2月6日消息，三星已經將全新的HPB（Heat Path Block）散熱技術應用于自家的Exynos 2600芯片，這項設計被視為半導體封裝領域的一次卓越突破，能將芯片的熱阻降低16%并顯著優化溫控表現。根據最新的行業報道，高通計劃在今年晚些時候亮相的驍龍8
Elite Gen6系列中也搭載同款HPB技術。目前的爆料顯示，高通正以5.0GHz甚至更高的主頻對驍龍8 Elite
Gen6進行工程測試。這不僅意味著HPB技術已經進入實測階段，也暗示了該技術是支撐超高頻率穩定運行的關鍵。從技術原理來看
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高通 HPB Exynos 2600 驍龍
繼去年推出驍龍 X2 Elite 芯片后，高通不出所料地擴展了其 Windows 平臺產品線，帶來了驍龍 X2 Plus 系列。新發布的包括一款十核升級版處理器與一款全新六核衍生型號，兩者均實現了單線程性能的大幅提升。盡管未來可能會推出更多衍生型號，但高通在 2026 年國際消費電子展（CES）上已正式發布兩款庫存單位（SKU）：其一為十核型號 X2P-64-100，高通稱其在 Geekbench 6 基準測試中，單核性能較上一代提升 35%，多核性能提升 17%；另一款是六核型號 X2P-42-100。
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高通 Windows 驍龍 X2 Plus ARM CES 2026
在國際消費電子展（CES）上，高通技術公司（Qualcomm Technologies, Inc.）正式發布驍龍 X2 Plus 平臺 —— 這是驍龍 X 系列的最新成員。作為一次突破性的升級，該平臺為追求高速、響應迅速、便攜且具備多日續航能力的現代職場人士、新銳創作者及普通用戶，重塑了每一次操作與每一段使用體驗。隨著驍龍 X2 Plus 的推出，高通技術公司將 Windows 11 Copilot + 個人電腦的強大性能拓展至整個驍龍 X 系列，多家頭部原始設備制造商（OEM）的相關機型將于 2026
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高通 CES 2026 驍龍 X2 Plus 10核 ARM 處理器
1月3日消息，臺積電官網顯示，臺積電2nm工藝已經按照計劃于2025年第四季度正式投入量產。不出意外，蘋果、高通、聯發科等客戶都將在今年下半年推出2nm芯片，它們分別是A20、A20 Pro、驍龍8 Elite Gen6系列以及天璣9600，標志著2nm時代正式到來。值得注意的是，雖然蘋果、高通下一代旗艦芯片都是2nm工藝制程，但是兩款芯片使用的工藝節點略有不同。據博主定焦數碼爆料，高通驍龍8 Elite Gen6采用的是臺積電N2P工藝，而蘋果A20和A20 Pro采用臺積電N2工藝，其中N2是臺積電第
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驍龍 8 Elite Gen6 首發 臺積電 2nm工藝 蘋果 A20
大眾集團已將其Gen.Urban自動駕駛研究車投入真實城市交通，開始在沃爾夫斯堡的公共道路上進行新的測試階段。該項目將項目從受控試驗轉向日常城市場景，涵蓋交叉口、環島以及混合住宅與工業區。這一進展揭示了大型汽車集團如何處理用戶體驗、內飾概念以及自動駕駛汽車的人機交互。它還強調了城市測試路線不僅用于驗證駕駛功能，還驗證乘客的接受度和信任度。無傳統對照的城市檢測Gen.Urban研究車輛設計無方向盤或踏板，體現了面向未來的全自動出行理念。在當前測試階段，一名受過培訓的安全駕駛員坐在副駕駛座，必要時可通過專用控
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大眾汽車 Gen.Urban 自動駕駛汽車
11 月 12 日消息，博主數碼閑聊站 今天在微博發文稱，高通驍龍 8 Gen 5 芯片的芯片制程和規格將與驍龍 8 Elite Gen 5“一體雙生”。根據博主的說法，高通會長期保持迭代 8 Gen X 這條產品線，構成標準版和 Pro 版的市場格局，定位對標蘋果。性能方面，驍龍 8 Gen 5 的內部數據是安兔兔跑分＞驍龍 8 至尊版，Geekbench 6 單核性能＜驍龍 8 至尊版，多核跑分＞驍龍 8 至尊版，某些新機游戲體驗≥驍龍 8 至尊版，套片價格≥驍龍 8 至尊版，在未來的中端旗艦產品線中
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高通 驍龍 8 Gen 5 芯片 臺積電 N3P 3nm 制程
Sandisk閃迪近日宣布，其PCIe? Gen 5 SANDISK? SN861 NVMe SSD已獲得開放計算組織（Open Compute Project，OCP）的OCP Inspired?認證。這一認證意味著SANDISK? SN861 NVMe SSD在OCP協會的評審中展現出卓越的產品效率、影響力、開放性、可擴展性和可持續性，符合數據中心NVMe SSD規范。目前，SANDISK? SN861 NVMe SSD已正式上線OCP Marketplace平臺。
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閃迪 PCIe Gen 5 企業級固態硬盤 OCP
