各大存儲器企業正專注于1c DRAM量產的新投資和轉換投資。主要內存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產線，據報道，SK海力士正在討論其近期轉型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設施。1c DRAM是各大內存公司計劃在今年下半年量產的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務器在內的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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蘋果最新iPhone 17系列近日正式發售，A19芯片采用的是臺積電最新3納米N3P制程，下一代A20進入2納米時代，而Android陣營的聯發科、高通等CPU的3納米制程也進入尾聲，業界傳出，末代3納米制程CPU價格比前代上漲約20%，明年2納米制程將再增加逾50%的售價，加上內存、硬盤等供不應求， 半導體通脹正在發酵中。Android手機陣營的IC設計大廠聯發科、高通，將在本周先后發表最新的旗艦芯片天璣9500以及Snapdragon 8 Elite Gen 5，目前傳出2款芯片與A19芯片相同，皆采
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鉬作為當今半導體制造中常用的各種金屬的替代品，尤其是在前沿節點上，看起來越來越有希望。芯片制造商正在一個接一個地將先進節點的金屬從清單上劃掉。雖然釕襯里幾乎可以生產，但這種金屬還沒有準備好在高度規模的互連中取代銅。釕非常昂貴，目前的制造工藝也無濟于事。此外，imec 研究員 Zsolt T?kei 表示，大馬士革方案中“過度沉積和拋光”步驟產生的廢物量也是一個嚴重的問題。雖然減材金屬化減少了廢物量，但它需要對整個過程進行更重大、更昂貴的改變。銅并不是唯一跑道較短的金屬。晶體管觸點、內存中的字線和類似應用通
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據韓媒報道，被韓媒譽為“HBM之父”的韓國科學技術院（KAIST）電氣工程系教授金仲浩表示，高帶寬閃存（HBF）有望成為下一代AI時代的關鍵存儲技術，并將與HBM并行發展，共同推動各大芯片廠商的性能增長。HBF的設計理念與HBM類似，都利用硅通孔（TSV）連接多層堆疊芯片。不同的是，HBM以DRAM為核心，而HBF則利用NAND閃存進行堆疊，具有“更高容量、更劃算”的優勢。Kim Joung-ho指出，雖然NAND比DRAM慢，但其容量通常大10倍以上。有效地堆疊數百層甚至數千層，可以滿足AI模型的海量存
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根據 The Elec 的報道，KAIST 教授金正浩指出，HBF（高帶寬閃存）——像 HBM 一樣堆疊的 NAND 閃存——可能成為 AI 未來的決定性因素。正如報道解釋的那樣，HBF 在結構上與 HBM 相似，芯片堆疊并通過硅通孔（TSV）連接。關鍵的區別在于 HBF 使用 NAND 閃存代替了 DRAM。AI 瓶頸主要受限于內存帶寬報告指出，金（Kim）強調當前 AI 受限于內存帶寬和容量。他解釋說，今天的基于 Transformer 的模型可以處理高達 100 萬個 token
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SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的開發，并最終準備好大規模生產——成為世界上首家完成這一壯舉的公司。根據其新聞稿，該公司現在已準備好按照客戶的時間表交付頂級 HBM4。在其新聞稿中，SK hynix 強調，其現已成為大規模生產準備的 HBM4 提供了業內領先的數據處理速度和能效。通過采用 2,048 個 I/O 端，帶寬已翻倍——是上一代的兩倍，而能效提高了 40%以上。該公司還預計 HBM4 將使 AI 服務性能提高高達 69%，有助于克服數據瓶頸，并顯著降低數據中心電力成本，據
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《電子設計：時不時》的這一迭代是在我從我們的檔案中閱讀“在計算機中使用磁芯”時受到啟發的。本文最初發表于 Electronic Design 1955 年 4 月，第 3 卷第 4 期。這是不久前的事了。事實上，我就是那一年出生的。我們將討論磁芯的常用用途進行存儲，但首先要提及這篇文章。事實證明，鐵芯和磁性元件有很多用途。它們仍然用作電源和模擬電路中的扼流圈。然而，在這種情況下，我們的想法是使用磁芯來實現邏輯（圖 1）。查看文章了解詳情。盡管這項技術從未進入商業領域，但它確實奏效了。1
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磁芯 內存
根據 ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
