在供應緊張引發全球記憶價格飆升的背景下，另一家主要組件制造商警告即將上調價格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston數據中心SSD業務經理Cameron Crandall的言論指出，NAND價格自2025年1月以來已上漲246%，隨著短缺加劇，未來30天內可能進一步攀升。在報道引用的《The Full Nerd Network》采訪中，Crandall指出，近70%的NAND價格急劇飆升發生在過去60天內。由于NAND約占SSD成本結構的90%，他表示金斯頓幾乎沒
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NAND 存儲
據路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認定。長江存儲成立于2016年7月，是國內專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路廠商，旗下有零售存儲品牌致態。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。
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近日，英偉達宣布入股新思科技，并開啟多年深度合作，引發行業廣泛關注。作為一家以算力和應用見長的芯片公司，為什么要親自“下場”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應的是，臺積電早已與楷登電子在先進制程與 3D 封裝上形成緊密合作，把工藝規則直接嵌入設計工具之中。 這一系列動作清晰地揭示了一個深層趨勢：在摩爾定律逼近極限、先進封裝成為算力增長核心引擎的今天，半導體產業的競爭范式正從單一的制程競賽，轉向系統級的協同優化。想要繼續提升性能、控制成本，就必須實現“工藝 + EDA + 設計”的深度協同，而
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研究人員展示了基于FeFET的三維NAND電池，其通電電壓接近零，每個單元最多可達五位。三星研究人員發布了一份詳細的NAND實驗性架構報告，旨在將該技術最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進技術研究院的研究人員完成，發表在《自然》期刊上。 該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應晶體管（FeFET）設計，結合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導體通道，并引入了近乎零的通電壓作，構成了96%功率降低的基礎。在現代NAND中，每當讀取或編程單元時，貫穿
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NAND 三星 存儲技術 FeFET
三星研究人員發布了一份詳細的NAND實驗性架構報告，旨在將該技術最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進技術研究院的研究人員完成，發表在《自然》期刊上。 該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應晶體管（FeFET）設計，結合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導體通道，并引入了近乎零的通電壓作，構成了96%功率降低的基礎。在現代NAND中，每當讀取或編程單元時，貫穿每條垂直字符串的字線堆棧必須帶有通行電壓。隨著層數增加，開銷也隨之增加，由于層
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在內存供應緊張和價格飆升給行業壓力的情況下，據ETNews和News 1報道，三星開發出了一種NAND閃存技術，能夠降低90%以上的功耗，預計將提升AI數據中心、移動設備及廣泛應用的能效。據報道，11月27日，SAIT（前三星先進技術研究院）宣布將在《自然》雜志上發表其關于新型NAND閃存結構的研究，以顯著提升能源效率。據ETNews報道，三星首次在全球范圍內發現了將氧化物半導體與鐵電結構結合的關鍵機制，從而將功耗降低了多達96%。正如報告所述，傳統NAND閃存存儲數據為注射電子進入每個細胞。因此，為了提
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第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程師、技術專家、行業領袖、學術界、學生和研究人員，主題為“以數據驅動的半導體創新改變未來”。今年，該會議由IEEE班加羅爾分會、IEEE計算機科學學會班加羅爾分會和Women in Engineering AG班加羅爾分會聯合主辦，由三星半導體印度研究院（SSIR）主辦。IEEE班加羅爾分會主席Chandrakanta Kumar博士表示：“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半導體創新引擎
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芯片制造商正越來越多地采用晶體管層堆疊技術，在有限空間內集成更強計算能力。然而，當前用于檢測可能導致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技術，要么效果不佳，要么具有破壞性。不過，一家初創公司表示，基于人造鉆石的新型量子傳感器有望幫助代工廠在生產過程中快速捕捉這些隱藏缺陷，且不會對芯片造成損壞，這可能為行業節省數十億美元成本。馬里蘭州大學公園市量子技術公司 EuQlid 的聯合創始人兼首席執行官 Sanjive Agarwala 表示：“芯片中電流傳輸所依賴的互連結構若存在缺陷 —— 無論是金屬沉積不當、硅片裂紋還
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在鞏固其在 HBM 領域的領導地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發高帶寬 NAND 閃存 （HBF），該閃存通過 NAND 增強 HBM，用于 AI 推理工作負載。與此同時，據報道，該公司正在探索更廣泛的內存領域：高帶寬存儲 （HBS）。正如 ETnews 報道的那樣，哈佛商學院將移動 DRAM 和 NAND 相結合，以提高智能手機、平板電腦和其他移動設備的 AI 性能。報告援引消息人士解釋說，SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起，以創建HBS，它可以堆疊多達16層
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AI服務器推動儲存需求爆發，傳統硬盤（HDD）持續大缺貨，據悉，交付期限已延長至2年以上，北美及中國云端服務（CSP）大廠「緊急加單」，采購大容量企業級固態硬盤（SSD）。 部分原廠2026年QLC NAND Flash產能也被提前搶購一空，業界預期，最快在2027年，全球QLC位可能超車TLCNAND。AI發展重點轉向推論，依賴高效能及大容量儲存裝置，北美多個數據中心陸續建設落成，CSP大廠迫切需要高容量儲存裝置供應配合，但傳統近線儲存（Nearline Storage）首選的HDD產能受限，無法快速承
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專家在座：半導體工程與西門子 EDA 產品管理高級總監 John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設計挑戰以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監;莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監 Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
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3D-IC 芯片設計
總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。根據公開信息，2025年4月，養元飲品子公司泉泓、農銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產、工融金投等15家機構同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業管理合伙企業（有限合伙），上述兩筆
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長江存儲 半導體 3D NAND 晶棧 Xtacking
專家在座：半導體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產品管理高級總監 John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業部 IP 解決方案小芯片高級產品組總監;莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業務經理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產品管理高級總監 Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
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存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據 SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協商根據市場條件調整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據 EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達到 70%。行業消息來源還表
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根據韓國媒體《Yonhap Infomax》，日本 NAND 閃存生產商 Kioxia 的股價在 NAND 市場供應短缺的情況下急劇上漲。報道指出，SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia——在多年等待后現在正實現顯著的價值增長。報道指出，截至 16 日，Kioxia 在東京證券交易所的股價在過去一個月內上漲了 70%。隨著鎧俠股價飆升，作為主要投資者的 SK 海力士也從中受益。據報道，2018 年 SK 海力士投資了 3950 億日元（約 3.9 萬億韓元）的貝恩資本主導的
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