隨著人工智能（AI）工作負載和高性能計算（HPC）應用對數據傳輸速度與低延遲的需求持續激增，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）宣布推出下一代Switchtec? Gen 6 PCIe? 交換機。作為業界首款采用3納米制程工藝的PCIe Gen 6交換機，Switchtec Gen 6系列旨在實現更低功耗，并支持最多160通道，滿足高密度AI系統的連接需求。該系列交換機的高級安全功能包括基于硬件的信任根、安全啟動功能，并采用符合美國商用國家安全算法規范2.0（CNSA 2.0
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Microchip PCIe Gen 6 交換機
關鍵點：尖端 3nm“全大核”CPU：天璣 9500 采用臺積電 8nm N3P 工藝，配備 1 個高性能內核（4.21 個超 @ 4.21GHz、3 個高級 @ 3.7GHz、4 個性能 @ 3GHz）.這種第三代“全大核”設計（無低功耗內核）的單核性能比其前身提高了 32%，多核性能提高了 17%，同時將峰值功耗削減 37%（主核心在全油門時的功耗降低 55%）.破紀錄的人工智能和 NPU：全新雙核 NPU （MediaTek NPU 990） 搭載生成式 AI 引擎 2.0，將 AI 計算能力提升一
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聯發科 天璣9500 Snapdragon 8 Gen 3 蘋果A17
聯發科技和高通，是智能手機應用處理器的死對頭，高通在智能手機的生態上話語權更大，聯發科技則是在整體市場份額上領先，不過在高端市場的占有率和銷售額方面，高通的優勢要明顯得多。如果聯發科技要真正與高通并肩對視，那么天璣系列就要擁有跟驍龍一樣的競爭力。 在天璣系列出現之前，聯發科技在手機AP方面的話語權似乎始終活在高通的陰影下，特別是某高通股東廠商內部的產品定位直接讓天璣系列精心打造的比肩驍龍的宣傳口號變成了笑話。不過隨著各手機廠商定制處理器出現不同的意外情況，不可否認的是，天璣系列現在擁有可以撼動驍
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陶氏公司的目標是使用其最新的硅凝膠來開發 IGBT 模塊，以支持 800V 車輛和可再生能源高達 180°C 的運行溫度。“在光伏電池板和風力渦輪機中，逆變器的功率密度正在增加，”該公司表示。“由于第 7 代 IGBT 技術的結溫更高，電壓更高，電氣負載更大，硅凝膠需要具有強大的介電性能和增強的耐熱性。”EG-4175 是一種材料，在使用前由等量的兩種粘度匹配的前體混合。它無需單獨的底漆即可自吸以實現粘合，并在室溫下固化——盡管可以使用熱量來加速固化。陶氏聲稱，在使用中，“該材料可以吸收振動并具有自愈特性
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高通正準備推出其下一款旗艦智能手機芯片。新的泄漏讓我們更清楚地了解會發生什么。即將推出的處理器之前被傳為 Snapdragon 8 Elite Gen 2，可能會以 Snapdragon 8 Gen 5 的名稱上市。不管叫什么名字，性能數據看起來都令人驚嘆。根據爆料者數碼閑聊站的一份新報告，驍龍 8 Gen 5 已經在安兔兔基準測試上跨越了一個令人難以置信的里程碑。據報道，該芯片得分超過 400 萬分。這遠遠領先于目前的高端處理器，后者的得分通常在 2.5 到 300 萬之間。這意味著新的 Snapdra
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據外媒Business Post報道，三星計劃在2026年推出的Galaxy S26系列旗艦智能手機，除了搭載基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外，還將采用高通新一代驍龍8系列旗艦芯片，可能命名為Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，這款高通芯片將不再由臺積電獨家使用N3P制程代工，而是部分交由三星2nm制程代工，專為三星Galaxy系列設備定制。報道顯示，高通的下一代芯片策略將有重大調整，計劃為新一代驍龍旗艦手機芯片開發兩個版本。一個版本采用臺積電3nm制程，供
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高通 驍龍 三星 2nm Galaxy
5月20日消息，雷軍之前已經宣布了小米自研芯片玄戒O1，而它可能只是一個代號，最終的成品或許會有多個版本。如果熟悉芯片設計的朋友應該都清楚，廠商在規劃一款芯片設計時，必然會有多款相關版本的衍生，所以這更像是一個大類，而非具體到一個型號。有網友發現，Geekbench 6.1.0上出現了小米新機的跑分成績，而主板信息顯示為"O1_asic"，從跑分上看，該機的單核跑分最高 2709、多核跑分8125，比高通驍龍8 Gen 3 的成績還要高一些，可以說表現亮眼。跑分頁面還顯示，該處理器的C
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小米 自研芯 10核 3nm 超驍龍8 Gen 3
Sandisk?閃迪于近日正式發布其采用先進 PCIe? Gen 5.0 技術的WD_BLACK? SN8100 NVMe? SSD，推動客戶端 SSD 產品發展。這款先進的內置 SSD 順序讀取速度高達14,900 MB/s[1]，容量高達8TB[2]，專為高性能游戲、內容創作和人工智能（AI）工作負載設計。隨著游戲圖形技術的革新、4K 和 8K 高質量內容以及 AI 應用的普及，如今的玩家和專業人士需要能夠進一步強化 PC 性能的存儲
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