即插即用的Chiplet是人們追求的目標,但UCIe 2.0是否讓我們離這一目標的實現更近了呢?問題在于,當前推動該標準的因素并非是即插即用所要求的那種互操作性。UCIe 2.0于2024年8月發布,它宣稱具有更高的帶寬密度和提升的電源效率,同時還具備支持3D封裝、易于管理的系統架構等新特性。推動這一標準的是行業內的關鍵領導者,包括日月光、阿里巴巴、AMD、Arm、谷歌云、英特爾、Meta、微軟、英偉達、高通、三星電子和臺積電等公司。然而,前沿領域所需的標準可能與市場其他部分的需求不同。YorChip公司
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Chiplet UCIe2.0 封裝 芯片設計
近日在臺積電赴美召開董事會的行程期間,臺積電董事長兼總裁魏哲家在美國亞利桑那州舉行內部會議,作出了多項決議,加速先進制程赴美。其中在先進制程部分,臺積電計劃在亞利桑那菲尼克斯建設的第三晶圓廠Fab 21 p將于今年年中動工,該晶圓廠將包含2nm和A16節點制程工藝,可能提早在2027年初試產、2028年量產,比原計劃提前至少一年到一年半。
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臺積電 CoWoS 封裝 芯片
光纖電纜正在逐漸靠近高性能計算機中的處理器,用玻璃取代銅連接??萍脊鞠Mㄟ^將光學連接從服務器外部移動到主板上,然后讓它們與處理器并排放置,從而加速 AI 并降低其能源成本?,F在,科技公司準備在尋求成倍增加處理器潛力的道路上走得更遠——通過滑入處理器下面的連接。這就是 Lightmatter 采用的方法,它聲稱通過配置插入器進行光速連接而處于領先地位,不僅在處理器之間,而且在處理器的各個部分之間。該技術的支持者聲稱,它有可能顯著降低復雜計算中的功耗,這是當今 AI 技術進步的基本要求
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光中介層 AI Lightmatter 處理器 封裝 光信號
知情人士稱,蘋果在臺積電美國亞利桑那州工廠(Fab 21)生產的4nm芯片已進入最后的質量驗證階段,英偉達和AMD也在該廠進行芯片試產。不過,臺積電美國廠尚不具備先進封裝能力,因此芯片仍需運回臺灣封裝。有外媒在最新的報道中提到,去年9月份就已開始為蘋果小批量代工A16仿生芯片的臺積電亞利桑那州工廠,目前正在對芯片進行認證和驗證。一旦達到質量保證階段,預計很快就能交付大批量代工的芯片,甚至有可能在本季度開始向蘋果設備供貨?!?臺積電亞利桑那州晶圓廠項目工地,圖源臺積電官方臺積電位于亞利桑那州的在美晶圓廠項目
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臺積電 4nm 芯片 封裝
隨著從 HBM 到 3D 封裝中的集成 RF、電源和 MEMS 等所有產品的需求不斷增長,晶圓廠工具正在針對 TSV 工藝進行微調。
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TSV 封裝
12月25日消息,據媒體報道,三星正計劃對其先進半導體封裝供應鏈進行全面整頓,以加強技術競爭力。這一舉措將從材料、零部件到設備進行全面的“從零檢討”,預計將對國內外半導體產業帶來重大影響。報道稱,三星已經開始審查現有供應鏈,并計劃建立一個新的供應鏈體系,優先關注設備,并以性能為首要要求,不考慮現有業務關系或合作。三星甚至正在考慮退回已采購的設備,并重新評估其性能和適用性,目標是推動供應鏈多元化,包括更換現有的供應鏈。三星過去一直執行“聯合開發計劃”與單一供應商合作開發下一代產品,然而,由于半導體技術日益復
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三星 制程 封裝
我們常說邏輯器件是每個電子產品設計的“粘合劑”,但在為系統選擇元件時,它們通常是您最后考慮的部分。確實有很多經過驗證的標準邏輯器件可供選擇。但是,隨著設計變得越來越復雜,我們需要在電路板上集成邏輯元件,以便為更多功能留出空間。越來越多的工程師選擇可編程邏輯器件 (PLD)、復雜 PLD (CPLD) 或現場可編程門陣列 (FPGA),從而幫助減小解決方案尺寸、降低設計和制造成本、管理其供應鏈,并縮短產品上市時間。在使用 CPLD 或 FPGA 進行設計時,需要考慮許多權衡因素,這些器件支持數千個邏輯元件,
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PLD 封裝
全球科學服務領域的領導者賽默飛世爾科技(Thermo Fisher Scientific)近日發布了全新的 Helios 5 Hydra CX DualBeam 系統。該系統結合了創新的多離子種類等離子聚焦離子束(PFIB)鏡筒和單色 Elstar 電子鏡筒,旨在為半導體封裝技術帶來突破性進展。突破后摩爾時代的“四堵墻”在后摩爾時代,半導體行業面臨存儲、面積、功耗和功能四大瓶頸。先進封裝技術被視為突破這些限制的關鍵途徑。Helios 5 Hydra CX DualBeam 的推出,為晶圓基板上芯片(CoW
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封裝
12 月 6 日消息,博通當地時間昨日宣布推出行業首個 3.5D F2F 封裝技術 3.5D
