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3d-ic 文章 最新資訊

IC卡型H8/310系列單片機(jī)H8/310SeriesMicrocomputer

  • IC卡型H8/310系列單片機(jī)H8/310SeriesMicrocomputer
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KLA-Tencor 快速有效解決客戶良率問(wèn)題與中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)一同成長(zhǎng)

  •   看好中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)持續(xù)的蓬勃發(fā)展,工藝控制與成品率管理解決方案提供商KLA-Tencor (科天)透過(guò)半導(dǎo)體檢測(cè)與量測(cè)技術(shù),以最快的速度及最有效的方式 ,幫助客戶解決在生產(chǎn)時(shí)面對(duì)的良率問(wèn)題。KLA-Tencor立志于幫助中國(guó)客戶一起提升良率,降低生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)效率,并與中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)一同成長(zhǎng)。  KLA-Tencor中國(guó)區(qū)總裁張智安表示,KLA-Tencor成立至今40年,現(xiàn)于全球17國(guó)擁有6000多位員工。2016財(cái)年,KLA-Tencor營(yíng)收表現(xiàn)來(lái)到30億美元。從硅片檢
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國(guó)內(nèi)IC業(yè)熱鬧非凡 需以更大雄心瞄準(zhǔn)更廣市場(chǎng)

  • 國(guó)內(nèi)IC業(yè)近年來(lái)熱鬧非凡,隔三差五某個(gè)收購(gòu)、某個(gè)新項(xiàng)目開(kāi)工的消息此起彼伏,大基金和社會(huì)資本的注入、老牌企業(yè)的橫縱聯(lián)合、新興企業(yè)的雨后春筍,讓人難免生出“春風(fēng)得意馬蹄急”的感覺(jué)。
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TMR:2019年電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)460億美元

  •   市場(chǎng)研調(diào)機(jī)構(gòu)Transparency Market Research(TMR)最新研究報(bào)告指出,科技進(jìn)步正在塑造全球電源管理IC市場(chǎng)動(dòng)態(tài),可配置性和可程式性方面的創(chuàng)新則在推動(dòng)全球電源管理IC市場(chǎng)成長(zhǎng)。汽車(chē)產(chǎn)業(yè)和消費(fèi)性電子產(chǎn)業(yè)對(duì)先進(jìn)系統(tǒng)的需求尤其明顯。TMR預(yù)估,2013~2019年,全球電源管理IC市場(chǎng)年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)6.1%。   根據(jù)openPR報(bào)導(dǎo),TMR最新研究報(bào)告詳細(xì)分析全球電源管理IC市場(chǎng)的創(chuàng)新趨勢(shì)和其他主要趨勢(shì),并深入分析這些趨勢(shì)對(duì)各區(qū)域市場(chǎng)成長(zhǎng)的影響,并以應(yīng)用、產(chǎn)品類(lèi)型和
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厚翼科技(HOY Technologies)為業(yè)界唯一專注于內(nèi)存測(cè)試解決方案的供貨商

  •   隨著設(shè)計(jì)采用奈米微縮制程的演變,與 IC 設(shè)計(jì)復(fù)雜度與設(shè)計(jì)規(guī)模日趨復(fù)雜,嵌入式內(nèi)存在各項(xiàng)產(chǎn)品的需求比重愈來(lái)愈高,內(nèi)存缺陷成為影響芯片良率的變因之一,因此內(nèi)存測(cè)試解決方案的重要性也與日俱增,尤其是車(chē)用電子及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的相關(guān)產(chǎn)品,更需要內(nèi)建自我測(cè)試技術(shù)(MBIST, Memory Built-In Self-Test);而車(chē)用電子產(chǎn)品對(duì)于其可靠性與安全性已被 ISO26262 規(guī)范,其內(nèi)存自我檢測(cè)(MBIST, Memo
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中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入成長(zhǎng)階段 培育龍頭企業(yè)正逢其時(shí)

  • 中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展,就要迅速成就一批行業(yè)的龍頭企業(yè),這不是一件容易的事,需要有一個(gè)漫長(zhǎng)的培育過(guò)程,中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)已走出萌芽狀態(tài),進(jìn)入成長(zhǎng)階段。在這個(gè)跳躍性的成長(zhǎng)中,對(duì)研發(fā)投入的標(biāo)準(zhǔn)會(huì)越來(lái)越高,對(duì)技術(shù)創(chuàng)新的要求也會(huì)越來(lái)越高。
  • 關(guān)鍵字: IC  集成電路  

