāi)難性硬件故障易于察覺和追蹤，但大多數(shù)智能電表故障是隱性的。根本原因通常不在于芯片本身，而在于嵌入式軟件如何管理閃存數(shù)據(jù)，以及如何處理斷電等意外情況。解決這些細微但具有破壞性的故障，需要重新思考嵌入式層面的軟件架構(gòu)。閃存中的垃圾回收與寫放大閃存不允許直接覆蓋。數(shù)據(jù)必須先被清除，才能重寫。因此，基于閃存的系統(tǒng)經(jīng)常產(chǎn)生“陳舊”數(shù)
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全球首顆混合架構(gòu)閃存芯片，我國有望顛覆傳統(tǒng)存儲器體系

10月8日，復(fù)旦大學(xué)集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬、劉春森團隊在《自然》（Nature）期刊上發(fā)表題為《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）論文，率先研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片。復(fù)旦大學(xué)集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院、集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室研究員劉春森和教授周鵬為論文通訊作者，劉春森研究員和博士生江勇波、沈伯僉、袁晟超、曹振遠為論文第一作者。今年4月，周鵬、劉春森團隊研發(fā)
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美眾議院“中美戰(zhàn)略競爭特別委員會”發(fā)布涉華半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備出口調(diào)查報告

根據(jù)SEMI和SEAJ的數(shù)據(jù)，2025年第二季度全球半導(dǎo)體制造設(shè)備支出總計330.7億美元，2025年第二季度的支出較2024年第二季度增長23%。其中，中國大陸的支出最高，為113.6億美元，占總支出的34%。值得注意的是，中國大陸2025年第二季度的支出較2024年第二季度下降了7%。10月7日，美國眾議院“中美戰(zhàn)略競爭特別委員會”兩黨議員在經(jīng)過數(shù)月的調(diào)查之后發(fā)現(xiàn)，包括荷蘭的阿斯麥（ASML）、日本的東京電子（TEL）以及美國的應(yīng)用材料公司（Applied Materials）、科磊（KLA）和泛林集
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]