- AI服務器內存需求的飆升推動了DRAM價格的急劇上漲——現在PC和筆記本制造商正感受到壓力。業內消息人士今日透露，聯想已開始通知客戶即將到來的價格上漲，隨著市場壓力加大，調整計劃于2026年初生效。據消息人士透露，另一家科技巨頭戴爾也沒有保持沉默，公司已向客戶發布了價格上漲警報。業內消息稱，戴爾預計將至少將價格上調15-20%，漲價可能最早在12月中旬生效。據彭博社11月底報道，戴爾首席運營官杰夫·克拉克警告稱，他“從未見過內存芯片成本漲得這么快”，并指出各產品線的開支都在攀升。內存價格飆升影響PC、聯想
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- TOPS很重要，但還不夠。隨著邊緣人工智能不斷革新行業，選擇合適的處理器成為開發者和企業的關鍵決策。雖然TOPS次數（每秒太作數）歷來是評估AI硬件的首選指標，但僅依賴它可能導致過于簡化和誤導性的結論。在這里，我們將探討細微 差別比較尖端AI處理器及應考慮哪些參數。步驟1：計算與內存的平衡雖然TOPS提供了原始計算能力的衡量，但它只講述了部分情況。要真正理解處理器的性能，我們需要考慮計算能力與內存之間的微妙平衡。TOPS什么時候重要？為每個應用選擇的神經網絡架構定義了計算能力的量。由于所需的計算能力與輸入
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- 谷歌的TPU作為NVIDIA的有力替代方案正逐漸獲得關注，三星也成為ASIC趨勢的受益者。據《朝鮮商務》報道，三星電子正在向全球最大的ASIC設計公司博通供應HBM，其第六代HBM（HBM4）據報道已在測試中超過博通的初始性能目標。報告中引用的消息人士指出，三星的HBM4預計將在2026年全面供應，在博通的評估中表現優于其早期的性能目標。繼此前幾年落后于SK海力士后，三星試圖通過增強DRAM和邏輯芯片技術來區分其HBM4產品。報告補充稱，迄今為止，半導體行業總體上給予了積極評價。報告指出，三星目前通過博通
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- 我們先來聊聊磁芯最常見的存儲用途。事實證明，鐵芯和磁性材料用途廣泛，至今仍在電源和模擬電路中用作扼流圈。而這篇文章提出了一個特別的想法：用磁芯實現邏輯功能（圖 1）。盡管這項技術從未進入商業領域，但在技術層面是可行的。1. 磁芯可以實現如上述簡單示例所示的邏輯。接下來，我們看看當時磁芯的使用情況，然后進入現在存儲領域的情況，磁芯最初使用的領域。許多記憶技術已經興起又消失，新的技術不斷涌現。什么是磁芯磁芯是磁性材料，類似于鐵。磁場的方向可以用來存儲一個比特的信息。用于存儲的磁芯被安裝成網格狀，陣列中交錯排列
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- 在爆炸式增長的人工智能需求推動下，內存價格以多年來未見的速度攀升。據TechNews援引PCMag報道，PC內存價格急劇上漲，64GB DDR5套件現已超過500美元，價格甚至超過索尼PlayStation 5。報告指出，與今年早些時候相比，價格上漲幅度在120%到200%之間，尤其是對于較新的DDR5模塊。?PCPartPicker.com?年的數據顯示，一對32GBDDR5內存條（共64GB）的平均價格已超過600美元，而之前大約是200美元。報告還引用PCPartPicker的說
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- 隨著內存緊張加劇，這一浪潮不僅波及智能手機和個人電腦等消費品，甚至最大的科技巨頭也感受到了壓力。Tom's Hardware援引泄密者Golden Pig Upgrade的消息稱，NVIDIA已停止與其銷售給AIBs的GPU捆綁顯存，導致合作伙伴自行保護內存。如果傳言成立，這也不會是NVIDIA首次采取措施應對飛漲的內存價格。Hankyung指出，據報道，NVIDIA和AMD正在考慮逐步淘汰中低端游戲顯卡，這些GPU在內存成本中占很大比例。關于最新的傳聞，Tom's Hardware指出，
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- 11 月 28 日消息，參考德媒 Hardwareluxx 編輯 Andreas Schilling 在社交平臺分享的圖片，臺積電在本月 25 日于荷蘭阿姆斯特丹舉行的 2025 年 OIP（開放創新平臺）生態系統論壇歐洲場上分享了對首代定制 HBM 內存的看法。與美光首席商務官 Sumit Sadana 的觀點類似，臺積電也認為定制 HBM 將在 HBM4E 時代正式落地，其對相關產品的稱呼是 C-HBM4E。▲ 圖源：Andreas Schilling臺積電在 HBM4 時代提供了 2 種不同的 HB