IC與驅(qū)動(dòng)電路四對(duì)分立器件互補(bǔ)管及RM8Z磁芯電路圖

  • IC與驅(qū)動(dòng)電路四對(duì)分立器件互補(bǔ)管及RM8Z磁芯電路圖圖IC與驅(qū)動(dòng)電路四對(duì)分立器件互補(bǔ)管及RM8Z磁芯電路圖驅(qū)動(dòng)電路及RM8Z變壓器繞組實(shí)際參數(shù)見(jiàn)圖。
  • 關(guān)鍵字: IC  驅(qū)動(dòng)電路  分立器件  互補(bǔ)管  磁芯電路  

兩片IC構(gòu)成的穩(wěn)壓電路

IC產(chǎn)業(yè)整并風(fēng)潮凍傷模擬工程師職場(chǎng)

  •   類(lèi)比工程師的轉(zhuǎn)職活動(dòng)在近來(lái)確實(shí)大幅減少,很多大型類(lèi)比半導(dǎo)體供應(yīng)商雖然在整并之后規(guī)模變得更大,但目前仍在業(yè)務(wù)/人員盤(pán)點(diǎn)階段…   大型類(lèi)比半導(dǎo)體廠商近來(lái)為尋求“成本協(xié)同效應(yīng)”而掀起的整并風(fēng)潮,可能造成各家廠商的職位縮減并對(duì)工程師們帶來(lái)影響;對(duì)此在類(lèi)比技術(shù)領(lǐng)域的知名人才招募網(wǎng)站Analog Solutions總裁暨創(chuàng)辦人Gary Fowler表示,類(lèi)比工程師確實(shí)找工作會(huì)更困難,很多公司的人才招募已經(jīng)凍結(jié),而這一切都拜企業(yè)整并之賜。   Fowler指出,類(lèi)比工程師
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技術(shù)革新日新月異:3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場(chǎng)主流

  • 容量更大、價(jià)格更低、壽命更長(zhǎng)、速度更快,新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比,預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤(pán)市場(chǎng)的規(guī)模差距,兩種儲(chǔ)存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn),高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設(shè)備及消費(fèi)者的優(yōu)先選擇。
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  SSD  

汽車(chē)車(chē)載3D技術(shù)應(yīng)用助力實(shí)現(xiàn)安全駕駛

  • 3D并不是什么新技術(shù),在消費(fèi)電子領(lǐng)域已有廣泛的應(yīng)用,但在汽車(chē)應(yīng)用中卻處于起步階段,仍需要相關(guān)技術(shù)和解決方案有所突破。以汽車(chē)安全駕駛應(yīng)用為
  • 關(guān)鍵字: 車(chē)載  3D  安全駕駛  

新型LED驅(qū)動(dòng)器IC可實(shí)現(xiàn)大功率汽車(chē)LED前燈

  • 到2015年, 高亮度(HB)LED的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到202 億美元( 數(shù)據(jù)來(lái)源:Strategies Unlimited)。驅(qū)動(dòng)這種增長(zhǎng)的關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域之一是汽車(chē)設(shè)計(jì)中使用的LED,包括
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲

  •   去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù),它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據(jù)稱會(huì)從根本上改變計(jì)算,但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。   根據(jù)英特爾自己的營(yíng)銷(xiāo)材料顯示,3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度,而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號(hào)。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明,而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是,現(xiàn)在看起來(lái)英特爾已經(jīng)遇到麻煩,悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字: 英特爾  3D XPoint  

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲

  •   去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù),它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據(jù)稱會(huì)從根本上改變計(jì)算,但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。   根據(jù)英特爾自己的營(yíng)銷(xiāo)材料顯示,3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度,而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號(hào)。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明,而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是,現(xiàn)在看起來(lái)英特爾已經(jīng)遇到麻煩,悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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怎樣才是最有效的IC故障診斷和失效分析

  • 摘要:對(duì)一個(gè)復(fù)雜的設(shè)備進(jìn)行故障診斷的時(shí)候,知識(shí)儲(chǔ)備是最重要的。我們想要的并且需要去了解相關(guān)的一些問(wèn)題。它包括正確的IC版本號(hào),在哪里可以找到有關(guān)的參考資料,誰(shuí)真正了解客戶端發(fā)生了什么。幫助客戶是我們最主
  • 關(guān)鍵字: IC    故障診斷    失效分析    DC-DC  
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3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸,分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求,TSV芯片必須經(jīng)過(guò)晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程,稱之為中段,可由晶圓廠或封測(cè) [ 查看詳細(xì) ]

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