根據 TrendForce 最新的內存現貨價格趨勢報告，關于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內存芯片的現貨價格持續上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現輕微回調。至于 NAND 閃存，供應商逐步釋放產能資源，加上中國國家補貼的減弱效應，導致現貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現貨價格：盡管過去一周現貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現貨價格繼續上漲，而 8Gb DDR4 等
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內存 DDR4 DRAM
全球新興記憶體與儲存技術市場正快速擴張，而臺積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業IP供應商合作，積極推動先進非揮發性存儲器解決方案的商業化。過去兩年，相變內存（PCM）、電阻式隨機存取內存 （RRAM） 和 自旋轉移矩磁阻式隨憶式內存 （STT-MRAM） 已從實驗室走向次22納米節點的試產階段，并運用3D堆疊技術實現高密度，以解決傳統DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺積電、三星、美光、英特爾等業界領導者的合作下，每年超過50億美元的研發投入加速新材料與制程的成熟。 這
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AI 內存 臺積電 三星 存儲技術
隨著第二季即將結束，多家內存原廠已展開第三季合約報價談判。 原廠持續執行減產、并調整產品組合，市場供需變化牽動價格走勢分歧，尤以高帶寬記憶體（HBM）、LPDDR4X與DDR4等關鍵產品為觀察重點。根據TrendForce調查，2025年DRAM整體位元產出將年增約25%，但若排除HBM產品，一般型DRAM位年增幅約20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原廠成長幅度僅15%，反映產能資源向HBM傾斜。HBM成為AI服務器核心零組件，供應持續吃緊，特別是HBM3e更面臨嚴重短缺，推升報價動能。在一般型DR
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內存 供應鏈 TrendForce
美光在 2025 財年第三季度的創紀錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動的——而且勢頭仍在繼續。這家美國內存巨頭現在目標是到年底占據約 25%的 HBM 市場份額，正如 ZDNet 所報道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場關注，但焦點也集中在其全球產能擴張能否跟上。以下是美光最新制造動向的簡要回顧，包括國內和海外。美國生產時間表指向2027年開始2022 年 9 月，美光公司公布了一項 150 億美元的擴張計劃，計劃在其愛達荷州博伊西總部建設一個尖端研發和半導體制造設施——這是
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美光 HBM 內存
在 2025 財年第三季度 HBM 銷售額增長近 50% 的推動下，美光公布了創紀錄的收入，現在正著眼于另一個里程碑。據 ZDNet 稱，這家美國內存巨頭的目標是到 2025 年底將其 HBM 市場份額提高到 23-24%。值得注意的是，美光在其新聞稿中表示，它現在正在向 GPU 和 ASIC 平臺上的四個客戶交付大批量 HBM。因此，該公司預計到 2025 年下半年，其 HBM 市場份額將達到與其整體 DRAM 份額持平。據路透社報道，美光的強勁業績反映了 NVIDIA 和 AMD
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Micron HBM GPU ASIC
美光在 2025 財年第三季度創紀錄的收入是由 HBM 銷售額增長近 50% 推動的，而且這種勢頭并沒有放緩。正如 ZDNet 所指出的那樣，這家美國存儲器巨頭現在的目標是到年底在 HBM 市場占據大約 25% 的份額。雖然其樂觀的前景吸引了市場的關注，但人們也關注其全球產能擴張能否跟上步伐。以下是美光在國內外的最新制造舉措。美國生產時間表指向 2027 年開始根據其新聞稿，2022 年 9 月，美光公布了一項價值 150 億美元的計劃，以擴建其位于愛達荷州博伊西的總部，該總部將擁有尖
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晶圓廠 美光 HBM
隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進展上，據報道三星在良率方面取得了重大突破。據 sedaily 報道，該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM（1c DRAM）晶圓測試中實現了 50-70%的良率——這一數字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產 HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩步提高，該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產規模，根據
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三星 HBM 存儲
NewSpace 是指私營公司和初創公司將太空探索商業化，與傳統太空計劃相比，政府的監督通常較少。在對全球連接（直接到蜂窩）的需求不斷增長的推動下，NewSpace 計劃旨在將 LEO 衛星星座與物聯網相結合。這些任務通常依賴于較小的衛星，從納米衛星到 250 公斤衛星，并且任務持續時間更短，成本更低，能夠部署大規模 LEO 星座。由于 LEO 的發射成本較低且輻射暴露較少，許多 NewSpace 應用可以從 COTS 組件中受益，這些組件無需傳統的軍事或航空航天認證即可提供強大的性能。Infineon
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英飛凌 太空 內存
近日有消息稱，微信正在優化聊天記錄備份的功能，支持U盤等多種存儲設備。對此，微信方面回應稱正在小范圍測試聊天記錄備份功能優化。微信表示，和當前僅支持備份到電腦相比，優化后的功能支持用戶通過手機微信，將聊天記錄備份到外部存儲設備（如U盤、移動硬盤），且可創建及管理多份備份文件，并支持自動備份。目前，該功能更新在持續擴大測試范圍。聊天記錄備份的具體路徑是“微信設置-通用-聊天記錄與遷移-備份與恢復”，如果你的微信在該功能的灰度測試范圍，那么就會看到現在備份與恢復可以選擇“備份到電腦、U盤等多種存儲設備”或“支
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微信 內存
據臺媒《經濟日報》報道，由于DDR4供應減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現貨價等規格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規格的DDR5報價更高，呈現“價格倒掛”，業界直言：“至少十年沒看過現貨價單日漲幅這么大。”根據DRAM專業報價網站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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韓國頂尖國家級研究機構 KAIST 發布了一份 371 頁的論文，詳細介紹了到 2038 年高帶寬內存（HBM）技術的演進，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發展，包括封裝、3D 堆疊、以內存為中心的架構以及嵌入 NAND 存儲，甚至基于機器學習的方法來控制功耗。 請記住，該文件是關于 HBM 技術假設演進的，基于當前行業和研究方向，而不是任何商業公司的實際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
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作為 Micron——在贏得 NVIDIA HBM 訂單的競爭中關鍵對手——宣布已交付其首批 12 層 HBM4 樣品，據報道三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗證時遇到了挫折。根據 Business Post引用的證券分析師，該公司現在計劃在 9 月份進行重測。盡管 Deal Site 之前表示三星的 12 層 HBM3E 在 5 月份通過了 NVIDIA 的裸片認證，但該產品仍需進行完整封裝驗證。另一方面，SR Times 建
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三星 HBM 英偉達
美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數據傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發并評估量產可行性，目標是在2030年前實現商業化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理，而芯片的制造環節則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發揮
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據韓媒SEDaily報道，三星半導體部門（即DS設備解決方案部）正對系統LSI業務的組織運作方式的調整計劃進行最終審議，相關決定將在不久后公布。預計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前，還將進行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統LSI業務主要負責芯片設計，在三星半導體體系中承擔著為移動業務（MX）部門開發Exynos手機SoC的核心任務。然而，近年來Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
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據路透社報道，英偉達即將針對中國市場推出一款新的AI芯片，預計售價在6500美元至8000美元之間，遠低于H20芯片的10000至12000美元，較低的價格反映了其較弱的規格和更簡單的制造要求，避開了受美國出口規則限制的先進技術。知情人士稱，這款新的專供中國市場的GPU將會是基于英偉達的服務器級圖形處理器RTX Pro 6000D來進行構建，采用傳統的GDDR7顯存，而不是HBM3e，也沒有使用臺積電的先進封裝技術CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），這也使得這款芯片成本大幅
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