- 據報道，在 NVIDIA 的 H20 受到最新的美國 AI 芯片出口限制后，這家美國芯片巨頭一直在開發一款針對市場的新芯片組。據路透社報道，這款基于 Blackwell 的芯片最早可能在 6 月首次亮相，成本比 H30 低 20% 以上。路透社指出，NVIDIA 對內存和封裝的選擇是該芯片價格較低的關鍵原因。值得注意的是，據報道，新型號將放棄臺積電先進的 CoWoS 封裝。此外，該報告補充說，預計它將基于 RTX Pro 6000D（服務器級 GPU）與標準 GDDR7 內存配對，而不是更昂貴的 HBM。
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NVIDIA 中國版 AI芯片 CoWoS HBM
- 根據 TrendForce 集邦咨詢最新的內存現貨價格趨勢報告，關于 DRAM，現貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格相比 DDR5 產品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下：DRAM 現貨價格：與合約市場的情況類似，現貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格與 DDR5 產品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產品的價格也繼續逐步上漲，因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現貨價格在整個 2Q25
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內存 DDR4 DDR5
- 全球五大NAND Flash原廠同步實施減產，加上美中之間的新關稅政策，帶動買賣雙方在90天寬限期內加速交易與出貨，致使2025年第二季存儲器價格，出現優于預期的反彈走勢。五大NAND原廠同步減產，供給面收縮，助攻內存市場行情，根據調查，全球市占前五大NAND Flash制造商，包括三星、SK海力士、美光、鎧俠與威騰，皆在2025年上半年啟動減產計劃，幅度在10%~15%，以調節供過于求的市場結構。此輪原廠同步減產，對存儲器價格止跌回升形成支撐，加上中美貿易政策變量升高，促使業者加快在政策寬限期內完成交易
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內存
- 據稱，可靠性和供應鏈問題迫使 Nvidia 推遲 SOCAMM 開發下一代零件。據稱，Nvidia 推遲了即將推出的 SOCAMM 技術的推出，并推出了即將推出的 Blackwell 企業級 GPU。ZDNet 報道稱，SOCAMM 現在計劃與代號為“Rubin”的下一代 Nvidia GPU 一起推出。SOCAMM 最初應該與 GB300 一起首次亮相，GB300 是一款即將推出的 Blackwell Ultra 產品，針對工作站而不是服務器。GB300
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Nvidia SOCAMM 內存
- 據 etnews 報道，據報道，蘋果已啟動其 2027 年 iPhone 的開發，引起了行業的廣泛關注，因為它計劃進行重大技術升級以紀念該設備 20 周年。以下是 Apple 可能整合到下一代 iPhone 中的一些潛在新技術。Apple 將使用 HBM 解鎖 iPhone 的 AI 功能該報告指出，設備端 AI 將需要顯著的內存進步，業界預計 Apple 將在 2027 年之前在 iPhone 中采用移動 HBM。消息人士稱，蘋果可能已經與三星電子和 SK 海力士等主要內存供應商討論
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- 在英偉達H20受到最新出口限制之后，其正在開發該芯片的降級版本，以尋求在有限政策空間內繼續開拓中國市場，最早可能在7月發布。降級版H20性能預計會有較為明顯的下調，尤其是在內存容量方面，據TrendForce報道英偉達可能會用GDDR取代HBM。英偉達HBM3的供應商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供應商，如果降級版H20選擇換用GDDR，那么可能會對現有的供應鏈產生一定的干擾。同樣，三星和SK海力士也都有與英偉達在GDDR7上合作的經驗，值得注意的是，現階段GDDR7的供應主要由三星提供支持，S
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英偉達 H20 GDDR HBM 三星 SK海力士
- 三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術，以減少熱量并實現超寬內存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術，EBN 報道。高帶寬內存 （HBM） 將多個存儲器件堆疊在基礎芯片上。目前，HBM 堆棧中的內存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數據、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質量回流 （MR-MUF） 或使用非導電膜 （TC-NCF） 的熱壓縮等技術進行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內的硅通孔
