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SiC CJFET技術(shù)社區(qū)

SiC CJFET

SiC CJFET技術(shù)社區(qū)為您提供最新的SiC CJFET相關(guān)技術(shù)資訊、SiC CJFET的技術(shù)資料、SiC CJFET的電路設(shè)計方案、SiC CJFET的視頻資料、SiC CJFET的相關(guān)元器件資料以及SiC CJFET的技術(shù)應用。

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SiC CJFET資訊

碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務器電源場景的應用價值。我們已...

安森美碳化硅 2026-04-22

Vishay推出適用于GaN和SiC開關(guān)應用EMI濾波的新型航天級共模扼流圈

美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款新型航天級表面貼裝共模扼流圈-...

Vishay GaN 2026-04-16

SiC MOSFET 短路行為解析與英飛凌保護方案探討

在設(shè)計常見的DCDC或DCAC等電路時，我們經(jīng)常遇到需要橋臂直通保護的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時間，足以應付大部分短路工況。然而，對于SiC MOSFET器件來說，問題變得復雜了。因為在相同的電流等級...

英飛凌 SiC 2026-04-09

英飛凌第二代SiC MOSFET性能解析及設(shè)計要點

在新能源革命與工業(yè)數(shù)字化的浪潮中，功率半導體作為核心“能量管家”，直接決定著電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率、密度與可靠性。英飛凌作為全球功率器件的領(lǐng)軍者，憑借其深耕碳化硅（SiC）領(lǐng)域的技術(shù)積淀，推出了CoolSiC? MOSFET...

英飛凌 SiC 2026-04-09

第三代半導體的戰(zhàn)略意義：SiC和GaN如何突破硅基芯片的戰(zhàn)場局限

很多人想不明白為何美國以軍事用途為由列舉出海量的半導體禁運名單中，其中絕大部分并不是最先進的處理器，而是很多看似工藝并不先進的模擬類芯片。半導體作為現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其技術(shù)迭代直接推動國防裝備的性能躍升。從第一代硅（S...

第三代半導體 SiC 2026-03-31

Vishay采用行業(yè)標準SOT-227封裝的1200V SiC MOSFET功率模塊提升功率效率

2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120、VS-S...

Vishay SOT-227 2026-03-17

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SiC CJFET專欄

是德示波器如何精準測量第三代半導體SiC的動態(tài)特性

第三代半導體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而，SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動態(tài)測試的挑戰(zhàn)：開關(guān)速度可達納秒級，電壓電流變化率（...

是德示波器精準測量 2025-04-21

自有SiC Mos已批量應用于主驅(qū)，產(chǎn)能達9000片/月

8月19日晚，功率半導體IDM龍頭士蘭微(600460)發(fā)布半年度業(yè)績報告，2024年上半年營業(yè)收入約52.74億元，同比增加17.83%，創(chuàng)出歷史同期新高。公司營業(yè)利潤為 14,743 萬元，比 2023 年同期增加虧...

SiC Mos 2024-08-21

盤點國內(nèi)SiC碳化硅襯底公司

SiC碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)...

SiC 2023-10-28

英飛凌確認：兩家中國SiC供應商獲車規(guī)認證并大規(guī)模出貨

導讀：9月4日，英飛凌德國總部向DIGITIMES證實，已經(jīng)提前完成來自中國兩家碳化硅（SiC）材料供應商天岳先進（SICC）、天科合達（TankeBlue）的車規(guī)認證，而且已向全球客戶出貨。圖：英飛凌5月，芯片大師曾報...

SiC 2023-09-08

【資訊】全球SiC晶圓競爭，進入白熱化

來源：半導體行業(yè)觀察隨著英飛凌和 Wolfspeed 爭奪全球最大碳化硅晶圓廠的稱號，全球芯片制造商正在快速采取行動，確保碳化硅功率器件的供應。Onsemi 和 Rohm 也希望通過巨額預付款來提高 SiC 器件的產(chǎn)量，...

SiC 2023-08-09

ROHM 1200V IGBT成功導入SEMIKRON-Danfoss功率模塊

ROHM Co., Ltd. 常務執(zhí)行董事CFO伊野和英（左）與SEMIKRON-Danfoss CEO Claus A. Petersen（右）。ROHM SEMIKRON-Danfoss...

ROHM SEMIKRON 2023-05-09

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查看更多>> SiC CJFET電路方案

SiC 肖特基二極管對比硅整流器

防止誤觸發(fā)的 IGBT/SiC-FET 驅(qū)動器設(shè)計技巧

用于保護交流和直流電源電路的 SiC

用SIC JFET革命性的電路保護

1200V 450A全SiC半橋功率模塊問世

電源設(shè)計說明：線性方案中的 SiC MOSFET

電源設(shè)計說明：面向高性能應用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

動態(tài)測試證實了 SiC 開關(guān)頻率的準確性

SiC CJFET資料

羅姆推出高功率密度的新型SiC模塊，將實現(xiàn)車載充電器小型化！

rohm sic 2025-08-19 立即下載

SiC JFET Cascode應用指南

SiC JFET Cascode 應用指南 2025-06-28 立即下載

探索安森美（onsemi）并聯(lián)SiC Cascode JFET技術(shù)及其在高效功率轉(zhuǎn)換中的應用

onsemi sic 2025-05-30 立即下載

Qorvo SIC JFET

Qorvo 晶體管 2024-06-07 立即下載

使用 InnoSwitch3-AQ（1700 V SiC 開關(guān)）替換 400 V BEV 系統(tǒng)中的 12 V 電池.pdf

InnoSwitch3-AQ SiC 2024-04-26 立即下載

EEPW2023年6月刊

fpga sic 2023-07-24 立即下載

介紹幾款用于車載充電器應用的 1200 V SiC MOSFET 模塊

onsemi 安森美 2023-07-04 立即下載

M1 1200 V SiC MOSFET特性及驅(qū)動建議

onsemi 安森美 2022-09-02 立即下載

光伏逆變器、不間斷電源和儲能等應用可選用這款SiC MOSFET

onsemi 安森美 2022-08-03 立即下載

用戶手冊：安森美的1200 V SiC MOSFET評估板用于能源基礎(chǔ)設(shè)施提供高能效、高功率密度和出色的散熱

onsemi 安森美 2022-07-05 立即下載

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SiC CJFET論壇

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07-07 碳化硅高速電機控制器設(shè)計及效能分析

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