全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International R
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LED 驅動 IR IC
最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高，許多半導體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中，又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多，取得領先地位。
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3D NAND 三星
存儲器作為四大通用芯片之一，發展存儲芯片產業的意義不言而喻。對電子產品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數據、物聯網等新興產業的發展，存儲產業與信息安全等亦息息相關。
當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯網廠商帶動數據中心爆發，使得國產廠商對存儲需求量巨大。
相關數據顯示，2015年大陸DRAM采購規模估計為120億美元、NAND Flash采購規模為66.7億美元
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3D NAND DRAM
如何準確判斷電路中集成電路IC的是否工作，是好是壞是修理電視、音響、錄像設備的一個重要內容，判斷不準，往往花大力氣換上新集成電路而故障依然存在，所以要對集成電路作出正確判斷。
1、首先要掌握該電路中IC的用途、內部結構原理、主要電特性等，必要時還要分析內部電原理圖。除了這些，如果再有各引腳對地直流電壓、波形、對地正反向直流電阻值，那么，對檢查前判斷提供了更有利條件;
2、然后按故障現象判斷其部位，再按部位查找故障元件。有時需要多種判斷方法去證明該器件是否確屬損壞。
3、一般對電路中I
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IC 集成電路
社會高度關注政客民意調查的“死亡交叉”，卻少有人注意到另一個死亡交叉的出現，臺灣IC設計產業的營收在今年已被大陸超越。蔡政府迫于情勢，近日傳出有意“默許”業者轉經第三地赴大陸投資。
臺IC設計產值 被陸超越
IC設計繞過審查登陸 蔡默許不管
我們認為，政府這種思維與作法只能以“一錯再錯”名之，先錯估產業發展趨勢與需求，強硬阻擋兩岸IC設計產業合作，確定情勢不利后，竟不肯“開大門，走大道”，
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IC 晶圓
美光(Micron)3D NAND固態硬碟(SSD)產品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產品，這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產品。
美光移動事業行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產品，鎖定中、高階智能型手機市場，此區塊市場占全球智能型手機總數的50%。
而這也是業界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
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美光 3D NAND
中國正在下大力度推進存儲產業的發展，3D NAND被認為是一個有利的突破口。
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3D NAND 存儲器
產業發展需要扶植巨頭，因為他們不僅擁有人才管理、企業運營經驗，也擁有全球領先的管理制度和激勵制度，自主OS要崛起沒有捷徑可走。
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IC OS
目前3D NAND由三星電子獨家量產，但是先有東芝殺入敵營，如今美光也宣布研發出3D NAND，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，3D NAND flash大戰即將開打!
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美光 3D NAND
據韓國經濟報導，大陸半導體產業在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業者也紛紛強化投資。
市調業者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業從2011~2016年以年均復合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發NAND Flash市場版圖變化。
清華紫光擁有清華大學的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術方面
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三星 3D NAND
德國卡爾斯魯厄理工學院 (KIT)研究人員成功開發了一種用以探測光學資料路徑的創新光探測器，占位面積不到100平方微米…
玻璃纖維(glass fibers)有可能成為資訊時代的傳輸高速公路──德國卡爾斯魯厄理工學院 (Karlsruhe Institute of Technology，KIT)研究人員成功開發了一種用以探測光學資料路徑的創新光探測器(photo detector)，是玻璃纖維接收端的核心零組件;此成果為該類元件的尺寸設立了新標準，研究人員聲稱其占位面積不到100平
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IC 光探測器
高效率、高可靠性LED驅動器IC領域的業界領導者Power Integrations公司今日推出適合于單級非隔離降壓式可調光LED驅動器應用的LYTSwitch™-7 IC產品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝，在無需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率，并且效率極高，適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應用。在LYTSwitch-7的設計中只需采用一個簡單的無源衰減電路而無需泄放電路即可滿足可控硅調光器的要求。另外，設計中的電感可采用現成的只有單一繞組的市售標準電感。LYTSwitch-7的
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Power Integrations LYTSwitch-7 IC
東芝(Toshiba)統籌存儲器事業的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產量，目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。
關于已在2016年度開始量產的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產，目標在2017年度將3D產品占整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。
東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。
日經、韓國先驅報(
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東芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
受惠于大陸經濟持續成長，加上以中低階智能手機為主的行動裝置出貨量亦在此期間大幅成長，大陸IC產業產值從2010年210.3億美元逐年成長至2015年579.7億美元，2010~2015年復合成長率達19.1%。DIGITIME Research預估，雖然智能手機出貨量成長趨緩，加上全球經濟前景不確定性仍高，但在大陸IC內需市場仍能穩定成長，加上半導體產業政策支持推動下，2016年大陸IC產業產值將達666.4億美元，年成長15%。
十二五規劃期間，拜全球智能手機，尤其是中低階智能手機出貨大幅成長
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Digitimes IC
3d-ic介紹
3D IC產業鏈依制程可概略區分成3大技術主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [
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