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- 64GB DDR5內存的平均價格已飆升至500美元以上。如果你想要128GB的，預計要花比買電腦更高的價格。價格還在上漲：PC內存的價格已經高到64GB?DDR5內存包輕松超過500美元，甚至超過索尼PlayStation 5。隨著對人工智能數據中心的需求持續侵蝕內存供應，PC制造商注意到近期價格達到了新的水平。與今年早些時候相比，價格上漲幅度在120%到200%之間，尤其是對于較新的DDR5內存。例如，一對32GBDDR5內存條（總共64GB）的平均價格已超過600美元，較 PCPartPic
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- 隨著三星推進其 HBM4 時間表，它也在下一代 DRAM 方面取得了長足的進步。CES?和三星的新聞稿顯示，其 LPDDR6 被評為 2026 年移動設備、配件和應用程序類別創新獎獲獎者。新公布的規格特別指出，12 納米設計可提供 10.7Gbps 數據速率和擴展的 I/O 以實現更高帶寬——專為數據密集型移動、邊緣和設備上的 AI 工作負載而構建。TechPowerUp?援引三星的話報道稱，LPDDR6 的能效比 LPDDR5X 提高了 21%，與其帶寬和速度相匹配，同時功耗減少了約
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- 我們現在正處于人工智能時代，數據是創新的命脈，而嵌入式 NVM 是一項基石技術，無需使用電源即可保留信息，并支持從 MCU 和物聯網 SoC 到汽車控制器和安全元件的一切。截至 2025 年 11 月，嵌入式 NVM 發展迅速。邊緣數據激增，人工智能功能登陸 MCU 和 SoC，功耗預算比以往任何時候都更加緊張。內存是我們構建設備的核心。這項調查著眼于 eNVM 在市場、技術和采用方面的現狀，以及它下一步的發展方向。市場概況和增長嵌入式新興 NVM，包括 MRAM、RRAM/ReRAM 和 PCM，正在進
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- 過去一年，內存市場從“供需平衡”驟然滑向“緊平衡”。DDR4 生命周期終止（EOL）通知與 AI 建設潮“搶產能”正面相撞——高帶寬、先進節點成為晶圓廠新寵，傳統產品線瞬間被抽走產能。 晶圓廠重新調配后，現貨收緊、交期拉長、價格波動加劇，工業及長生命周期應用首當其沖。對 OEM、CM、EMS 而言，核心命題只有一個：把產品路線圖及時對齊供應新節奏，否則就要面對斷料和成本飆升的雙重暴擊。讀懂 DDR4 停產信號十多年來，DDR4 一直是系統內存的“默認選項”。如今，美光、三星、SK 海
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- 隨著內存價格攀升，以及三星終于進入英偉達HBM供應體系，三星半導體終于實現營收復蘇，結束了其芯片部門連續四個季度下降的局勢。人工智能應用成為三星半導體復蘇最大的外部因素，內存業務實現了三星所說的“創紀錄的季度收入”，這得益于高帶寬內存 （HBM3E） 芯片和服務器固態硬盤的銷售擴張——這兩者都是人工智能基礎設施的重要組成部分。 但這不僅僅是一個漲潮舉起所有船只的故事。三星半導體的復蘇反映了三星經濟低迷時期經過深思熟慮的戰略轉向、最終轉向對其有利的市場動態，以及迫使該公司加快人工智能芯片路線圖的巨
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- 記憶體缺貨風暴進入慘烈局面，近期上游國際原廠2025年第4季合約價陸續敲定。 據悉，隨著各家搶貨激烈，導致美、中多家一線大客戶的訂單滿足率，僅約7成。 而服務器內存第4季合約價暴沖，漲幅高達40~50%，產能排擠效應已連帶影響到其他的非優先供應客戶，未來2個季度的滿足率，將可能不到40%。AI需求爆發，掀起存儲器產業全面缺貨及猛爆性漲價潮。 供應鏈指出，產業缺貨從第3季開始「變天」，如今要搶貨已經來不及，多家內存模組廠10月可能出現無貨可買困境，韓系大廠「直接不給報價」，因為DDR5 DRAM顆粒已經無貨
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- 我第一次聽說亞閾值數字設計技術是在許多個月前，但只是在相對簡單的產品實現（例如手表）的背景下。當我發現 Ambiq 的人們正在利用這項技術來設計整個超低功耗處理器時，我感到震驚。簡而言之，在傳統的 CMOS 設計中，晶體管使用遠高于 Vth（晶體管剛剛開始傳導電流的閾值電壓）的電源電壓在完全關斷和完全開啟狀態之間切換，對于現代 MCU，通常為 0.8V 至 1.0V。相比之下，Ambiq 的 SPOT 電路在亞閾值區域（通常約為 0.3-0.5 V）工作，該區域的電流呈指數級小。這將有功和漏電功耗降低一個
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