XDSiP 平臺。3.5D XDSiP 可在單一封裝中集成超過 6000mm2 的硅芯片和多達 12 個 HBM 內存堆棧,可滿足大型 AI
芯片對高性能低功耗的需求。具體來看,博通的 3.5D XDSiP 在 2.5D 封裝之外還實現了上下兩層芯片頂部金屬層的直接連接(即 3D 混合銅鍵合),同時具有最小的電氣干擾和卓越的機械強度。這一“面對面”的連接方式相比傳統“面對背”式芯片垂直堆疊擁有 7 倍的信
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博通 3.5D F2F 封裝平臺 富士通 MONAKA 處理器
2024年11月21日 - 美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商,隆重推出全新 Riedon?PF2203 和 PFS35系列高功率厚膜電阻。這兩大系列是 Bourns 廣泛高功率電阻產品線的重要擴充,采用緊湊型 TO-220 和 DPAK 封裝,具備低電感、卓越的脈沖處理能力及高達 35W 的額定功率,可顯著提升電路穩定性和測量精度。Bourns 推出的 Riedon? PF2203 和 PFS35 系列高功率厚膜電阻,具有廣泛的電阻值范圍,從 10 MΩ 到
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Bourns 厚膜電阻 TO-220 DPAK 封裝 Riedon? PF2203 PFS35
據外媒報道,三星正在擴大韓國和其他國家芯片封裝工廠的產能,主要是蘇州工廠和韓國忠清南道天安基地。由于人工智能領域激增的需求,下一代高帶寬存儲器封裝(HBM)的重要性日益重要,三星希望通過提升封裝能力,確保他們未來的技術競爭力,并縮小與SK海力士在這一領域的差距?!?蘇州工廠是三星目前在韓國之外僅有的封裝工廠,業內人士透露他們在三季度已同相關廠商簽署了設備采購協議,合同接近200億韓元,目的是擴大工廠的產能。· 另外,三星近期已同忠清南道和天安市簽署了擴大芯片封裝產能的投資協議,計劃在韓國天安市新建一座專門
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三星 高帶寬存儲器 封裝 HBM
11 月 6 日消息,天風證券分析師郭明錤昨日(11 月 5 日)在 Medium 上發布博文,深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報道,是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后,將不再把 DRAM 整合進 CPU 封裝。雖此事近來成為焦點,但業界早在至少半年前就知道,在英特爾的
roadmap 上,后續的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther
Lake 與 Wildcat La
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郭明錤 英特爾 Lunar Lake DRAM CPU 封裝 AI PC LNL
臺積電公開稱,高雄晶圓廠興建工程按照計劃進行,并且進展良好,2nm將如期于2025年量產。此前有消息稱,高雄廠第一座2納米廠將于11月26日舉行進機典禮,并自12月1日展開裝機。ASML也已經向臺積電交付了NAEUV光刻機,該光刻機是生產制造2nm及以下工藝芯片的最佳設備。臺積電明年量產2nm芯片,還是在高雄工廠,這說明魏哲家說的沒錯,臺積電根留臺灣,最先進的技術,也留在了臺灣省。芯片規則修改后,美明確想要臺積電最先進的芯片技術,還要求更多芯片在本土制造。臺積電就加速在美建廠,連續投資超650億美元,建設
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臺積電 2nm芯片 ASML NAEUV 光刻機 封裝
隨著半導體行業的快速發展,先進封裝技術成為了提升芯片性能和功能密度的關鍵。近年來,作為2.5D和3D封裝技術之間的一種結合方案,3.5D封裝技術逐漸走向前臺。什么是3.5D封裝技術3.5D封裝技術最簡單的理解就是3D+2.5D,通過將邏輯芯片堆疊并將它們分別粘合到其他組件共享的基板上,創造了一種新的架構。能夠縮短信號傳輸的距離,大幅提升處理速度,這對于人工智能和大數據應用尤為重要。不過,既然有了全新的名稱,必然要帶有新的技術加持 —— 混合鍵和技術(Hybrid Bonding)。混合鍵合技術的應用為3.
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封裝技術 TSV 中介層 3.5D
由德州儀器開發的這些超小型電源模塊比同類設備小23%,同時提高了功率密度和效率。當你認為低功率DC-DC模塊的尺寸已經無法再縮小時,材料和設計方面的創新發展會挑戰并推翻這個看似合理的假設。以德州儀器最新推出的一系列電源模塊為例。這些模塊基于一種新的磁性封裝技術,在不影響性能的情況下顯著減小了尺寸,滿足了我們對DC-DC模塊和本地化電源調節的無盡需求(圖1)。德州儀器
圖1:采用MagPack技術的新電源模塊比上一代產品小50%,在保持出色的熱性能的同時將功率密度提高了一倍。
采用MagPack技術的新
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封裝,磁性封裝
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