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據 TechNews 報道，引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息，新型存儲技術“UltraRAM”，結合了 DRAM 和 NAND 的優勢，在商業化方面取得了顯著進展。英國半導體初創公司 Quinas Technology，UltraRAM 的開發者，與 IQE 合作，將其制造推進到工業規模。UltraRAM 被認為是一種融合了 DRAM 和 NAND 優勢的新型存儲器。據 Tom’s Hardw
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隨著下一代 HBM 的競爭加劇，內存巨頭正在為 NVIDIA 的 Rubin 的需求激增做準備。根據 ZDNet 的報道，NVIDIA 計劃在 2026 年第一季度完成 HBM4 最終資格測試。然而，EE Times 指出，隨著美國芯片制造商在 GPU 開發方面迅速前進，標準難以跟上步伐，定制 HBM 解決方案對于與 GPU 和加速器推出保持一致至關重要。EE Times 援引 Advantest 高級總監、內存產品營銷經理 Jin Yokoyama 的話指出，與過去需要四到
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據報道，英偉達正在為其 2027 年的生產開發自己的 HBM 基板，內存巨頭的基板制造從 DRAM 轉移到晶圓廠工藝的焦點。據韓國的 Digital Daily 報道，美光可能采取了最謹慎的做法，由于成本問題，將推遲到 HBM4e 才轉移到晶圓廠。報道解釋說，直到 HBM3e，基板都是使用 DRAM 工藝制造的，因為 DRAM 制造商自己設計了邏輯，并在自己的 DRAM 線上生產。然而，平面 DRAM 工藝在速度、信號完整性和能效方面落后于晶圓廠的 FinFET 技術，促使內存制造商進
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在AI需求爆發與高價值產品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現量價齊升。根據CFMS最新數據，二季度市場規模環比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發優勢，二季度DRAM銷售收入達122.71億美元，環比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續第二個季度穩居全球第一，并進一步拉開與三星的差距。· 三星以107.58億美元收入位列第二，環比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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在發布用于減少中國 HBM 依賴的 AI 推理加速工具 UCM（統一計算內存）后不久，華為再次在內存領域引起轟動，據中國媒體guancha.cn 和 國家商業日報 稱，華為計劃于 8 月 27 日推出一款新的 AI SSD如國家商業日報的報道所述，這一舉措表明華為正憑借其最新的 AI SSD 步入全球 AI 內存競賽，加入了鎧俠和美光等內存巨頭。報道補充說，鎧俠已制定了一個以 AI 驅動存儲創新、SSD 擴展和資本效率為中心的中長期計劃，以加強其在 NAND 市場的地位，而美
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根據韓國媒體韓聯社援引消息人士的話，英偉達計劃從 2027 年下半年開始承擔 HBM 價值鏈中“邏輯芯片”的設計工作，這是一個核心組件，同時計劃多樣化其來源。報道指出，行業消息人士認為英偉達的策略是為了重新平衡其與關鍵合作伙伴如臺積電和 SK 海力的關系，削弱他們的談判能力，并控制供應成本。報道強調，SK 海力和其他內存制造商迄今為止都是內部生產邏輯芯片。然而，下一代 HBM4——將于今年下半年開始大規模生產——正推動向代工生產轉型。SK 海力已選擇臺積電承擔這一角色，報道指出，行業消息人士認為美光也將這
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終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業界預期，隨著近期市場漲價風聲蠢蠢欲動，NOR Flash價格將從第4季在各區域市場全面反映報價調漲， 單季漲幅將達雙位數百分比。相較于DRAM市場價格近來明顯走揚，不僅DDR4身價暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現貨價格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個月來現貨價格已上漲約3成多，反映業界在擔憂
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