- 模擬芯片是連接現實世界與數字虛擬世界的橋梁,也是綠色節能關鍵器件。與國外公司相比,中國模擬芯片企業無論技術還是產能都有較大差距。
但是近年來,掌握世界先進技術的本土模擬集成電路企業的崛起使中國高性能模擬集成電路水平與世界領先水平的差距逐步縮小,不少國內高端模擬芯片空白得以填補,在某些產品領域甚至達到和超越了世界先進水平,展現了良好發展勢頭。也有越來越多的國內模擬芯片公司成功上市,獲得了更大的發展。
本月初,作為國內知名模擬IC廠商的圣邦微電子也成功登陸A股市場,在深圳交易所掛牌上市。那么這
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IC 芯片
- 數字電視的發展,使人們對各種高畫質影音設備的購買需求激增。FPD TV、DVD播放器、NB、數字相機及數字攝影機都已出現支持Full HD規格的產品。
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LCD LVDS IC
- 3D電影現在比比皆是,相必大家都不陌生了吧,但是你知道3D的原理嗎?不知道的話,就隨小編一起來學習一下吧~~~
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3d原理 3D
- 當今的汽車制造商越來越注重將汽車中每個系統的能效提升至最高,以滿足更嚴格的排放及燃油經濟性目標。為了符合汽車購買者乃至地球的需求,如今,前所未有地更加重要的是,充分利用新的IC進展來更高效率地在從熄火到所有系統工作等各個使用模式管理電氣能耗。
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CAN IC SBC
- 近日科學家為身在國際空間站或者執行火星任務的宇航員研發了一種虛擬現實3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現實世界之上的虛擬圖像,后者能夠輔助宇航員獨自進行外科手術治療疾病。
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3D 太空手術 創新技術
- 加拿大皇后大學人類媒體實驗室研究員研發成功的“TeleHuman”3D全息投影設備,能將科幻片中經常出現的3D虛擬投影變成現實。這款設備開發本意就是用3D全息影像來代替現有的平面視頻會議.
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3D 全息投影技術 遠程醫療
- 超聲系統是目前廣泛使用的最精密復雜的信號處理儀器之一。像任何復雜的儀器一樣,由于性能、物理和成本要求的原因,實現時要做出許多權衡。掌握一些系統級的知識對于充分了解所要求前端IC的功能和性能水平是很必要。
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ABF DBF IC 超聲
- 術語“柵格”和“分辨率”的混淆和相互替換,對DSM(深亞微米)和亞波長半導體設計的生產、可靠性和制造,已經形成巨大的消極影響。
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柵格 分辨率 IC
- 當選擇數模轉換器 (DAC) 時,設計師可以從種類繁多的 IC 中選擇。DAC 可以針對具體的應用劃分成很多不同類別。不過,DAC 的劃分也可以簡化,僅分成 DC 或低速調節所需的 DAC
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轉換器 IC DAC
- 隨著移動互聯網的持續發展以及物聯網的高速增長,移動寬帶技術不斷向前演進。移動寬帶技術的發展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年,全球移動用戶連 接數預計將達到70億,覆蓋全球96%以上的人口,其中3G和4G移動用戶連接數之和也將達到24億,占據全球總量的三分之一以上。這些數據表明MBB業 務正在快速增長。
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移動通信 天線技術 創新 3D-MIMO 波束智能賦型
- 中國要踏上IC強國之路,策略已經靈活轉變,從強勢資本“走出去”海外,到把國際巨頭“引進來”,但是中國IC真正要走向自主創新,長遠之路仍需要靠自主研發,“先進技術是用錢買不來,別人也不會拱手相讓”中國要走向半導體“強國之策”首要還是加強自行研發,兼并是手段,合資、合作發展或是快捷方式,但絕非根本之策。
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中國芯 IC
- 據了解,汽車IC市場22%的預計增長乃至于系統增長的驅動,內存以及邏輯器件的價格上漲。
用以改善整車性能的電子系統:目的是增加車輛的舒適性和便利性,用以保護駕駛員安全的手段每年都在增多,警告、檢測、糾正錯誤的手段也在增加。消費者對于對于這些新系統的需求,以及政府對于這些的要求,促使與之相關的IC組件的價格上漲。據預計,今年,這一影響將會為汽車IC市場帶來22%的市場增長,達到280億美元的歷史記錄。(圖一)
在過去的幾年之中,全球汽車IC市場經歷了幾次非同尋常的變化。2014年,汽車IC市
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IC
- DIGITIMES Research觀察,2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇,透過3DNAND Flash制程,無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。
3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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摩爾定律 3D NAND
- 在后摩爾定律時代,加速電子產業鏈上下游的整合勢在必行,這也是從業者在后摩爾時代所應該看到和追隨的。
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摩爾定律 IC
3d-ic介紹
3D IC產業鏈依制程可概略區分成3大技術主軸,分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求,TSV芯片必須經過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程,稱之為中段,可由晶圓廠或封測 [
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