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三星 HBM4 內存 混合鍵合
- 據稱，繼 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，這家美國芯片巨頭正在開發該芯片的降級版本，以在中國銷售。由于改進后的芯片預計將大幅削減，尤其是在內存容量方面，New Daily 的一份報告暗示 NVIDIA 可能會用 GDDR 取代 HBM，這可能會破壞內存供應鏈。正如路透社所指出的，Team Green 已經向中國主要的云提供商提供了有關即將推出的公告。據路透社報道，H20 的低調版本由新設定的技術限制塑造，最早可能在 7 月發布。目前，韓國《數字時報》報道稱，NVIDIA 堅持從三星和
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三星 NVIDIA H20 HBM GDDR
- 一、測試目的DDR3的測試分為三類：1、直流參數測試（DC Parameter Testing）：校驗工作電流、電平、功率、扇出能力、漏電流等參數特性。內存的工作電流與功耗、負載有關，工作電流過高時，將造成功耗過高，給系統造成的負載過大，嚴重情況下將造成系統無法正常工作。存儲芯片也存在漏電流，當漏電流超出閾值時可能造成系統無法正常工作。2、交流參數測試（AC Parameter Testing）：檢測諸如建立時間、保持時間、訪問時間等時間參數特性。3、可靠性測試（Functional Testing）：測
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內存 DDR3 測試測量
- 由于三星尖端制程良率偏低，以及美國特朗普政府關稅政策影響，處理器大廠AMD可能已經取消了三星4nm制程訂單，進而轉向了向臺積電美國亞利桑那州晶圓廠下單。這一決定標志著三星代工業務繼失去高通、英偉達等科技巨頭價值數十億美元的尖端芯片訂單后，再次遭遇重大挫折。
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三星 代工 臺積電 AMD 2nm HBM
- 三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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- 在一項新的 Nature Communications 研究中，研究人員開發了一種內存鐵電微分器，能夠直接在內存中執行計算，而無需單獨的處理器。擬議的差異化因素承諾能源效率，尤其是對于智能手機、自動駕駛汽車和安全攝像頭等邊緣設備。圖像處理和運動檢測等任務的傳統方法涉及多步驟的能源密集型流程。這從記錄數據開始，這些數據被傳輸到存儲單元，存儲單元進一步將數據傳輸到微控制器單元以執行差分作。由于差分運算是多項計算任務的基礎，研究人員利用鐵電材料的特性來制造他們的設備。Tech Xplore
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鐵電RAM 內存 執行計算
- 4月24日消息，韓國內存巨頭SK海力士公布2025年Q1財報，Q1營業利潤同比增長158%，為7.44萬億韓元（約合52億美元），超過預期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%，達到17.63萬億韓元。數據顯示，這是SK海力士第二好的季度業績，此前該公司上一季度營收和營業利潤均創歷史新高。作為英偉達HBM(高帶寬存儲器)的重要供應商，SK海力士受益于HBM等AI關鍵組件的強勁需求增長。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場的份額超過三星。報告期內，SK海力士占據了DRAM市場36%的份額，而三星是34%。
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- 三星對此消息表示，無法確認。 但法人認為，HBM市場年復合成長率超過45%，三星傳停產舊規格的HBM，應有助于三星加快技術迭代，并鞏固其與SK海力士、美光的「三強爭霸」地位。與此同時，陸廠加快進攻高階存儲器市場。 長鑫存儲宣布16nm DDR5 DRAM已量產，性能超越SK海力士12nm產品，并計劃2025年將產能擴至每月18萬片晶圓，目標2026年切入LPDDR5與車用DRAM，為未來進軍HBM鋪路。長江存儲則靠Xtacking混合鍵合技術快速追趕，量產全球首款270層3D NAND Flash，與三星
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- 內存產業在美國對等關稅政策反復變動下，提前出現備貨熱潮。 根據TrendForce最新調查，美方雖釋出90天寬限期，卻已實質改變內存供需方的作策略，買賣雙方急于在寬限期內完成交易、生產出貨，預期將推升第二季市場交易熱度，DRAM、NAND Flash價格也同步上修。TrendForce資深研究副總吳雅婷指出，盡管關稅寬限期暫時緩解市場對需求下滑的疑慮，品牌與通路商仍普遍抱持「降低不確定因素、建立安全庫存」的心態，拉貨力道顯著升溫，積極提高DRAM及NAND Flash的庫存水位，進而帶動供應鏈產能，尤其以
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