作為英偉達 HBM3 和 HBM3e 的關鍵供應商，也是人工智能繁榮的主要受益者，SK 海力士在其最新發布的 2025 年半年度報告中展示了其強大的行業地位，突出了與美國芯片巨頭的緊密合作關系。據 Yonhap News 報道，該公司僅從英偉達處在本年度上半年就據報道賺取了約 110 萬億韓元收入。值得注意的是，據 SK 海力士提供的數據，Yonhap 報道稱，來自單個“主要客戶”的收入在 2025 年上半年達到了 108.9 萬億韓元。同期，SK 海力士合并總收入為 398.7 萬億
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市場傳聞稱，英偉達已開始開發自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動正在供應鏈中引起漣漪，因為它可能重塑下一代 HBM 格局。據《商業時報》報道，該芯片預計將基于 3 納米工藝節點，小批量試生產計劃于 2027 年下半年進行。英偉達的策略和 HBM4 路線圖根據 TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統的整體性能。值得注意的是，根據 TrendForce 的觀察，英偉達將在 2027 年上半年
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雖然當地媒體關注華為減少中國 HBM 對人工智能推理的依賴，但這家科技巨頭在 8 月 12 日發布了 UCM（統一計算內存）——據我的駕駛和證券時報報道，這是一種人工智能推理突破，可大幅降低延遲和成本，同時提高效率。值得注意的是，報道表明華為將在 2025 年 9 月開源 UCM，首先在 MagicEngine 社區推出，然后貢獻給主流推理引擎，并與 Share Everything 存儲供應商和生態系統合作伙伴分享。UCM 的變革性功能《證券時報》援引華為數字金融 CEO 曹健的話指出，高延遲和高成本仍
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華為 HBM.人工智能 UCM
市場研究與戰略咨詢公司Yole Group發布了新報告《2025 年數據中心半導體趨勢》，深入分析了人工智能、高性能計算和超大規模需求如何推動新的半導體范式
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全球領先的自動測試設備和機器人供應商泰瑞達近日宣布推出新一代內存測試平臺Magnum 7H，旨在滿足高性能生成式AI服務器中GPU和加速器所集成的高帶寬內存（HBM）芯片測試的嚴苛要求。Magnum 7H專為大規模HBM堆疊裸片測試而設計，具備高同測數、高速和高精度三大特性。行業領先的HBM制造商已開始使用泰瑞達Magnum 7H平臺進行HBM芯片的量產測試并出貨，產能得到大幅提升。泰瑞達內存測試事業部總裁Young Kim表示：“我們隆重推出Magnum 7H，這是一款革新性的內存測試平臺，它重新定義了
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在漫威電影宇宙中，鋼鐵俠的 AI 管家賈維斯，能理解復雜指令、實時提供各類信息、輔助戰甲高效運行，為觀眾描繪出強大的 AI 應用場景。如今，隨著移動 HBM 技術的發展，我們的手機也在邁向具備類似強大 AI 能力的設備。那么，從移動 HBM 到「賈維斯」般的智能體驗，我們還有多少距離？移動HBM，到底是什么？在深入探討移動 HBM 之前，先來了解一下傳統內存技術在移動設備中的局限性。以智能手機為例，隨著 AI 攝影、AI 語音助手等功能的普及，手機需要在短時間內處理大量的數據。在拍攝一張 AI
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據全球咨詢公司麥肯錫7月20日發布的報告顯示，包括英偉達、臺積電、博通等在內的半導體行業前5%（按年銷售額計算）的公司，包攬了2024年該行業創造的全部利潤。前5%的半導體公司獲得的經濟利潤高達1590億美元，而中間90%的公司利潤僅為50億美元，排名后5%的公司實際虧損370億美元。實際上，前5%的半導體公司獲得的成績單超過整個半導體市場創造的經濟利潤（1470億美元）。這一市場轉變僅用了2~3年時間。在新冠疫情期間（2021-2022年），中間90%的企業每年獲得的經濟利潤超過300億美元。換算成每家
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美光??宣布推出業內最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內存解決方案組合中的首款產品，現已實現商業化。該產品專為航空航天及其他極端嚴苛環境使用而設計。該產品已根據 NASA 的 PEM-INST-001 標準進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環、缺陷篩選和動態老化。它還基于美國軍用標準 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環境中的可靠性。這
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根據 ZDNet 在 25 日的報道，引用行業消息人士稱，全球領先的半導體后端設備制造商預計將在 2025 年下半年擴大其 HBM 混合鍵合業務。BESI 預計 2025 年下半年混合鍵合訂單將增長7 月 24 日，荷蘭設備制造商 BESI 在其 2025 年第二季度財報中表示，預計第三季度將表現強勁，先進封裝設備訂單（包括混合鍵合系統）將增加。該公司指出，混合鍵合工具的需求預計在 2025 年下半年將顯著增長——與上半年相比，也與 2024 年同期相比——因為客戶
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(圖片來源：YMTC)長江存儲技術有限公司（YMTC），中國領先的 NAND 存儲器生產商，自 2022 年底以來一直被美國商務部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產能力，目標是在 2026 年底前占據 NAND 存儲器生產市場的 15%，據《Digitimes》報道。該公司還計劃建設一條僅使用中國制造設備的試驗生產線。YMTC 將擴大產能至每月 15 萬片晶圓啟動據 DigiTimes 報道，預計到 2024 年底，YMTC 的月產能將達到每月
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隨著英偉達以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動 HBM 需求增長，分析師警告明年可能面臨價格下跌。據高盛稱，經濟日報報道，競爭加劇和供過于求可能導致 2026 年首次出現 HBM 價格下跌——這對市場領導者 SK hynix 構成挑戰。值得注意的是，據高盛稱，2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數。此外，競爭加劇以及定價權向主要客戶轉移（SK hynix 受影響嚴重）可能擠壓該公司的利潤空間，高盛警告稱。根據高盛的預測，HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應的顯著增加
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隨著主要內存制造商將產能轉向 DDR5 和 HBM，他們的 DDR4 淘汰時間表逐漸清晰。根據商業時報的報道，三星、SK 海力士和美光計劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調查也顯示，三大 DRAM 供應商正在將產能轉向高端產品，并已開始宣布 PC 和服務器級 DDR4 以及移動 LPDDR4X 的停產計劃。因此，預計 2025 年第三季度的傳統 DRAM 合同價格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內，整體 DRAM 價格預計將上漲 15%至 2
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Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導體業務表現不佳，該業務占整體利潤的 50-60%。由于持續的技術問題，高帶寬內存（HBM）和其他高容量、高附加值內存產品未能從蓬勃發展的人工智能（AI）領域獲益。代工（合同芯片制造）和系統 LSI 業務也因未能爭取到主要客戶而繼續虧損。然而，隨著 Nvidia 的 HBM 大規模生產批準的可能性在第三季度增加，以及上半年積累的內存庫存得到清理，人們對業績反彈的預期正在增長。根據行業消息，7 月 8 日三星電子的設備解決方案（DS）部
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三星電子 HBM.半導體產業
三星電子在今年第二季度錄得的營業利潤明顯低于市場預期，引發了對其高帶寬內存 （HBM） 業務失敗的擔憂，這被視為這一缺口背后的最大原因，以及代工業務的潛在復蘇。盡管存儲半導體需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領下取得了不錯的成績，而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是，三星電子自第四代 HBM （HBM3） 以來，所有代 HBM 產品都未能取得顯著成果，導致 SK 海力士和美光占據市場領先地位。根據國內證券公司的分析，三星電子的內存部門錄得約 3 萬億韓元的營業利
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